• 한국전자파학회논문지
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• 제21권7호
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• pp.831-841
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• 2010

일반적으로 수직형 프로브는 가늘고 긴 S-자형 구조가 중복되기 때문에 신호 전달 특성이 저하되므로 이것에 대한 개선이 필요하다. 본 논문에서 제안된 프로브는 캔틸리버형보다 적은 면적을 차지하는 수직형으로 동시에 많은 메모리를 테스트하기에 적합하며, 특히 외부 압력이 가해졌을 때 분기된 스프링에 의해 폐 루프(closed loop)가 형성되어 기존의 S-자형 수직형 프로브보다 기계적 특성뿐만 아니라 전기적 신호 전달 특성이 개선된 새로운 형태의 수직형 프로브를 제안하였다. 제안된 프로브를 제작하여 측정 및 시뮬레이션을 통해 기존의 S-자형 수직형 프로브보다 오버드라이브(overdrive)는 1.2배, 컨택 포스(contact force)는 2.5배, 신호 전달특성은 $0{\sim}10$ GHz에서 최대 1.4 dB 개선되는 것을 확인하였다. 또한 프로브 카드(probe card)의 신호 전달 특성을 예측할 수 있는 시뮬레이션 모델을 개발하였다. 이를 위하여 프로브 카드를 구성하는 각 부품의 기하학적 특성에 맞도록 2.5D 또는 3D Full-wave 시뮬레이터를 사용하였으며, 계산된 결과는 측정 결과와 매우 잘 일치 하였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.195-196
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• 2007

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.137-137
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• 2013

본 연구에서는 반도체 검사 장비인 프로브 카드의 핵심 부품인 프로브 니들의 팁 부분의 내마모성을 향상시키기 위하여 무전해 Ni-B-W 합금 도금 실험을 실시하였다. 무전해 Ni-B-W 합금 도금 실험에서 여러 가지 제어인자 중 도금욕의 pH와 온도 그리고 환원제의 농도 등을 변수로 하였다. 도금욕 pH와 온도에 따른 전착속도 및 물성 변화를 관찰하였으며, 환원제 농도 변화에 의한 open circuit potential의 변화를 측정하였다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회A
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• pp.1718-1723
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• 2007

The Probe Card is a test component which is to classify the good semiconductor chips before the packaging. The yield of semiconductor product can be better from analysis of probe test information. Recently the technology of the probe card needs narrow width and large amount of probe tip. In this research, the probe tip based on the MEMS(micro electro mechanical system) technology was designed and fabricated to improve the reliability of the test and to meet 2-dimensional Array of tip. The mechanical and electrical properties of proposed tip were evaluated and it has over 100,000 of repetition times in the condition of 5gf, $20{\mu}m$ Over Drive.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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• pp.140-140
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• 2012

로듐은 열전도성 및 전기전도도가 우수할 뿐 아니라 산/알칼리에 잘 부식되지 않으며 강한 내구성을 지니고 있어서 장식 및 액세서리의 표면처리 및 각종 전기/전자산업의 부품으로 널리 이용되어지고 있다. 본 연구에서는 반도체 검사 장비인 프로브 카드에 조립되어 있는 프로브 니들의 내마모성을 향상시키기 위하여 로듐도금의 특성을 연구하였다. 로듐의 이온 공급원으로 Rhodium sulfate 를 사용하였다. 시편은 황동 시편($0.5cm{\times}2cm$)을 사용하였다. 로듐 도금 시 여러 가지 제어인자 중도금욕의 온도(상온, $40^{\circ}C$, $60^{\circ}C$)와 황산농도(10ml/l, 50ml/l, 100ml/l) 그리고 전류밀도(0.2ASD, 0.5ASD, 1.0ASD)를 변수로 하여 실험을 하였다. 각각의 변수에 따라 전류 효율 및 전착 속도를 분석하였으며, 현미경을 이용하여 표면을 관찰하였다. 그리고 비커스 경도계를 이용하여 경도를 측정하였다.

• 기술혁신학회지
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• 제17권3호
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• pp.490-518
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• 2014

본 연구는 전자부품연구원과 반도체 테스트용 프로브카드 회사간 기술이전 사례를 중심으로 기술이전이 사업화 성과까지 연계되기 위해 필요한 요인들을 분석하였다. 이러한 연구를 통해 실제 현장에서 가장 영향력 있는 기술이전의 성공요인을 살펴보고 정부정책과 기업전략 측면에서 기술이전과 기술사업화 성과를 창출하는 것을 주요 목적으로 한다. 국내외 선행연구 분석, 프레임워크 설정, 사례분석의 과정을 거쳐 기술 수요자, 기술 공급자, 이전 기술, 기술이전 과정 특성의 4가지 측면에서 시사점을 도출하였다. 연구결과 기술 수요자 특성은 신기술 이전획득전략 및 추진의지/보완 자산과 흡수 능력, 기술 공급자 특성은 기술이전 및 사업화 경험/기술이전과 연계한 사업화 지원의지/풍부한 이전 대상 기술군, 이전 기술 특성은 연구개발단계 및 기술분야/기존 기술과의 연계성, 기술이전 과정 특성은 기술이전 전담조직의 지원활동/기술 이전과정의 적극적 참여 등이 성공요인으로 도출되었다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회A
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• pp.1730-1733
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• 2007

As semiconductor and MEMS devices become smaller, testing process during their production should follow such a high density trend. A circuit inspection tool "probe card" makes contact with electrode pads of the device under test (DUT). Nowadays, electrode pads are irregularly arranged and have height difference. In order to absorb variations in the heights of electrode pads and to generate contact loads, contact probes must have some levels of mechanical spring properties. Contact probes must also yield a force to break the surface native oxide layer or contamination layer on the electrodes to make electric contact. In this research, new vertical micro contact probe with bellows shape is developed to overcome shortage of prior work. Especially, novel bellows shape is used to reduce stress concentration in this design and stopper is used to change the stiffness of micro contact probe. Variable stiffness can be one solution to overcome the height difference of electrode pads.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권9호
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• pp.825-831
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• 2006

As an increase of chip complexity and level of chip integration, chip input/output (I/O) pad pitches are also drastically reduced. With arrival of high complexity SoC (System on Chip) and SiP (System in Package) products, conventional horizontal type probe card showed its limitation on probing density for wafer level test. To enhance probing density, we proposed new vertical type probe card that has the $70{\mu}m$ probe needle with tungsten wire in $80{\mu}m$ micro-drilled hole in ceramic board. To minimize alignment error, micro-drilling conditions are optimized and epoxy-hardening conditions are also optimized to minimize planarity changes. To apply wafer level test for target devices (T5365 256M SDRAM), designed probe card was characterized by probe needle tension for test, contact resistance measurement, leakage current measurement and the planarity test. Compare to conventional probe card with minimum pitch of $50{\sim}125{\mu}m\;and\;2\;{\Omega}$ of average contact resistance, designed probe card showed only $22{\mu}$ of minimum pitch and $1.5{\Omega}$ of average contact resistance. And also, with the nature of vertical probing style, it showed comparably small contact scratch and it can be applied to bumping type chip test.

• 제어로봇시스템학회논문지
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• 제14권4호
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• pp.361-364
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• 2008

Tips of probe card were fabricated using MEMS technology. P-type silicon wafer with $SiO_2$ layer was used as a substrate for fabricating the probe card. Ni-Cr and Au used as seed layer for electroplating Ni were deposited on the silicon wafer. Line patterns for probing devices were formed on silicon wafer by electroplating Ni through mold which formed by MEMS technology. Bridge structure was formed by wet-etching the silicon substrate. AZ-1512 photoresist was used for protection layer of back side and DNB-H100PL-40 photoresist was used for patterning of the front side. The mold with the thickness of $60{\mu}m$ was also formed using THB-120N photoresist and probe tip with thickness of $50{\mu}m$ was fabricated by electroplating process.

• 한국정밀공학회지
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• 제18권2호
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• pp.111-118
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• 2001

Tungsten probe is the most important part of a probe card, which is widely used for the performance test of wafer chips. Electro chemical etching becomes an exclusive choice for mass production of the tungsten probes. In the mass production, not only the shape of the probe but also the shape distribution of machined probes is important. A new method is proposed for the mass production of the tungsten probes. Tungsten wires are separated by a distance, and dipped into electrolyte. The dipping rate is controlled to shape the probes. Several experimental tests are performed to study the machining characteristics. From the test results, machining parameters including electrical conditions and anode position showed significant influences on the shape, repeatability, precision and quality of sharp tips.