• 제목/요약/키워드: 확산저항

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실리콘 이종접합 태양전지의 TCO/a-Si:H 계면 특성 연구 (The effects of TCO/a-Si:H interface on silicon heterojunction solar cell)

  • 탁성주;강민구;박성은;이승훈;정대영;김찬석;이정철;김원목;김동환
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.88-88
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    • 2009
  • 실리콘 이종접합 태양전지 제작을 위한 주요 요소기술 중 TCO/a-Si:H 간의 계면 특성은 태양전지 효율을 결정하는 주요 인자이다. 일반적으로 투명전도 산화막으로는 ZnO:Al 또는 ITO 가 사용되고 있으며 Zn, In, Sn, O 등의 확산과 Si원소의 확산으로 TCO/a-Si:H 계면에서 $SiO_x$가 생성되어 태양전지 충진률을 감소시키는 영향을 미친다. 따라서 본 연구에서는 TCO/a-Si 계면에서 확산을 방지 하면서 패시베이션 역할을 하는 완충층을 삽입하여 실리콘 이종접합 태양전지의 효율을 높이는 연구를 수행하였다. 완충층으로 사용된 ZnO:Al의 수소화와 Zn 박막, $TiO_2$ 박막의 전기 광학적 특성을 분석하였고 AES 분석을 통해 $SiO_x$의 생성과 각 원소의 확산정도를 분석하고, CTLM을 이용하여 TCO/완충층/a-Si 간의 접촉저항을 측정하였다. 결과적으로 완충층으로 사용된 $TiO_2$(5nm)는 광특성에 큰 감소요인 없이 전기적 특성과 접촉저항 특성이 우수하였으며, 원소들간의 확산방지층으로도 우수한 특성을 보였다. ZnO:Al의 수소화는 SIMS 분석 결과 수소원소들이 계면쪽에 위치하지 않고 표면쪽에 다수 존재함으로써 패시베이션 특성을 크게 보이지 않았으나 AZO 박막의 전기적 특성은 크게 향상 시켰다. 그밖에 완충층으로 사용된 Zn 박막은 두께가 두꺼원 질수록 접촉저항의 감소를 가져왔으나 광학적 특성이 크게 감소하면서 효율적인 광포획 특성을 가지지 못하였다. 본 연구를 통하여 TCO/a-Si:H 간의 완충층 삽입을 통해 접촉저항을 낮추고 원소간의 확산을 억제하여 계면 패시베이션 특성을 향상 시킬수 있었다.

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Ta 확산 방지막 특성에 미치는 기판 바이어스에 관한 연구 (Study on diffusion barrier properties of Tantalum films deposited by substrate bias voltage)

  • 임재원;배준우
    • 한국진공학회지
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    • 제12권3호
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    • pp.174-181
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    • 2003
  • 본 논문은 탄탈 확산 방지막의 증착시 음의 기판 바이어스에 의한 탄탈막의 특성변화와 열적 안정성에 대해서 고찰하였다. 기판 바이어스를 걸지 않은 경우, 탄탈막은 원주형 모양의 결정 성장을 보이는 주상구조와 250 $\mu\Omega$cm의 높은 비저항값을 보였으나, 기판 바이어스를 걸어줌에 파라서 주상구조가 아닌 치밀한 미세구조와 표면이 평탄한 막이 형성되었고 비저항값도 현저히 감소되었으며, 특히 -125 V에서 증착된 탄탈막은 비저항값이 약 40 $\mu\Omega$cm로 이는 탄탈 벌크의 저항값 (13 $\mu\Omega$cm)에 근접한 값임을 알 수 있었다. 또한, 탄탈 확산 방지막의 열적 안정성에 대해서도, 기판 바이어스를 걸지 않은 탄탈막의 경우 $400^{\circ}C$에서 구리와 실리콘의 반응에 의해 비저항 값이 크게 증가한 결과에 비해, 기판 바이어스에 의해 증착된 탄탈막의 경우 $600^{\circ}C$까지 확산 방지막의 효과를 유지하고 있는 것으로 관찰되었다.

Ru barrier metal을 위한 CMP 슬러리의 CMP 거동 관찰 (CMP Behaviors of CMP Slurry for Ru Barrier Metal)

  • 손혜영;김인권;박진구
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.57-57
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    • 2009
  • 반도체 device가 고집적화 및 다층화 되어짐에 따라 현재 사용되고 있는 구리 interconnect의 확산방지막인 Ta/TaN은 많은 문제가 발생하고 있다. 고집적화 된 반도체 소자에 적용시키기에는 Ta/TaN 확산 방지막의 고유 저항값이 매우 크고, 구리의 증착에 필요한 seed layer의 크기도 문제화 된다고 보고되어지고 있다. 이러한 이유로 인해 점차 고집적화 되어지는 반도체 기술에 맞추어 새로운 확산 방지막에 대한 연구가 현재 활발히 이루어지고 있다. 이에 새로운 확산 방지막으로써 대두되고 연구되고 있는 재료가 Ruthenium (Ru)이다. Ru은 공기 중에서 매우 안정하고 고유저항 값 또한 $13\;{\mu}{\Omega}\;cm$의 Ta에 비해 $7.1\;{\mu}{\Omega}\;cm$의 매우 작은 고유저항 특성을 가지고 있다. 또한, Ru은 구리와의 우수한 접착성으로 인해 구리의 interconnect의 형성에 있어 seed layer가 필요하지 않을 뿐만 아니라 높은 annealing 온도에서도 무시할 만큼 작은 solid solubility를 가지며 구리와의 계면에서 새로운 화합물을 형성하지 않으며 annealing시 구리의 delamination을 유발시키지도 않는다. 이에 따라, 평탄화와 소자 분리를 위하여 chemical mechanical planarization (CMP) 공정이 필요하게 되었다. 하지만, Ru의 noble한 성질과 Ru 확산방지막 CMP공정 시 노출되는 다른 이종 물질 사이의 최적화 된 selectivity를 구현하는데 많은 어려움이 있다. 이로인해 Ru 확산 방지막을 위한 CMP slurry에 대한 연구는 아직 미흡한 수준이다. 본 연구에서는 Ru이 확산방지막으로 사용되었을 때 이를 위한 CMP slurry에 대한 평가와 연구가 이루어졌다. Slurry 조성과 농도 및 pH에 따른 전기 화학적 분석을 통하여 slurry 내에서 각각의 막질들이 어떠한 상태로 존재하는지 분석해 보았다. 또한, Ru을 비롯한 이종막질들의 etch rate, removal rate와 selectivity에 대한 연구가 진행되었다. 최종적으로 Ru 확산방지막 CMP를 위한 최적화된 slurry를 제안하였다.

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선택적 Si 확산을 이용한 저저항층을 갖는 이온주입 GaAs MESFET (Fabrication of ion implanted GaAs MESFET with Si selectively diffused low resistive layer)

  • 양전욱
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D권3호
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    • pp.41-47
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    • 1999
  • SiN로부터 GaAs로 확산된 Si을 이용하여 소스와 드레인 영역에 고농도 Si 확산층을 갖는 GaAs MESFET를 제작하였다. 제작된 MESFET의 소스와 드레인 영역은 950°C, 30초의 열처리에 의해 Si 확산층이 표면에서부터 350Å두께로 형성되어 확산층이 없을 때 1000Ω/sq.정도였던 면저항이 400Ω/sq.로 내외로 감소하였다. 고농도로 확산된 Si은 AuGe/Ni/Au와 GaAs 기판 사이의 저항성 접촉 특성을 2.5×10\sub -6\Ω-cm\sup 2\로부터 1.5×10\sup -6\Ω-cm\sup 2\로 개선시켰다. 제작된 lum게이트 길이의 확산층을 갖는 MESFET는 최대 트랜스컨덕턴스가 260mS/mm 이었으며, 이득과 최소잡음지수는 12GHz에서 각각 8.5dB와 3.57dB를 나타내 같이 제작된 표면 확산 층이 없는 MESFET에 비해 1.3dB와 0.4dB가 향상되었다.

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RF Magnetron Sputtering 방식으로 증착된 W-C-N 확산방지막의 열적 안정성 분석 (Thermal Stability of W-C-N Diffusion Barrier Deposited by RF Magnetron Sputtering Method)

  • 유상철;김수인;이창우
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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    • pp.156-157
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    • 2008
  • 반도체 소자 회로의 집적도가 높아짐에 따라 선폭이 감소하였고 고온 공정이 필요하게 되었다. 기존의 반도체 회로 배선 재료인 Al을 사용할 경우 소자의 속도가 느려져서 소자의 신뢰도가 떨어지고 고온공정에서의 문제가 발생되어 이를 해결하기 위한 차세대 배선 물질로 비저항이 낮은 Cu의 사용이 요구되고 있다. 하지만 Cu는 Si와의 확산이 잘 일어나기 때문에 그 사이에서 확산을 막아주는 확산방지막에 대한 필요성이 제기되었고 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 Cu와 Si사이의 확산을 방지하기 위한 W-C-N 확산방지막을 물리적 기상 증착법(PVD)중 하나인 RF Magnetron Sputtering 방식을 사용하여 증착하였다. 고온 공정에서의 안정성을 알아보기 위해 $600^{\circ}C$ 부터 $900^{\circ}C$ 까지 $100^{\circ}C$ 단위로 열처리를 하였고 4-point probe 장치를 사용하여 열처리 온도에 따른 비저항 측정을 통해 W-C-N 확산방지막의 특성을 분석하였다.

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핀테크 사용에 대한 정보프라이버시 염려와 이용자 저항에 대한 연구: 조절초점성향과의 상호작용 효과 고찰 (Fintech Users' Information Privacy Concerns and User Resistance: Investigating the Interaction Effect with Regulatory Focus)

  • 이애리;안효영
    • 정보보호학회논문지
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    • 제26권1호
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    • pp.209-226
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    • 2016
  • 최근 금융과 IT가 결합된 핀테크에 대한 관심이 증가하고 있다. 현재 핀테크 서비스는 확산 초기 단계에 있으며, 사용 확산을 위한 이슈로서 정보 보안 이슈가 대두되고 있다. 본 연구에서는 핀테크 서비스 실 사용자들이 인지하는 정보프라이버시 염려를 중심으로 사용 저항 정도를 분석하고, 이들에 영향을 주는 요인들로 사회적 영향 정도와 모바일 인터넷 활용 능력을 분석하였다. 특히, 본 연구에서는 사용자의 조절초점성향과 정보프라이버시 염려의 상호작용이 사용자 저항에 미치는 효과를 검증하였다. 이를 통해, 핀테크 서비스에 대한 저항 감소 및 사용 확산을 위한 전략적 시사점을 제공하고자 한다.

분포형 레일건 레일에서의 전류분포 및 실효저항 (Current Distribution and Effective Resistance in the Rail of a Distributed-type Railgun)

  • 임달호;구태만
    • 대한전기학회논문지
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    • 제37권10호
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    • pp.694-701
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    • 1988
  • 분포형 레일건은 전기자가 이동하는 공안 전기자전류를 거의 일정하게 유지할수 있으며 전류공급영성과 전기자 사이의 거리를 최소로 유지할수 있게 한다. 이 논문은 분포형 레일건에서 전류분포실효저항 및 전류의 실효확산 깊이에 영향을 미치는 인자를 규명한 것이다. 정상상태의 간단한 2차원 모델로 부터 레일의 전류분포와 실효저항을 나타내는 식을 유도하였다. 전류의 확산이 불충분한 조건에서 레일의 실효저항은 레일의 상대속도, 투자솔, 전기자와 전류공급영성과의 거리의 1/2승에 비례하고 도전솔의 1/2승에 반비례하였으며, 전류의 실효확산 깊이는 전기자와 전류공급영성과의 거리의 1/2승에 비례하고 투자솔, 도전솔 및 속도의 1/2승에 반비례하였다.

IT수용 및 확산관련 추진동기, IT저항, 변화관리에 관한 다중사례연구: 자동차산업의 PLM적용사례 중심으로 (Multiple Cases Study on the Motivation, IT Resistance and Change Management for IT Acceptance and Diffusion: focused on Automotive Industry PLM Cases)

  • 한석희;이윤철
    • 경영정보학연구
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    • 제10권3호
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    • pp.257-287
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    • 2008
  • IT의 기업 내 수용과 확산의 과정에서 나타나는 추진동기(motivation)와 IT저항 그리고 변화관리의 관계를 Product Lifecycle Management(PLM)를 적용하는 9개 자동차기업의 15개 의 다중사례를 기반으로 다루었다. 이를 통해서 추진동기가 IT의 조직 내 확산에 미치는 영향과 IT저항과의 역학적 관계, 그리고 이 과정에서의 변화관리의 역할과 그 중요성을 고찰하기 위한 탐색적 모델이 제안되었다. 또 추진동기에 영향을 미치는 요인으로서 (1)경쟁, 불확실성, 경향, 상호연결성과 같은 환경적요인, (2)중앙집중성, 규모, 리더, 혁신후원가 및 복잡성과 같은 조직적요인, (3)인지된용의성, 인지된유익성과 같은 기술적 요인들을 살펴보았고, 이와 관련된 주요 명제 6가지를 제안하였다. 여기서 추진동기가 IT저항을 충분히 극복할 경우에 수용 및 확산이 지속되고, 변화관리가 이 과정에서 추진동기에 정(+)의 작용을 하고, IT저항을 줄이는 방향으로 전개되는 것이 중요함이 논의되었으며, 환경요인, 조직요인 및 기술요인이 추진동기에 미치는 영향이 있음이 구체적으로 관찰되었다. 이를 통해서 IT의 조직 내 수용과 확산을 위한 요소들에 대한 정의와 그 시사점을 제시하였고, 특별히 PLM과 관련된 향후의 연구기반을 제공할 수 있었다.

고효율 실리콘 태양전지 구현을 위한 SOD(Spin on doping) 공정 개발 (SOD(Spin on doping) process for high efficiency silicon solar cell)

  • 김병국;이석진;정태환;김정연;박재환;임동건;양계준
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.335-336
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    • 2009
  • 저가격 고효율 실리콘 태양전지를 구현하기 위하여 핵심적으로 적용되는 공정인 SOD(Spin on Doping) 확산공정 최적화에 관하여 연구하였다. n-type 도핑 물질로는 인(P509)을 사용하였으며, Spinning 속도와 Spinning 시간을 각 3000 rpm, 30 초로 고정하고 급속 열처리로에서 확산 온도와 확산 시간을 $800\;^{\circ}C\;{\sim}\;950\;^{\circ}C$, 2 분에서 20 분까지 가변하며 확산공정을 실시하였다. 4-Point Probe 장비로 에미터 표면 저항을 측정한 결과 확산 온도 $850\;^{\circ}C$에서 5분간 열처리 하여 확산 공정을 하였을 때 저가의 고효율 실리콘 태양전지를 구현하는데 적용 하기위한 $30\;{\sim}\;50\;{\Omega}$-sq의 에미터 표면 저항을 만족 시키는 $36\;{\Omega}$-sq의 값을 얻을 수 있었다.

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혼합시멘트 경화체에서의 이온확산에 관한 연구 (A Study on the Diffusion of Ions in Hardened Blended Cement)

  • 방완근;이승헌;김창은
    • 한국세라믹학회지
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    • 제36권3호
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    • pp.260-265
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    • 1999
  • 보통 포틀랜드 시멘트와 플라이애쉬, 슬래그를 혼합한 혼합시멘트 경화체를 이용하여 이온 확산에 미치는 혼합재의 영향과 양이온 공존시 염소이온의 확산에 대하여 고찰하였다. 겉보기 이온확산계수가 보통 포틀랜드의 시멘트보다 플라이애쉬와 슬래그를 혼합한 시멘트 경화체가 약 10-3배로 매우 낮은 값을 나타내었다. 이것은 포졸란 반응에 의해 많은 CSH 수화물이 capillary pore에 형성되어 macro pore가 감소되고 micro pore가 증가되어 이온 확산에 대한 저항이 커졌기 때문이다. 또한, Mg2+이온 공존시에 염소이온의 확산은 증가되었다.

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