• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.342-342
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• 2016

최근 반도체 제조 공정 기술이 발전함에 따라, 나노 영역에서의 열 및 전기 특성에 관련하여 깊이 있는 연구들이 많이 수행되고 있다. 그 중 반도체 기판의 표면 거칠기는 열전도도 및 전하 이동도와 밀접한 관련이 있으며 나노 소자의 특성을 결정짓는 중요한 요소가 된다. 표면이 거친 정도에 따라 포논 산란 작용이 열적 특성에 영향을 미치며 표면 거칠기와 상응하는 포논의 파장은 이를 산란시켜 열전도도를 감소시키는 것으로 보고되었다[1]. 또한, 트랜지스터의 소형화에 따라 수직 전계가 증가하며 그 결과, 표면 거칠기 성분이 표면에서의 전자 및 홀의 이동 특성에 영향을 미친다. 따라서 원자 층 두께의 표면 거칠기의 중요성이 부각되며 이에 대한 물성 연구가 수행되어야 한다. <100> 벌크 실리콘에서 약산 용액인 500-MIF를 이용하여 시간에 따라 dipping을 진행한 후 표면 거칠기의 변화를 profiler (Tencor P-2)로 측정하여 확인하였다. 거칠기는 dipping을 시작한 후 10분부터 18분까지 약 $3{\AA}/min$의 변화를 가지는 것으로 관측이 되었다. 또한 Hall measurement system으로 벌크 실리콘에서의 온도에 따른 전하 이동도를 측정하였다. 측정 결과, 300 K일 때 p-type 벌크 실리콘의 전형적인 전하 이동도 값인 약 $450cm^2/V{\cdot}s$을 얻었으며, 저온에서는 높은 이동도를 가지다가 온도가 증가할수록 이동도가 감소하는 형태를 확인하였다. 서로 다른 표면 거칠기를 가지는 반도체 기판을 저온부터 상온 이상까지 온도의 변화를 주어 그에 따른 전하 이동도를 측정하고 열전도도 및 전하 이동도의 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.202-202
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• 2009

대전제어제를 이용하여 전하량을 가지는 토너 입자를 제조하고, 입자의 유동성을 부여하기 위하여 입자의 표면처리를 하였다. 제조된 토너 입자의 크기는 약 $8{\mu}m$정도이며, 표면 처리를 위해 크기가 약 14nm 정도인 nano-silica를 사용하였다. 대전제어제가 첨가된 토너 입자의 평균 전하질량비는 30.9uC/g이고, 표면처리를 한 입자의 전하질랑비는 외첨 시간이 증가함에 따라 점차적으로 감소하는 것을 관찰 할 수 있었다. 또한 표면처리가 된 입자의 유동성은 표면처리를 하지 않은 입자 보다 우수하다는 것을 관찰 할 수 있었다.

• Korean Journal of Soil Science and Fertilizer
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• v.34 no.4
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• pp.237-244
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• 2001

Investigation on the surface charge properties of some Korean arable soils was performed by ion adsorption technique with two kinds of indifferent ion ($Na^+$ and $K^+$) at the range of pH 3 to 9 in bulk solution. The contribution of soil components(organic matter, oxides and clay mineral) on the surface charge density was determined at two soil depth with different solid particle composition When the pH of solution increased, the negative charge of soil surface was increased among the all soils, but positive charge were not appeared above pH 6. apparently. The magnitude of surface charge density measured by NaCl adsorption method showed ra nges of $0.01{\sim}2.84cmol_c{\cdot}kg^{-1}$ and $7.41{\sim}12.20cmol_c{\cdot}kg^{-1}$ at pH 3 and pH 9, respectively. Ion adsorption method using KCl as index ion overestimated than the method using NaCl as index ion. The content of organic matter is the strongest factor on the value of dCEC/dpH.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.264.2-264.2
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• 2014

비휘발성 메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 정보를 계속 유지하는 메모리로써 현재 다양한 차세대 전자소자의 집적화 구현을 위해 저전압 동작 및 저장능력의 향상 등에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이때 삽입되는 전하저장층의 경우 기존 널리 이용되는 질화막(SiNx) 외에 최근에는 산화 알루미늄(Al2O3) 등의 고유전상수 물질 뿐만 아니라, 밴드갭 조절을 통해 전하저장능력을 향상시키는 산화막(SiOx)에 대한 연구도 진행 중이다. 이번 연구에서는 전하저장능력을 향상시키기 위해 전하저장층으로 산화막을 이용할 뿐만 아니라, 기존의 평편한 구조가 아닌 표면 조절을 통해 전하저장능력을 보다 향상시키고자 한다. 또한 이번 연구에서는 비휘발성 메모리 소자의 응용을 위해 우선적으로 금속-절연체-반도체 형태의 MOOxOyS 구조를 이용하였다. 이 때 실리콘 표면적을 변화시키기 위해 이용된 실리콘 웨이퍼는 1) 평편한 실리콘, 2) 수산화암모늄, 이소프로필 알코올 및 탈이온수를 혼합한 용액에 식각시킨 삼각형 구조, 3) 불산, 질산 및 아세트산을 혼합한 용액에 식각시킨 라운드 구조이다. 정전용량-전압 측정을 통해 얻어진 메모리 윈도우는 1) 평편한 실리콘의 경우 약 5.1 V, 2) 삼각형 구조의 경우 약 5.3 V, 3) 라운드 구조의 경우 약 5.9 V를 얻었다. 이 때, 라운드 구조의 경우 가장 넓은 표면적으로 인해 상대적으로 전하트랩이 가장 많이 되어 메모리 윈도우가 가장 커지는 특성을 볼 수 있었다.

• 전기의세계
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• v.34 no.5
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• pp.299-304
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• 1985

수직전계 계산방법의 정밀도 및 근사과도의 평가의 기준이 되며 전하중첩법의 전위 및 전계 소계수식에 형태가 남아있다. 또한 영상전하가 전하중첩 및 표면전하법 등에서 이용되고 있는 것이 특징이다.

• Journal of KSNVE
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• v.9 no.3
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• pp.621-628
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• 1999

The fundamental dynamic properties of the planar electric charged particle are investigated experimentally. The experiment is conducted using electric charged spheres(4 table tennis balls with conductive surfaces) suspended by insulating strings to cancel the gravitational force. The measurements of the equilibrium angles and the natural frequencies of oscillation agree well with the analytical predictions with some error, respectively.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 1998.11a
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• pp.101-107
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• 1998

본 논문에서는 최근 국내·외적으로 활발하게 연구되고 있는 고분자 절연재료에 있어서 공간 전하가 전기적 특성에 미치는 영향에 대한 연구로서, 기존에는 보고되지 않았던 새로운 측정시스템과 분석 방법을 제시하였다. 그리고, 이러한 측정시스템을 이용하여 교류전압 하에서 PD 발생시에 절연체 표면에 축적되는 공간전하의 직접적인 관측을 통하여 공간전하와 PD와의 연관성에 대한 규명을 실시하였다. 실험결과로부터 PD 패턴은 방전에 의해 절연체 내부보다는 표면에 축적되는 동적 공간전하와 매우 밀접한 관계를 가지고 있는 것을 알 수 있었으며, 또한 PD 발생시 공기층 전압은 이러한 동적 공간전하에 의해 지배됨을 확인할 수 있었다. 그리고, 일정전계 이상에서는 공간전하의 축적에 의한 영향으로 PD 크기와 공기층 전압은 더 이상 증가하지 않았다는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 실험결과는 유전체장벽방전을 이용한 NOx, SOx 등의 공해물질의 분해에 있어서, 현재까지는 분해시스템에 전달되는 전력은 인가전압의 주파수와 크기에 비례하는 것으로 생각해 왔으나, 본 실험결과를 통하여 일정전계 이상에서는 전압상승에 의한 분해 효율의 향상을 기대하기 힘들다는 것을 나타낸다.

• Journal of Korean Society on Water Environment
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• v.20 no.6
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• pp.625-630
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• 2004

Granular media filtration is used almost universally as the last particle removal process in conventional water treatment plants. Therefore, superb particle removal efficiency is needed during this process to ensure a high quality of drinking water. However, every particle can not be removed during granular media filtration. Besides the pattern of particle attachment is different depending on physicochemical aspects of particles and suspension. Filtration experiments were performed in a laboratory-scale filter using spherical glass beads with a diameter of 0.55 mm as collectors. A single type of particle suspension (Min-U-Sil 5) and alum coagulation was used to destabilize particles. The operating conditions were similar to those of standard media filtration practice: a filtration velocity of 5 m/h. More favorable particles, i.e., particles with smaller surface charge, were well attached to the collectors especially during the early stage of filtration when zeta potential of particles and collectors are both negative. This selective attachment of the lower charged particles caused the zeta potential distribution (ZPD) of the effluent to move to a more negative range. On the other hand, the ZPDs of the effluent moved from more positive to less positive when the surface charge of particles was positive and this result was thought to be caused by ion transfer between particles and collectors.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.9 no.3
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• pp.377-382
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• 1998

This study was carried out to investigate the relation between surface acidity and interfacial electrical characteristics of surface-treated ${\gamma}-alumina$ whose surface activity was increased. The points of zero charge (P. Z. C.) of ${\gamma}-alumina$ whose surface is treated with the sulfuric, nitric and hydro-chloric acid of various concentration were measured from the site-binding theory and mass transport method. The surface active sites were measured by amine titration method and Hammett indicator method. The interfacial properties at alumina/KCl(aq) interface were measured by potentiometric titration. From the experimental results, the following results were obtained. Pure ${\gamma}-alumina$ surface acidity decreases with the increase of calcination temperature at strength $H_o{\leq}+9.3$ Surface-treated alumina acidic properties increase with the anion loading on alumina surface. The surface ionization constants decrease with anion loading on alumina surface, then P. Z. C. decreases with acid amount on alumina surface. Acid amount of surface treated alumina can be correlated with surface charge density at strength $H_o{\leq}+4.8$ as follows. $SO_4^2-/Al_2O_3:Q_A=-0.172ln(0.0418{\sigma}+1.448)$ $NO_3^-/Al_2O_3:Q_A=-0.024{\sigma}-0.0189$ $Cl^-/Al_2O_3:Q_A=-0.01{\sigma}-0.2006$.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.114-115
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• 2007

플라즈마 응용화학기상법을 이용하여 Silicon Nitride (SiN) 박막을 증착하였다. PECVD 공정은 Box Wilson 실험계획표를 이용하여 수행하였다. SiN박막의 전하밀도를 신경망과 유전자 알고리즘을 이용하여 모델링하였다. 개발된 모델을 이용하여 전하밀도에의 $N_2$와 $NH_3$의 영향을 다양한 온도에서 고찰하였다. $N_2$ (or $NH_3$)의 증가에 따라 전하밀도는 증가하였으며, 이는 전하밀도의 [N-H]에의 강하게 의존하고 있음을 보인다. 전하밀도는 고온에서의 $NH_3$의 증가, 또는 높은 $NH_3$ 유량에서의 온도의 증가에 따라 급격히 증가하였다. 굴절률 모델과 비교할 때, 이 같은 현상이 [N-H]의 증가에 기인하는 것으로 해석되었다.