• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2008.06a
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• pp.129-130
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• 2008

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.398-398
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• 2011

텍스처링은 입사된 태양빛을 산란시켜 보다 많은 포톤이 흡수층에 흡수하도록 하여 태양전지의 효율이 증대되기 때문에 텍스처링과 관련된 다양한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 ICP 플라즈마 장치를 이용하여 바이어스 유무에 따른 유리기판에 텍스처링을 진행하였다. 텍스처링 된 유리기판에 Boron이 도핑된 ZnO 박막을 MOCVD로 증착하여 각 투명전극의 광학적 특성을 분석하였다. 또한 투명전극이 증착된 기판에 박막실리콘 태양전지를 제작하여 텍스처링 특성에 따른 태양전지 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.11a
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• pp.168-168
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• 2015

플라즈마를 이용하여 PET표면에 나노구조를 형성시킨 후 무전해 도금에 의해 구리를 코팅함으로써 플랙서블한 Cu/PET 기판을 제조하였다. 플라즈마 에칭시간을 달리하여 나노구조의 크기와 모양을 변화시켰으며 나노구조의 크기와 모양의 변화에 따른 Cu와 PET의 접합강도와 피로특성을 평가하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.328-328
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• 2011

전기장 E와 자기장 B가 서로 수직으로 인가된 플라즈마에서 전자와 이온의 이동 현상은 이미 널리 알려져 있다. 그런데 최근 플라즈마 응용 산업의 발달에 따라 음이온을 포함한 플라즈마에서 나노미립자의 운동에 대한 해석이 필요하다. 특히 실리콘 박막의 에칭, 스퍼터링, PECVD 등의 공정에 사용되는 실란 플라즈마에서 음이온의 발생에 따른 오염은 주요한 문제가 된다. 따라서 본 연구에서는 이러한 음이온을 제거하기 위해 E${\times}$B 드리프트 운동을 이론적으로 계산 하였다. 결과적으로 음으로 대전된 나노미립자는 E${\times}$B 드리프트 운동의 반대 방향으로 이동 하였고, 드리프트 속도는 자속밀도가 증가함에 따라 함께 증가됨을 보였다. 따라서 서로 수직으로 인가된 전자기장에 의한 E${\times}$B 드리프트 운동을 통해 음이온을 방전 공간에서 제거할 수 있음을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1997.10a
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• pp.29-29
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• 1997

화학반응 또는 화학증착분야에 주로 이용해 오던 유도플라즈마를 이용하여 고밀도의 두꺼운 세라믹 침적물을 제조하였다. Yttria Stabilized Zirconia 분말을 이용하여 최적조건에서 두께 약 5mm, 이론밀도 90% 이상의 침적물을 얻었다. 실험변수는 플라즈마 가스조성, 플라즈마동력, 입자의 크기, 용사거리 등으로 하였으며, 각각의 실험조건에서 용사된 spherodized particle을 수집하여 각 실험조건에서 용융된 입자의 상태를 비교하였다. 또, 침적물의 표면을 에칭시켜 각 실험조건에서의 침적상태를 관찰 및 비교하여 각각의 실험변수가 침적물의 밀도에 미치는 영향을 관찰하였다. 실험결과 높은 밀도의 침적물을 만들기 위해서는 분말의 용융상태, 용사챔버 내부압력, 분말분사거리가 중요한 변수임을 알 수 있었다. 실험에서 얻어진 결과는 ANOVA 통계기법으로 분석하여 단일변수의 영향뿐만 아니라 이들 영향이 서로 조합하여 결과에 미치는 조합효과도 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2002.02a
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• pp.152-152
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• 2002

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.133-133
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• 2000

알루미늄 산화막은 알루미늄 전해 커패시터의 유전재료로 많이 사용되고 잇다. 기존의 생산 공정은 양극 산화법에 의한 산화막 형성으로 대부분이 이러한 습식 공정으로 생산되고 있다. 이 양극 산화법 방식은 장점도 있으나 폐기물이 많이 발생되는 단점이 있다. 본 연구에서는 폐기물의 발생을 획기적으로 줄일 수 있고 산화막 형성 효율을 높일 수 잇는 방식으로 activated reactive evaporation(ARE)을 도입하였다. 이 방식은 electron-beam에 의해 알루미늄을 증착시킬 때 plasma를 챔버 내에 발생시켜 활성 반응으로 알루미늄 원자가 산소와 반응하여 기판위에 Al2O3가 증착되는 것이다. 이 방식은 기계적 작동이 단순하고 증착이 되는 여러 변수들의 독립적 조절이 가능하므로 증착을 제어하기 쉽기 때문에 바로 산업 현장에서 적용될 수 있을 것으로 전망되어 본 연구에 도입하게 되었다. 기판은 유전용량을 증가시키기 위하여 알루미늄 원박을 에칭하였다. 이것은 기판으로 쓰일 알루미늄의 표면의 표면적을 증가시키기 위한 것으로, 알루미늄 전극의 표면적을 확대시키면 유전용량이 증가된다. 99.4%의 50$\mu\textrm{m}$와 60$\mu\textrm{m}$ 두께의 알루미늄 원박을 Ar 이온빔에 의해 1keV의 에너지로 20mA로 에칭을 하였다. 에칭 조건별로 에칭상태를 조사하였다. 에칭 후 표면 상태는 AFM으로 관찰하였다. 화성 실험은 진공 챔버 내의 진공을 약 10-7 torr까지 내린 후, 5$\times$10-5 torr까지 O2와 Ar을 주입시킨 다음 filament에서 열전자를 방출시키고 1.2 kV의 electrode에 의해 가속시켜 이들 기체들의 플라즈마를 발생시켰다. e-beam에서 증발된 알루미늄과 활성 반응을 이루어 기판에 Al2O3가 형성되었다. 여러 증착 변수들(O2와 Ar의 분압, 가속 전압, bias 전압 등)과 산화막의 상태 등을 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy), AFM(Atomic Force Microscopy), XRD(X-Ray Diffraction), EXD로 조사하였다.

• Elastomers and Composites
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• v.35 no.4
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• pp.296-302
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• 2000

The surfaces of injection and pressure-molded sheets of poly(ethylene-covulylacetate)(EVA) foams used for shoe mid-sole were treated with low temperature plasma to improve adhesion with a water-based polyurethane adhesives. Several experimental variables were considered, such as radio frequency power, treating time, type of gas. gas flow, and distance between electrode and sample. The modificated surface by plasma treatment were characterized using contact angle meter, scanning electron microscopy(SEM), universal testing machine(UTM). Adhesion was tested by T-peel tests of treated EVA foams/polyurethane adhesive joints. The treatment in the low temperature plasma produced a noticeable decrease in contact angle. The peel strength of EVA foams treated with plasma was increased with plasma treating time, and gas flow.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.7
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• pp.661-670
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• 1996

리모트 수소 플라즈마를 이용하여 실리콘 웨이퍼 표면 위에 있는 금속불순물의 제거 및 제거기구에 관하여 조사하였다. 실리콘의 표면과 내부분석을 위하여 TXRF(total reflection x-ray fluorescence)와 SPV(surface photovoltage), AFM(atomic force microscope)을 사용하였다. TXRF 분석결과 리모트 수소 플라즈마가 금속오염물질 제거에 상당한 효과가 있는 것으로 나타났다. TXRF분석결과 리모트 수소 플라즈마가 금속오염물질 제거에 상당한 효과가 있는 것으로 나타났다. 리모트 수소플라트마 처리 후 금속오염은 금속원소의 종류에 따라 1010atoms/$\textrm{cm}^2$-1011atoms/$\textrm{cm}^2$수준이었다. SPV분석결과를 보면 수소 플라즈마 처리에 의해 minority carrier 수명이 전반적으로 증가하였다. AFM 분석을 통하여 수소 플라즈마 처리가 표면 손상을 일으키지 않으며 표면의 거칠기에 나쁜 영향을 미치지 않음을 알 수 있었다. 또한 본 실험에서 나타난 결과들을 종합해 볼 때 금속오염물의 제거기구는 자연산화막 혹은 수소로 passivate된 실리콘 웨이퍼 표면을 수소 플라즈마에서 발생된 수소원자가 실리콘표면을 약하게 에칭할 때 떨어져 나가는 'lift-off'가 유력한 것으로 판단된다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.6 no.1
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• pp.99-102
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• 2002

Pinholes on the thermally grown oxide, which is called gate oxide, on silicon substrate under polysilicon layer are found and its mechanism is analyzed in this paper. The oxide under a polysilicon layer is broken during the plasma etching process of other polysilicon layer. Both polysilicon layers are separated with 0.8${\mu}{\textrm}{m}$ thick oxide deposited by CVD (Chemical Vapor Deposition). Since broken oxide points are found scattered around an arc occurrence point, it is assumed that an extremely high electric field generated near the arc occurrence point makes the gate oxide broken. 1'he arc occurrence point has been observed on the alignment key and is the mark of low yield. It is found that any arc occurrence can cause chips to fail by breaking the gate oxide, even if are occurrence points are found on scribeline.