• Journal of the Korean Society of Radiology
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• v.12 no.1
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• pp.1-7
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• 2018

$^{68}Ga$ was eluted from a $^{68}Ge/^{68}Ga$ radionuclide generator. $^{68}Ga$ decays into $^{68}Zn$, with a half life=67.8min. The decay is 88.9 % by ${\beta}$+ and 11.1 % by EC. The main ${\beta}$+ decay (87.7 %) is to the ground level of $^{68}Zn$ and it is a pure positron emission branch. A small fraction decays ${\beta}$+ (1.2 %) into an excited level of $^{68}Zn$, which promptly decays into the ground level with a ${\gamma}$ (1.077 Mev). This can constitute prompt gamma contamination in the PET data, if the 1.077 Mev ${\gamma}$ has a scatter interaction in the patient, and generates a lower energy ${\gamma}$ in coincidence with the positron annihilation pair. The purpose of this study was to evaluate standardized uptake value(SUV) before and after applying prompt gamma rays correction on $^{68}Ga$-DOTATOC PET/CT image. Fifty patient underwent PET/CT 1 hour after injection of the $^{68}Ga$-DOTATOC. The SUVmax and SUVmean of lesions and normal tissues (Pituitary, Lung, Liver, Spleen, Kidney, Intestine) were evaluated before and after applying prompt gamma correction on $^{68}Ga$-DOTATOC PET/CT image. Additionally, the SUVmax of each lesions and SUVmean of the soft tissues were measured on images. and target to background ratios (TBR) were calculated as quantitative indices. Among 15 patients, 25 of lesions (Pancreas, Liver, Thoracic Spine, Brain) with increased uptake on $^{68}Ga$-DOTATOC PET/CT image. SUVmax and SUVmean were increased in lesion site and normal tissue after prompt gamma rays correction. TBR was $51.51{\pm}49.28$ and $55.50{\pm}53.12$ before and after prompt gamma rays correction, respectively. (p<0.0001)

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.113-113
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• 2000

직접천이형 wide band gap(3.4eV) 반도체중의 하나인 GaN를 청색 및 자외선 laser diode, 고출력 전자장비 등으로 응용하기 위해서는 낮은 접합저항을 갖는 Ohmic contact이 선행되어야 한다. 그러나 만족할만한 p-type GaN의 Ohmic contact은 아직 실현되고 있지 못하며, 이는 GaN와 접합 금속과의 구체적인 반응의 연구를 필요로 한다. 본 연구에서 앞서 Pt, Pt, Ni등의 late transition metal을 p-GaN에 접합시킨 결과 이들은 접합 당시 비교적 평탄하나 후열 처리과정에서 비교적 낮은 온도에서 기판과 열팽창계수의 차이로 인하여 평탄성을 잃어버리면서 barrier height가 증가한다는 사실을 확인하였다. 따라서 본 연구에서는 이러한 열적 불안정성을 극복하기 위하여 Ni과 Pd를 차례로 증착하고 가열하면서 interfacial reaction, film morphology, Fermi level의 움직임을 monchromatic XPS(x-ray photoelectron spectroscopy) 와 SAM(scanning Auger microscopy) 그리고 ex-situ AFM을 이용하여 밝히고자 하였다. 특히 후열처리에 의한 계면 반응에 수반되는 구성 금속원소 간의 합금현상과 금속 층의 평탄성이 밀접한 관계가 있다는 것을 확인하였다. 이러한 합금과정에서 나타나는 금속원소들의 중심 준위의 이동을 체계적으로 규명하기 위해서 Pd1-xNix와 Pd1-xGax 합금들의 표준시료를 arc melting method로 만들어 농도에 따른 금속원소들의 중심 준위의 이동을 측정하여, Pd/Ni/p-GaN 및 Ni/Pd/p-GaN 계에서 열처리 온도에 따른 interfacial reaction을 확인하였다. 그 결과 두 계가 상온에서 nitride 및 alloy를 형성하지 않고 고르게 증착되고, 열처리 온도를 40$0^{\circ}C$에서 $650^{\circ}C$까지 증가시킴에 따라 계면반응의 부산물인 metallic Ga은 증가하고 있으마 nitride는 여전히 형성되지 않는 것을 확인하였다. 증착당시 Ni이 계면에 있는 Pd/Ni/p-GaN의 경우에는 52$0^{\circ}C$까지의 열처리에 의하여 Ni과 Pd가 골고루 섞이고 그 평탄성도 유지되고 barier height의 변화도 없었다. 더 높은 $650^{\circ}C$ 가열에 의해서는 surface free energy가 작은 Ga의 활발한 편석 현상으로 인해 표면은 Ga이 풍부한 Pd-Ga의 합금층으로 덮이고, 동시에 작은 pinhole들이 발생하며 barrier height도 0.3eV 가량 증가하게 된다. 반면에 증착당시 Pd이 계면에 있는 Ni/Pd/p-GaN의 경우에는 40$0^{\circ}C$의 가열까지는 두 금속이 그들 계면에서부터 섞이나, 52$0^{\circ}C$의 가열에 의해 이미 barrier height가 0.2eV 가량 증가하기 시작하였다. 더 높은 $650^{\circ}C$가열에 의해서는 커다란 pinhole, 0.5eV 가량의 barrier height 증가, Pd clustering이 동시에 관찰되었다. 따라서 Ni과 Pd의 일함수는 물론 thermal expansion coefficient가 거의 같으며 surface free energy도 거의 일치한다는 점을 감안하면, 이렇게 뚜렷한 열적 안정성의 차이는 GaN와 contact metal과의 반응시작 온도(disruption onset temperature)의 차이에 기인함을 알 수 있었다. 즉 계면에서의 반응에 의해 편석되는 Ga에 의해 박막의 strain이 이완되면, pinhole 등의 박막결함이 줄어 들고, 이는 계면의 N의 out-diffusion을 방지하여 p-type GaN의 barrier height 증가를 막게 된다.

• Journal of IKEEE
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• v.4 no.2 s.7
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• pp.202-211
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• 2000

Utilizing the circuit simulator SPICE, we designed a 1.9GHz CMOS up-conversion mixer and explained in detail the simulation procedures including device modeling for the circuit design. Since the measured characteristics of the chip fabricated using the $0.5{\mu}m$ standard CMOS process had shown a big deviation from the characteristics expected by the original simulations, we tried to figure out the proper reasons for the discrepancies. Simulations considering the discovered problems in the original simulations have shown the validity of the simulation method tried for the design. We have shown that the utilized standard CMOS process can be used for the implementation of the chip characteristics similar to those of the equivalent chip fabricated using the GaAs MESFET process.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.9 no.1
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• pp.75-87
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• 2009

We propose in this paper a novel approach to image fusion in which the fusion rule is guided by optimizing an image clarity function. A Genetic Algorithm is used to stochastically select, comparative to the clarity function, the optimum block from among the source images. A novel nested Genetic Algorithm with gifted individuals found through bombardment of genes by the mutation operator is designed and implemented. Convergence of the algorithm is analytically and empirically examined and statistically compared (MANOVA) with the canonical GA using 3 test functions commonly used in the GA literature. The resulting GA is invariant to parameters and population size, and a minimal size of 20 individuals is found to be sufficient in the tests. In the fusion application, each individual in the population is a finite sequence of discrete values that represent input blocks. Performance of the proposed technique applied to image fusion experiments, is characterized in terms of Mutual Information (MI) as the output quality measure. The method is tested with C=2 input images. The results of the proposed scheme indicate a practical and attractive alternative to current multi-focus image fusion techniques.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.20 no.1
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• pp.22-29
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• 2011

An infrared thermographic imaging module of [$320{\times}256$] focal-plane array (FPA) based on [InAs/GaSb] strained-layer superlattice (SLS) was fabricated, and its images were demonstrated. The p-i-n device consisted of an active layer (i) of 300-period [13/7]-ML [InAs/GaSb]-SLS and a pair of p/n-electrodes of (60/115)-period [InAs:(Be/Si)/GaSb]-SLS. FTIR photoresponse spectra taken from a test device revealed that the peak wavelength (${\lambda}_p$) and the cutoff wavelength (${\lambda}_{co}$) were approximately $3.1/2.7{\mu}m$ and $3.8{\mu}m$, respectively, and it was confirmed that the device was operated up to a temperature of 180 K. The $30/24-{\mu}m$ design rule was applied to single pixel pitch/mesa, and a standard photolithography was introduced for [$320{\times}256$]-FPA fabrication. An FPA-ROIC thermographic module was accomplished by using a $18/10-{\mu}m$ In-bump/UBM process and a flip-chip bonding technique, and the thermographic image was demonstrated by utilizing a mid-infrared camera and an image processor.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.311-311
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• 2014

III-N계 물질로 이루어진 GaN 기반의 광 반도체는 직접 천이형 넓은 밴드갭 구조를 갖고 있기 때문에 적외선부터 가시광선 및 자외선까지를 포함한 폭 넓은 발광파장 조절이 가능하여 조명 및 디스플레이 관련 차세대 광원으로 많은 관심을 받고 있다. 하지만, GaN기반의 발광 다이오드는 많은 연구기관들의 오랜 연구에도 불구하고 고출력을 내는데 있어 여전히 많은 문제들이 존재한다. 그 중, 주입전류 증가에 따른 효율감소 현상은 출력을 저해하는 대표적인 요소로 알려져 있는데, 이전의 연구 결과에서 알려진 효율감소 현상의 원인으로 결정결함에 의한 누설전류, Auger 재결합, 이송자 넘침 현상 그리고 p-n접합부의 온도 상승 등의 현상이 알려져 있다 [1-2]. 하지만 여전히 주입 전류 증가에 따른 효율 감소 현상의 원인에 대해 명확한 해답은 없으며 아직도 많은 논의가 이루어 지고 있다. 따라서, 본 연구에서는 GaN기반의 청색 및 녹색 LD와 LED소자를 이용하여 주입전류 밀도의 변화에 따른 자발 발광 영역에서의 효율감소 현상의 원인을 규명하고 한다. 유기금속화학증착법(MOCVD)를 이용하여 c면 사파이어 위에 서로 다른 발광파장을 가지는 InGaN/GaN 다중양자우물구조의 질화물계 LED와 LD 박막을 제작하였으며 성장 구조에 의한 특성으로 인해 발생하는 효율 저하 현상을 방지하고자 InGaN/GaN으로 이루어진 다중양자우물층의 조성만 제어하여 청색과 녹색으로 발광하도록 하였다. 청색 및 녹색 LD 웨이퍼들을 이용하여 주입전류 증가에 따른 발광특성을 조사하기 위해 LD와 LED는 표준 팹 공정에 의해 제작되었다. 전계 발광 측정을 위해 상온에서 직류 전류를 주입하여 GaN계 청색 및 녹색 LED와 LD에 각 5 mA/cm2에서 50 mA/cm2까지 전류밀도를 증가시킴에 따라 LD 및 LED칩 형태에 상관없이 청색 LD와 LED의 파장은 약 465nm에서 약 458nm로 감소하였고 녹색 LD와 LED의 파장은 약 521nm에서 약 511~513 nm까지 단파장화가 발생했다. 이는 동일한 웨이퍼에 동일한 전류 밀도를 주입하였기 때문에 발생하는 것으로 판단된다. 그러나, 청색 LED의 효율은 50 mA/cm2에서 약 70%정도로 감소하고 반면 녹색 LED의 경우 동일한 전류밀도 하에 약 52%정도로 감소하였지만, 청색과 녹색 LD의 경우 동일한 전류 밀도의 범위 내에서 더욱 낮은 효율저하 현상을 나타내었다. 또한, 접합 온도를 측정한 바 청색소자가 녹색 소자에 비하여 낮은 접합 온도를 나타낼 뿐아니라, 청색 및 녹색 LD의 경우 LED 보다 낮은 접합 온도를 나타내고 있었다. 이는 InGaN 활성층의 In 조성이 증가할수록 비발광 센터에 의한 접합온도 상승 뿐 아니라, LD ridge 구조에서 더 많은 열이 방출되어 접합 온도가 감소될 수 있는 것으로 판단된다. 우리는 동일한 웨이퍼에 LED와 LD를 제작하였고, 동일한 전류 주입밀도를 인가하였기 때문에 LD와 LED의 효율 감소 현상의 차이는 이송자 넘침 현상, 결정 결함, 오제 재결합 등이 원인보다 활성층의 접합 온도 상승이 가장 큰 영향이 될 수 있을 것으로 판단된다.

• Analytical Science and Technology
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• v.21 no.2
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• pp.102-108
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• 2008

Reversed-phase high performance liquid chromatography (RP-HPLC) was used for the simultaneous determination of liquiritin (LQ), glycyrrhizic acid (GA) and glabridin from licorice. An optimized run condition was selected with a binary gradient elution of methanol-water which ramped 35/65 to 80/20 (vol. %) in 0.0-8.0 min and a flow rate of 1.0 mL/min. A good linearity was obtained between 0.2 mg/mL and 1.0 mg/mL for LQ and GA, and 0.01 mg/mL-0.2 mg/mL for glabridin with the relative standard deviations less than 0.90% (n=5). The developed method was successfully applied to determination of the three components from licorice samples. The mean recoveries of three components are 80.79% for liquiritin, 89.71% for glycyrrhizic acid and 72.50% for glabridin.

• Journal of KIISE:Software and Applications
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• v.31 no.8
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• pp.1113-1120
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• 2004

This paper proposes a novel hybrid genetic algorithm for the feature selection. Local search operations are devised and embedded in hybrid GAs to fine-tune the search. The operations are parameterized in terms of the fine-tuning power, and their effectiveness and timing requirement are analyzed and compared. Experimentations performed with various standard datasets revealed that the proposed hybrid GA is superior to a simple GA and sequential search algorithms.

• Proceedings of the Korean Institute of Intelligent Systems Conference
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• 1998.03a
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• pp.112-115
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• 1998

본 논문은 퍼지 추론 시스템 모델의 최적화를 제시한다. 비선형적이고 복잡한 실시스템의 특성을 해석하는 방법으로써 시스템의 정적 혹은 동적 특성을 묘사하기 위해 퍼지 모델이 사용된다. 그러나 퍼지 시스템의 동정은 경험적 방법에 의해 규칙을 추출하기 때문에, 보다 논리적이고 체계적인 방법에 의한 추출 방법의 고찰이 필요하다. 제안된 규칙베이스 퍼지모델은 GA 및 퍼지규칙의 이론을 이용한 시스템 구조와 파라미터 동정을 시향한다. 두형태의 퍼지모델 방법은 간략추론 및 선형추론에 의해 시행된다. 본 논문에서는 퍼지 추론 시스템의 전반부 파라미터 동정을 통해 퍼지 입력공간을 정의함으로써 비선형 시스템을 표현한다. 전반부 파라미터의 동정세는 유전자 알고리즘을 사용하고, 후번부는 표준가우스 소거법을 사용하여 동정한다. 최적화는 유전자 알고리즘에 기초한 자동-동조 방법이며, 학습 및 데이터의 성능결과의 상호 균형을 얻기 위한 하중값을 가진 성능지수가 제시된다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.36 no.6
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• pp.889-893
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• 1992

A very sensitive adsorptive stripping voltammetric method is studied on the gallium-morin complex at a hanging mercury drop electrode (HMDE) in 0.1 M acetate buffer solution. The effects of various analytical conditions are discussed on the reduction peak current of the adsorbed complex on the suface of HMDE. Interferences by other trace metals and surfactant are also discussed. Detection limit is 1.7 nM of gallium with 60 seconds deposition time, and the relative standard deviation (n = 7) at 4 ${\mu}$g/l gallium is 2.8%.