• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.130-130
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• 2003

일반적으로 Indium tin oxide (ITO)는 유기EL 소자 제작 공정에서 필수 불가결한 물질로 알려져 있다. ITO는 정공 수송의 기능을 하게 되는데 정공 주입의 효율을 향상시키기 위해서는 ITO 표면의 저 저항화와 ITO/유기박막 접합계면의 일함수 값의 적절한 균형이 중요하다. 그리고 현재 플라즈마를 이용한 ITO 기판의 세정은 산소 래디칼을 이용하여 표면을 산화하는 방식인 산소 플라즈마를 이용한 세정 방법이 널리 이용되고 있다. 본 연구에서는 ITO 표면의 탄소 오염물을 제거하여 저항특성을 향상시키기 위하여 원거리 산소와 수소 플라즈마 세정을 적용하였고, 그에 따른 탄소를 포함하는 오염물의 제거 효율과 산소와 수소 플라즈마로 처리된 ITO 표면의 특징을 기술하였다. 실험에 사용된 플라즈마 소스는 radio-frequency(RF) 플라즈마이고, 원거리 플라즈마 세정 시스템과 표면 분석 장비인 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)가 in-situ로 연결되어 있는 진공장비로 분석을 하였다 플라즈마 세정 전에 전처리 세정을 시행하지 알았으며, 세정 후 in-situ XPS에 의해서 화학 조성 및 결합 구조의 변화를 분석하였다. 또한 일함수와 면저항 값을 측정하고 그에 따른 표면의 저항 특성 및 표면 전위에 관하여 세정 효율과 연관지어 해석하였다. 원거리 산소/수소 플라즈마 세정 후 ITO 표면의 탄소오염물이 검출한계 이하로 효과적으로 제거된 것을 in-situ XPS 분석 결과로 확인하였고, 플라즈마 처리 순서 및 플라즈마 파워를 변화하여 그에 따른 표면의 결합 상태 및 화학 조성의 변화를 비교 분석하였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2002.05a
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• pp.218-221
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• 2002

80년대 반도체 산업의 급격한 성장으로 오늘날 반도체 산업은 반도체소자의 초고집적화, 웨이퍼의 대구경화로 발전이 거듭났으며, 소자의 성능과 생산 수율의 향상을 위하여 실리콘 웨이퍼의 세정하는 기술 및 연구를 계속 진행하고 있다. 기존의 반도체 세정은 과다한 화학약품의 사용으로 비 환경친화적이며, 이에 본 연구에서는 기존의 세정방법을 대체하기 위한 방법으로 환경친화적인 전리수를 이용한 반도체 세정법을 하였다. 이때 실리콘 웨이퍼 표면의 원자적 상태의 변화가 발생하여 다양한 방법으로 확인할 수 있다. 본 연구에서는 이러한 분석을 하기 위하여 기존세정의 화학약품과 전리수로 세정한 웨이퍼의 표면을 비교하였으며, 또한 온도 및 시간별 표면상태변화를 분석하였다. 특히 접촉각 변화에 중점을 두어 변화를 관찰하였으며, 음극수의 경우 17.28。, 양극수의 경우 34.l。의 낮은 접촉각을 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korea Society for Simulation Conference
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• 2001.05a
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• pp.141-141
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• 2001

반도체 제조업 등에서는 제조공정중 화학반응에 의해 제조설비의 부품들이 오염되어 이를 주기적으로 세정해주어야 한다. 일반적으로 반도체 제조설비의 부품은 단가가 비싸서 재고를 많이 보유하지 않기 때문에 전문적인 외부 세정업체는 부품을 설비로부터 반출하여 세정후 반입하는 업무를 최단납기로 반복 수행해야 한다. 이러한 세정업은 여타 제조업과 업무특성이 명확하게 구별되는 독특한 업종이다. 본 연구에서는 세정업에 대하여 공정별 설비용량과 및 가용인력, 그리고 반출입 시간대 등의 제약조건을 고려하여 다양한 운영정책 대안들의 성과를 컴퓨터 시뮬레이션으로 비교, 분석한다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.11 no.4
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• pp.251-257
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• 2001

A present semiconductor cleaning technology is based upon RCA cleaning, high temperature process which consumes vast chemicals and ultra Pure water(UPW). This technology gives rise to the many environmental issues, therefore some alternatives have been studied. In this study, intentionally contaminated Si wafers were cleaned using the electrolyzed water(EW). The EW was generated by an electrolysis equipment which was composed of anode. cathode, and toddle chambers. Oxidative water and reductive water were obtained in anode and cathode chambers, respectively. In case $NH_4$Cl electrolyte, the oxidation-reduction potential(ORP) and pH for anode water(AW) and cathode water(CW) were measured to be +1050mV and 4.7, and -750mV and 9.8, respectively. For cleaning metallic impurities, AW was confirmed to be more effective than that of CW, and the particle distribution after various particle removal processes was shown to be same distribution.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.47 no.6
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• pp.608-613
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• 2003

In order to remove particles on surface of post-oxide CMP wafer, new cleaning solution was prepared by mixing with DHF (Diluted HF), nonionic surfactant PAAE (Polyoxyethylene Alkyl Aryl Ether), DMSO (Dimethylsulfoxide) and D.I.W.. Silicone wafers were intentionally contaminated by silica, alumina and PSL (polystylene latex) which had different zeta potentials in cleaning solution. This cleaning solution under megasonic irradiation could remove particles and metals simultaneously at room temperature in contrast to traditional AMP (mixture of $NH_4OH,\;H_2O_2$ and D.I.W) without any side effects such as increasing of microroughness, metal line corrosion and deposition of organic contaminants. This suggests that this cleaning solution would be useful future application with copper CMP in brush cleaning process as well as traditional post CMP cleaning process.

• Proceedings of the Korean Environmental Sciences Society Conference
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• 2005.05a
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• pp.313-315
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• 2005

비이온성 계면활성제의 화학적 구조에 따른 리모넨의 유화분산시 입경변화와 세정성을 비교검토한 결과 리모넨과 계면활성제의 사용비가 30:1의 소량을 사용하여도 충분한 세정성을 보였으며, 에스테르 구조를 가진 계면활성제가 유화능력이 우수하여 에멀젼 입경이 작고 접착력은 크며, 접촉각이 작아 가장 우수한 세정성을 나타내었다. 그리고 에테르 구조의 계면활성제간 비교로부터 방향족 고리 구조보다 지방족 사슬구조가 에멀젼의 입경이 작고 세정성이 우수하였다. 에멀젼의 안전성은 에스테르계가 가장 우수하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.45 no.2
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• pp.203-207
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• 2007

In this paper efficient method for particle removal from silicon wafers by usage of HF and ozone was studied. It was found that at least 0.3 vol% concentration of HF was required for particle removal and removal efficiency increased with the application of megasonic in ozonated water. Additional cleaning with minute amount of ammonia (0.01 vol%) after HF/Ozone step showed over 99% in removal efficiency. It is proposed that the superior cleaning efficiency of HF-Ozone-ammonia is due to micro-etching of silicon surface and impediment of particle re-adsorption in alkali environment. Compared to SC-1 cleaning method micro roughness has also been slightly improved. Therefore it is expected that HF-ozone-ammonia cleaning method is a viable alternative to the conventional wet cleaning methods.

• Nuclear industry
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• v.8 no.1 s.59
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• pp.77-83
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• 1988

• Clean Technology
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• v.23 no.1
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• pp.34-41
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• 2017

The scrubber wastewater should be replaced frequently to maintain efficiency. Most chemical companies consign scrubber wastewater, because there are no wastewater treatment facilities. So scrubber wastewater is not frequently replaced because of high treatment cost. For this reason, the most scrubber exhaust gas exceeds the odor emission limit or has a phenomenon that the odor intensity of exhaust gas becomes higher. Therefore we have developed a scrubber wastewater cleaning system consisting of filtration and adsorption processes. The scrubber wastewater cleaning system was applied two chemical companies. We evaluated the water quality and odor reduction effect before and after system application. As a result, scrubber wastewater quality improved by 50% or more, odor reduction efficiency of scrubber exhaust gas improved by 20% or more. And the total operating costs of the scrubber could be reduced by 40% or more.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.33 no.10
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• pp.1023-1028
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• 2009

Cleaning is required following CMP (chemical mechanical planarization) to remove particles. The minimization of particle residue is required with each successive technology generation, and the cleaning of wafers becomes more complicated. In copper damascene process for interconnection structure, it utilizes 2-step CMP consists of Cu and barrier CMP. Such a 2-steps CMP process leaves a lot of abrasive particles on the wafer surface, cleaning is required to remove abrasive particles. In this study, the chemical mechanical cleaning(CMC) is performed various conditions as a cleaning process. The CMC process combined mechanical cleaning by friction between a wafer and a pad and chemical cleaning by CMC solution consists of tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) / benzotriazole (BTA). This paper studies the removal of abrasive on the Cu wafer and the cleaning efficiency of CMC process.