• Journal of Welding and Joining
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• v.25 no.2
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• pp.24-30
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• 2007

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2003.10a
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• pp.72-72
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• 2003

• Journal of Korean Society of Steel Construction
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• v.16 no.1 s.68
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• pp.113-121
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• 2004

A test program was conducted on full-scale steel moment connections constructed using a T-stiffener. In the T-stiffener connection, the beam-to-column connection was reinforced with the horizontal and vertical element of the T-stiffener to resist moment under severe cyclic loads. A total of five specimens were tested in this study together with a concrete-filled tubular(CFT) column(${\sqsubset}-500{\times}500{\times}12$) and a steel beam($H-506{\times}201{\times}11{\times}19$). For the specimens, the T-stiffener was combined with RBS (also known as "Dog-bone") detail or Horizontal Element Hole(HEH) detail constructed to enhance deformation capacity. The test program showed excellent seismic performance for specimens constructed with an RBS or an HEH. except the specimens had brittle failure of VE. The test results also showed that the connections all developed maximum moments at the face of the column. Such moments were at least 15% and as much as 36% larger than the plastic moment capacity of the beam. based on the actual yield stress of the beam steel.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.18 no.7
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• pp.179-185
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• 2001

Porthole die extrusion is profitable to manufacture long tube with hollow section. The material through portholes is gathered within chamber and welded under high pressure. This weldability which classifies the quality of tube product is affected by several variables and die shape. But, porthole die extrusion has been executed on the experience of experts due to the complicated die assembly and complexity of metal flow. Analytic approaches that are useful in profitable die design and in the improvement of productivity are inevitably demanded. Therefore, the objective of this study is respectively to analyze the behavior of metal flow and to determine welding pressure of hot extrusion product according to the various billet temperature, bearing length and tube thickness by FE analysis and its results are compared with tube expanding tests.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2010.05a
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• pp.75-75
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• 2010

3D 패키징 기술은 전기소자의 소형화, 고용량화, 저전력화, 높은 신뢰성등의 요구와 함께 그 중요성이 대두대고 있다. 이러한 3D 패키징의 연결방법은 와이어 본딩 또는 플립칩등의 기존의 방법에서 TSV(Through Silicon Via)를 이용하여 적층하는 방법이 주목받고 있다. TSV는 기존의 와이어 본딩과 비교하여 고집적도, 빠른 신호전달, 낮은 전력소비 등의 장점을 가지고 있어 많은 연구가 진행되고 있다. TSV의 세부 공정 중 비아필링(Via filling)기술은 I/O수 증가와 미세피치화에 따른 비아(Via) 직경의 감소 및 종횡비(Via Aspect Ratio)증가로 인해 기존 필링 공정으로는 한계가 있다. 기존의 비아 홀(Via hole)에 금속을 필링하기 위한 방법으로 전기도금법이 많이 사용되고 있으나, 전기도금법은 전기도금액 조성, 첨가제의 종류, 전류밀도, 전류모드 등에 따라 결과물에 큰 차이가 발생되어, 최적공정조건의 도출이 어렵다. 또한 20um이하의 비아직경과 높은 종횡비로 인하여 충진시 void형성등의 문제점이 발생하기도 한다. 본 연구에서는 용융솔더와 진공을 이용하여 비아를 필링시켰다. 이 방법은 관통된 비아가 형성된 웨이퍼 양단에 압력차를 주어, 작은 직경을 갖는 비아 홀의 표면장력을 극복하고, 용융상태의 솔더가 관통된 비아 홀 내부로 필링되는 방법이다. 관통 비아홀이 형성 된 웨이퍼 위에 솔더페이스트를 $250^{\circ}C$이상 온도를 가해 용융상태로 만든 후 웨이퍼 하부에 진공을 형성하여 필링하는 방법과 용융솔더를 노즐을 통하여 위쪽으로 유동시켜 그 위에 비아홀이 형성된 웨이퍼를 접촉하고 웨이퍼 상부에 진공을 형성하여 필링하는 방법으로 실험을 각각 실시하였다. 이 때, 웨이퍼 두께는 100um이하이며 홀 직경은 20, 30um, 웨이퍼 상부와 하부의 진공차는 약 0.02~0.08Mpa, 진공 유지시간은 1~3s로 실시하여 최적 조건을 고찰하였다. 각 조건에 따른 필링 후 단면을 전자현미경(FE-SEM)을 통해 관찰하였다. 실험 결과 0.04Mpa 이상에서 1s내의 시간에 모든 비아홀이 기공(Void)없이 완벽하게 필링되는 것을 관찰하였으며 이 결과는 기존의 방법에 비하여 공정시간을 감소시켜 생산성이 대폭 향상 될 수 있는 방법임을 확인하였다.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2006.05a
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• pp.195-197
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• 2006

The present study examined the characteristics of high speed welding thin metal sheet using single mode fiber laser of averaged maximum output power 300 W. Due to the fiber laser that has a good quality of beam can make a very small focusing beam size, thin metal sheet welding and high speed key hole welding can be peformed by high power density.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2009.10a
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• pp.713-716
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• 2009

In this paper, we propose a vision-based detection of container hole for container location measuring. We use a method for container position using detection of diagonal container holes, because containers have holes that are linked to spreader headblocks. First, we extract images from spreader and detect straight lines to detect container in images using hough transform. Next, proposed method finds positions of cross at the right angles and set candidates of the corner that is linked to spreader headblocks. Finally, this method performs template matching to detect a right corner of containers. Experimental results show that proposed method performed well at detection of container position.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2011.05a
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• pp.196-197
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• 2011

실리콘 태양전지의 pn 접합 계면특성을 조사하기 위해서 p형 실리콘 기판 위에 전기로를 이용한 $POCl_3$ 공정을 통하여 n형의 불순물을 주입하여 pn접합을 만들었다. n형 불순물의 확산되어 들어가는 공정시간이 길고 공정온도가 높을수록 면저항은 줄어들었다. n형 불순물의 주입이 많아질수록 pn 접합 계면에서의 전자친화도가 줄어들면서 면저항은 감소되었다고 할 수 있다. n형 반도체의 페르미레벨이 높아지면서 공핍층도 생기지만 n형 불순물이 많아지면서 공핍층의 폭은 점점 좁아지고 쇼키 장벽의 높이도 낮아지면서 자유전자와 홀 쌍의 이동이 쉽게 이루어지게 되었다. n형의 불순물 확산공정시간이 긴 태양전지 셀에서 F.F. 계수가 높게 나타났으며, 효율도 높게 나타났다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.04b
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• pp.12-14
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• 2009

초전도 DC 마그네트에 영구전류 (Persistent Current)를 흘리기 위해서는 초전도 접합(Superconducting Joint)이 필요하다. 저온 초전도 선재는 초전도 접합이 가능하며 고온 초전도체 중 BSCCO 선재로도 초전도 접합을 만들 수 있다. 그러나 최근 개발되어 향후의 초전도기기에 적용될 2세대 초전도 선재인 ReBCO CC(Coated Conductor)로는 아직 초전도 접합을 만들 수 없다. 본 연구에서는 광폭 선재의 중심을 가르고 양 종단부가 그대로 붙여진 형태의 선재를 이용하여 영구전류를 홀릴 수 있는 고온 초전도 마그네트를 제작하였다. 영구전류 초기 충전을 위하여 1.2 m 길이의 ReBCO 도체 종단부에 스테인리스 히터를 부착하여 영구전류 스위치를 구성하였다. 발생된 자기장의 시간적 균일성을 측정하기 위하여 34 시간동안 홀센서를 사용하여 대기압 액체질소 77.3 K에서 자기장을 측정하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.21 no.9
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• pp.1627-1634
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• 2017

In this work, a junctionless transistor with different film thickness of amorphous InGaZnO has been fabricated and it's instability has been analyzed with different film thickness under positive and negative gate stress as well as light illumination. It was found that the threshold voltage shift and the variation of drain current have been increased with decrease of film thickness under the condition of gate stress and light illumination. The reasons for the observed results have been explained by stretched-exponential model and device simulation. Due to the reduced carrier trapping time with decrease of film thickness, electrons and holes can be activated easily. Due to the increase of vertical channel electric field reaching the back interface with decrease of film thickness, more electrons and holes can be accumulated in back interface. When one decides the film thickness for the fabrication of junctionless transistor, the more significant device instability with decrease of film thickness should be consdered.