Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.17
no.6
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pp.255-261
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2016
$CaCO_3$ was applied in various industries including rubber, plastics, paint, paper, food additives, and acid neutralizer, etc., owing to its excellent physical and chemical characteristics as well as various appearances of crystals and many reserves. In particular, research on controlling the structure and shape of $CaCO_3$ has attracted considerable attention recently, because the whiteness and physical characteristics of $CaCO_3$ depend on the size and shapes of the particles. In this study, $CaCO_3$ was synthesized using $CaCl_2$ and $(NH4)_2CO_3$, which has multi-shapes and structures, using a self-assembly method with a hydrothermal method. The structure and morphology of the $CaCO_3$ could be controlled by adjusting the pH and precursor concentration. In particular, the pH adjustment appeared to be a critical factor for the morphology and crystal form. In addition, the calcite and cubic shape were obtained at pH 7, while the mixed calcite, aragonite structure, and rod shapes appeared at pH 7 and over. Through an analysis of the particle formation process, the formation of the calcium carbonate particles was confirmed. The physicochemical properties of the synthesized $CaCO_3$ were analyzed by SEM, XRD, EDS, FTIR, and TG/DTA.
Yttia-doped ceria-stabilized ziconia polycrystals(Ce-TZP) was prepared by dipping method and its microstructure was investigated. By controlling doped-yttria content and annealing condition, yttria-doped Ce-TZP showed the microstructure with irregular grain shape and undulated grain boundary. Irregularity of grain shape increased with the amount of yttria doped, and severe undulated grain boundary was observed mainly at the surface region. In the case of yttria-doped Ce-TZP annealed at 1$650^{\circ}C$ for 2h after two dipping times into yttrium nitrate solution of 0.2M, it showed irregular grain shape both at the surface and at the interior region as well as the most severe irregularity. Hot pressed specimen had mean grain size of 0.3$\mu\textrm{m}$ and undulated grain boundary. All specimens with irregular grain shape were retained the tetragonal phase. The fracture toughness of yttria-doped Ce-TZP with irregular grain shape was over the value of 17.6MPa.m(sup)1/2.
Park, Jung-Ho;Lee, Hu-Seung;Lee, Jae-Jong;Yun, So-Nam;Ham, Young-Bog;Jang, Sung-Cheol
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.35
no.9
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pp.1015-1020
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2011
Nanoimprint lithography has been actively investigated. This method can replicate a nanopatterned master stamp onto a thin polymer film on a silicon substrate and so on. In this study, a square-shaped hollow piezoelectric actuator is presented, which is newly developed. This actuator is used for driving a nanoscale stamp in nanoimprint lithography instead of a conventional electric motor. The fabricated prototype actuator has 95 layers and side lengths of 23 mm and 18 mm for the outer and inner squares, respectively. By adopting a novel process instead of the conventional forming process for fabricating a one-layer actuator, the one-layer is composed of four rectangular segments produced by sawing a ceramic film with a thickness of 0.3 mm. The basic characteristics on displacement and generation force of the fabricated prototype actuator are experimentally investigated. Furthermore, the displacement characteristics obtained by using a PI controller are tested and discussed.
Kim, Bo Yeon;Lee, Yoon Joo;Shin, Dong-geun;Kim, Soo Ryong;Kwon, Woo Teck;Kim, Younghee;Choi, Duck Kyun
Korean Chemical Engineering Research
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v.53
no.5
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pp.603-608
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2015
Alumina powder have been expanded its application in industry and required to control its morphology such as powder size and aspect ratio of single particle. It can be synthesized by molten - salt method which is possible to obtain various shapes of ceramic particles by controlling the growth direction because each crystal face has different growth rate. In this study, various combinations of salts such as NaCl, $Na_2SO_4$, $Na_3PO_4$ and their mixture were used for control the growth of plate like alumina particle from the initial stage of synthesis because salt having different ionic strength can control the growth direction of ceramic particle under its melting condition around $800{\sim}900^{\circ}C$, and growth behavior of plate-like alumina particle with different reaction conditions such as temperature and concentration on the crystal size and shape was studied.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.165.2-165.2
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2016
빗각 증착이란 입사 증기가 기판에 수직하게 입사하는 일반적인 공정과는 다르게 증기가 기판의 수직선과 $0^{\circ}$이상의 각을 갖는 증착 방법을 의미한다. 본 연구는 공정 압력이 비교적 높은 스퍼터링 공정에서 빗각 증착을 실시하여 코팅층의 구조제어가 가능한지를 확인하였다. 본 연구에서는 조직의 치밀도 향상을 통한 특성 향상을 위해 TiN 박막을 제조함에 있어서 빗각 증착 기술을 응용하여 단층 및 다층 피막을 제조하고 그 특성을 비교하였다. 스퍼터 소스에 장착된 타겟의 크기는 6"이며, 99.5% Ti 타겟을 사용하였고, Ar 가스 분위기에서 기판으로 사용된 Si(100) 위에 코팅하였다. 기판과 타겟 간의 거리는 10 cm이며, 기판은 알코올과 아세톤으로 초음파 세척을 실시한 후 진공챔버에 장착하고 < $2.0{\times}10-5Torr$ 까지 진공배기를 실시하였다. 진공챔버가 기본 압력까지 배기되면 Ar 가스를 주입한 후 RF 파워에 약 300V의 전압을 인가하여 글로우 방전을 발생시키고 약 30분간 청정을 실시하였다. 기판의 청정이 끝난 후 다시 < $2.0{\times}10-5Torr$까지 진공배기를 한 후 Ar 가스를 주입하여 TiN 코팅을 실시하였다. 빗각 증착을 위한 기판의 회전각은 $70^{\circ}$, $80^{\circ}$와 $-70^{\circ}$, $-80^{\circ}$이며, TiN 박막의 총 두께는 약 $3.5{\sim}4{\mu}m$로 유지하였다. 스퍼터링을 이용한 TiN 박막의 빗각 증착 코팅을 실시하였으며, 공정조건에 따라 주상정이 자라는 모습과 기울어진 각도가 다른 구조를 갖는 박막이 제조되는 것을 확인할 수 있었다. 빗각증착을 실시하는 중에 기판 홀더에 약 -100 V의 전압을 인가하면 인가하지 않은 막에 비해 치밀한 박막이 성장한다는 사실을 확인하였다. 박막의 성능향상을 위하여 스퍼터 시스템에서 빗각 증착을 이용한 TiN 박막 형성을 실시하였다. SEM 단면 이미지에서 확인해본 결과 주상정이 자라는 형상이 공정 압력이 5 mTorr에서 2 mTorr로 낮아짐에 따라 상대적으로 치밀하면서 일정한 형태로 성장하는 것을 확인하였다. 본 연구를 통해 스퍼터링을 이용한 빗각 증착의 Structure Engineering 이 가능함을 확인하였으며 박막의 성능을 향상시키는 기술로서 응용 가능할 것으로 보인다.
Kim, Kuk-Se;Lee, Jeong-Gi;Song, Gi-Beom;Kim, Choong-Won;Lee, Joon
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.8
no.5
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pp.1096-1101
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2004
The 3-D shape use to effect of movie, animation, industrial design, medical treatment service, education, engineering etc.... But it's not easy to make 3-D shape from the information of 2-D image. There are two methods in restoring 3-D video image through 2-D image; First the method of using a laser; Secondly the method of acquiring 3-D image through stereo vision. Instead of doing two methods with many difficulties, I figure out the method of simple 3-D image in this research paper. We present here a simple and efficient method, called direct calibration, which doesn't require any equations at all. The direct calibration procedure builds a lookup table(LUT) linking image and 3-D coordinates by a real 3-D triangulation system. The LUT is built by measuring the image coordinates of a grid of known 3-D points, and recording both image and world coordinates for each point; the depth values of all other visible points are obtained by interpolation.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.80-80
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1999
플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 공정을 간단히 하기 위하여 포토레지스트, ITO, 격벽재료를 Ar+ laser(λ-514 nm, CW)와 Nd:YAG laser(λ=532, 266nm, pulse)로 직접 패터닝 하였다. 레이저에 의한 포토레지스트의 패턴결과, 아르곤 이온 레이저의 포토레지스트 가공의 반응 메카니즘은 레이저 빔의 열에 의한 시료 표면의 국부적인 온도상승에 의한 용융작용이며, 그 결과 식각 후 형성된 패턴의 단면 모양도 레이저빔의 profile과 같은 가우시안 형태를 나타낸다. Nd:YAG 레이저의 4고조파(532nm)를 이용한 경우 200$\mu\textrm{m}$/sce의 주사속도에서 포토레지스트를 패턴하기 위한 임계에너지(threshold energy fluence) 값은 25J/cm2이며, 약 40J/cm2의 에너지 밀도에서 하부기판의 손상이 발생하기 시작하였다. 글미 1은 Nd:YAG 레이저 4고조파를 이용하여 포토레지스트를 식각한 경우 SEM 표면사진(위)과 단차특정기에 의한 단면형상(아래)이다. ITO 막의 레이저에 의한 직접 패턴 결과, ITO 막은 레이저 펄스에 의한 급속 가열 및 증발에 의한 메커니즘으로 식각이 이루어지며, 레이저 파장에 따른 광흡수 정도의 차이에 의해 2고조파 (532nm)에서 ITO 막의 가공 품질이 4고조파(266nm)에 비해 우수하며 패턴의 폭도 출력에 따라 제어가 용이하였다. 그림 2는 Nd:YAG 레이저 2고조파를 이용하여 ITO를 식각한 경우 SEM표면 사진(위)과 단차측정기에 의한 단면형상(아래)이다. 격벽 재료의 레이저에 의한 직접 패턴 결과, Ar+ 레이저(514nm)는 출력 밀도 32NW/cm2에서 격벽을 유리 기판의 경계면까지 식각하였다. Nd:YAG 레이저(532nm)는 laser fluence가 6.5mJ/cm2에서 격벽을 식각하기 시작하였으며, 19.5J/cm2에서 유리기판의 rudraus(격벽 두께 130$\mu\textrm{m}$)까지 식각하였다.
In this study, the characteristics of amorphous silicon etching for the formation of gate electrodes have been evaluated at the variation of several process parameters. When total flow rates composed of $Cl_2/HBr/O_2$ gas mixtures increased, the etch rate of amorphous silicon layer increased, but critical dimension (CD) bias was not notably changed regardless of total flow rate. As the amount of HBr in the mixture gas became larger, amorphous silicon etch rate was reduced by the low reactivity of Br species. In the case of increasing oxygen flow rate, etch selectivity was increased due to the reduction of oxide etch rate, enhancing the stability of silicon gate etching process. However, gate electrodes became more sloped according to the increase of oxygen flow rate. Higher source power induced the increase of amorphous silicon etch rate and CD bias, and higher bias power had a tendency to increase the etch rate of amorphous silicon and oxide.
Image warping is a technology to transform input images to be suitable for given conditions and has been recently utilized in changing face shape of characters in the field of movies or animation. Mesh warping which is one of warping methods that change shapes based on the features of face forms warping images by forming rectangular mesh groups around the eyes, nose, and mouth and matching them 1:1. This method has a problem in the resultant images are distorted in the segments of boundaries between meshes when there are errors in mesh control points or when meshes have been formed as many small area meshes. This study proposes a triangle based image interpolation technique to minimize the occurrence of errors in the process of forming natural warping images of face and process accurate results with a small amount of arithmetic operation and a short time. First, feature points that represent the face are found and these points are connected to form basic triangle meshes. The fact that the proposed method can reduce errors occurring in the process of warping while reducing the amount of arithmetic operation and time is shown through experiments.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.125-125
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2012
물리증착(physical vapor deposition; PVD)은 진공 또는 특정 가스 분위기에서 고상의 물질을 기화시켜 기판에 피막을 형성하는 방법으로 증발과 스퍼터링 그리고 이온플레이팅 등이 있다. PVD 방법으로 박막을 제작하면 대부분의 박막은 주상정 구조로 성장하게 된다. 이러한 주상정의 조직을 제어하는 방법으로 빗각 증착(oblique angle deposition; OAD) 기술이 있다. OAD는 타겟(증발원)에 대해서 기판을 평행하게 배치하는 일반적인 코팅방법과는 달리 기판의 수직성분과 타겟의 수직성분이 이루는 각도가 0도 이상이 되도록 조절하여 기판을 기울인 상태로 코팅하는 방법을 말한다. OAD 방법을 이용하면 기판으로 입사하는 증기가 초기에 생성된 핵(seed)에 의해 shadowing이 발생하면서 증기가 수직으로 입사하는 normal 증착과는 다른 형상의 성장 조직이 만들어지게 된다. 본 논문에서는 OAD 방법을 이용하여 Al과 TiN 박막을 제조하고 그 특성을 비교하였다. Al 박막은 UBM (Un-Balanced Magnetron) 스퍼터링 소스를 이용하여 빗각을 각각 0, 30, 45, 60 및 90도의 각도에서 강판 및 실리콘 웨이퍼 상에 시편을 제조하되 단층 및 다층으로 시편을 제조하고 치밀도와 함께 조도와 반사율을 비교하고 염수분무시험을 이용하여 내식성을 평가하였다. TiN 박막은 Cathodic Arc 방식을 이용하되 Al 박막과 동일한 방법으로 코팅을 하고 내식성 및 경도 등의 특성을 비교하였다. TiN 박막은 경사각이 커지면서 경도가 낮아졌으나 바이어스 전압을 이용하여 다층으로 제조함에 의해 경도는 유지하면서 modulus를 낮출 수 있어서 박막의 신뢰성을 나타내는 H3/E2 값은 증가함을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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