• Title/Summary/Keyword: 표면저항율

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Analysis of the Electromagnetic Scattering by a Tapered Resistive Strip Grating with Zero Resistivity at the Strip-Edges On a Grounded Dielectric Plane (접지된 유전체층 위에 저항띠 양끝에서 0으로 변하는 저항율을 갖는 저항띠 격자구조에서의 전자파 산란 해석)

  • 정오현;윤의중;양승인
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.28 no.11A
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    • pp.883-890
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    • 2003
  • In this paper, Electromagnetic scattering problems by a resistive strip grating with tapered resistivity on a grounded dielectric plane according as strip width and spacing, relative permittivity and thickness of dielectric layers, and incident angles of a electric wave are analyzed by applying the FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method) Known as a numerical procedure. The scattered electromagnetic fields are expanded in a series of floguet mode functions. The boundary conditions are applied to obtain the unknown field coefficients and the resistive boundary condition is used for the relationship between the tangential electric field and the electric current density on the strip. The tapered resistivity of resistive strips varies zero resistivity at strip edges. Then the induced surface current density on the resistive strip is expanded in a series of Chebyshev polynomials of the second kind. The numerical results of the geometrically in this paper are compared with those for the existing uniform resistivity and perfectly conducting strip. The numerical results of the normalized reflected power for conductive strips case with zero resistivity in this paper show in good agreement with those of existing paper.

A Basic Study on Miniature Size Electrostatic Induction Meter (소형(小型) 정전(靜電) 유도형(誘導型) 모터의 기초(基礎) 연구(硏究))

  • Moon, Jae-Duk;Lee, Dong-Hoon
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.2 no.1
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    • pp.65-74
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    • 1993
  • A miniature size electrostatic induction motor has been fabricated and studied with emphasis on the role of the surface resistivity, the relative dielectric constant and the charge relaxation time constant of the rotor surface materials and the rotor liner materials, which, however, control the surface charge induction and relaxation on the rotor material surface and the field intensity between the rotor and the stator of the motor. It is found that the surface resistivity and/or the relative dielectric constant, and the charge relaxation time constant of the rotor surface material enfluenced significantly to motor speed controlled by the surface charge induction and relaxation on the rotor surface depending on the applied voltage and/or frequency changing. The resistivity of the rotor liner material is also found to be effected to the motor speed greatly by control of the field intensity between the rotor and the stator and of the surface charge distribution of the induced charge on the rotor. As a result, a maximum no load rotor speed of the motor tested was about 5500 rpm at the applied voltage of 4.5 kV and the frequency of 220 Hz for the case of the rotor surface material of $BaTiO_{3}$ 80% in the resin binder layered on the copper-foil rotor liner material.

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Surface Smoothening Effects of a Matrix Retaining Electrolyte on Characteristics of a PAFC (PAFC용 전해질 매트릭스의 표면 평탄화 처리가 전지 특성에 미치는 영향)

  • Yun, Gi-Hyeon;Hong, Seong-Ha;Jang, Jae-Hyeok;Kim, Chang-Su
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.7 no.12
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    • pp.1097-1104
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    • 1997
  • 인산형 연료전지(PAFC)용 전해질 매트릭스의 표면 거칠기를 감소시켜 분극저항을 줄이고 작업성을 향상시키기 위해 SiC whisker를 사용하여 일반적인 테이프 캐스팅법으로 제조된 매트릭스의 거친 표면을 평탄화 처리하였다. 구형 입자의 분무공정을 이용하여 표면 평탄화 처리(process l)하는 경우와 롤링을 이용하여 표면 평탄화 처리(process 2)하는 두가지 공정을시도하였으며, 두가지 공정 모두 기공율과 인산 함침도를 유지시키면서, 매트릭스의 표면 거칠기를 감소시키고 기공압, 가소성 및 인장강도를 향상시킬 수 있었다. 위와 같이 제조한 매트릭스로 연료전지를 구성하여 교류 임피던스 분석을 한 결과, 표면 평탄화 처리는 매트릭스 표면의 거칠기를 감소시킴으로써 전극과의 접촉시 계면에서의 분극 저항을 감소시켜 전지성능을 향상시키는 것으로 나타났다. process 2는 표면의 거칠기 감소뿐 아니라 표면에서의 인산함침도가 커서 가장 우수한 전지특성을 나타내었으며, process 1은 매트릭스 표면에 불규칙하게 존재하는 거대 기공을 완전히 제거하고 기공압을 크게 향상시킬 수 있기 때문에 대형의 매트릭스 제조를 가능하게 하였다.

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Characteristics of ISZO and IZSO films deposited using magnetron co-sputtering system by two cathodes (마그네트론 2원 동시 방전법을 이용하여 증착한 ISZO 및 IZSO 박막의 특성에 관한 연구)

  • Lee, Dong-Yeop;Lee, Jeong-Rak;Lee, Geon-Hwan;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.91-92
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    • 2007
  • In-Sn-Zn-O (ISZO)박막과 In-Zn-Sn-O (IZSO)박막은 상온에서 2개의 캐소드 (DC, RF)를 이용하여 마그네트론 2원 동시 방전법에 의해 polyethylene terephthalate (PET)기판 위에 실온에서 증착되었다. ISZO 박막의 경우, Zn함량이 증가함에 따라 비저항은 증가하였지만, Zn원자의 도입에 의해 표면 조도는 개선되었다. 반면, IZSO 박막의 경우, 최저비저항 ($3.17$ ${\times}$ $10^{-4}$ ${\Omega}cm$)은 $SnO_2$ 타켓의 RF power 40W에서 얻어졌지만, Sn원자의 도입에 의해 표면 조도는 거칠어졌다. XRD 측정 결과 모든 박막은 비정질 구조로 사료되고, 가시광선 영역에서 80% 이상의 높은 투과율을 보였다.

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Analysis of Electromagnetic Scattering by a Resistive Strip Grating with Tapered Resistivity on Dielectric Multilayers (다층 유전체위의 변하는 저항율을 가진 저항띠 격자구조에 의한 전자파 산란 해석)

  • Uei-Joong Yoon
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.8 no.5
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    • pp.495-503
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    • 1997
  • In this paper, the E-polarized electromagnetic scattering problems by a resistive strip grating with tapered resistivity on 3 dielectric layers are analyzed to find out the effects for the tapered resistivity of resistive strip and the relative permittivity and thickness of 3 die- lectric layers by applying the Fourier-Galerkin moment methods. The induced surface current density is expanded in a series of Jacobi-polynomial ${P^{(\chi,\beta)}}_p$(.) of the order $\alpha$= 0 and $\beta$=1 as a kind of orthogonal polyomians, and the tapered resistivity assumes to vary linearly from 0 at one edge to finite resistivity at the other edge. The normalized reflected and transmitted powers are obtained by varying the tapered resistivity and the relative permittivity and thickness of dielectric layers. The sharp variation points are observed when the higher order modes are transferred between propagating and evanescent modes, and in general the local minimum positions occur at less grating period for the more relative permittivity of dielectric layers. It should be noted that the patterns of the normalized reflected and transmitted powers for the tapered resistivity are very much different from those of the uniform resistivity and perfectly conducting cases. The proposed method of this paper cna solve the scattering problems for the tapered resistive, uniform resistive, and PEC strip cases.

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High crystallization of ultra-thin indium tin oxide films prepared by reactive sputtering with post-annealing (반응성 스퍼터링으로 제조한 ITO 초박막의 후 열처리에 따른 고 결정화)

  • Lee, Ho-Yun;Kim, Seo-Han;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2018.06a
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    • pp.128-128
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    • 2018
  • 최근 디스플레이 기술은 보다 가볍고, 얇고, 선명한 스마트 형태로 발전되고 있다. 특히 스마트산업의 성장으로 터치스크린패널(Touch Screen Panel, TSP)을 사용하는 기술이 다양해짐에 따라 더 높은 감도와 해상도를 달성하기 위한 핵심기술이 필요한 실정이다. TSP는 저항막 방식, 정전용량 방식, 적외선 방식, 초음파 방식 등 다양한 방식이 있다. 그 중 정전용량방식 터치 패널 (Capacitive type touch panel, CTTP)은 다른 유형에 비해 빠른 반응속도 및 멀티 터치 기능 등의 이점을 가지고 있기 때문에 연구의 초점이 되고 있다. 이를 실현하기 위해서 CTTP은 가시광영역의 높은 투과율과 낮은 비저항을 필요로 하기 때문에 박막의 초 슬림화 및 고 결정화도가 선행되어야만 한다. CTTP에 사용되는 투명전극 소재 중에서 40%의 비중을 차지하고 있는 ITO박막은 내구성과 시인성이 좋으나 생산 비용이 비싸다는 단점이 있다. 한편, 반응성 스퍼터링은 기존에 단일 소결체를 사용한 DC마그네트론 스퍼터링법보다 높은 증착률과 낮은 생산 비용으로 초박막을 만들 수 있다는 장점을 가진다. 본 실험에서는 In/Sn (2wt%) 금속 합금 타깃을 사용한 반응성 스퍼터링법을 이용하여 기판 온도 (RT 및 $140^{\circ}C$)에서 두께 30 nm의 In-Sn-O (ITO)박막을 증착하고, 대기 중 $140^{\circ}C$ 온도에서 시간에 따라 열처리한 후 박막의 물성을 관찰하였다. 증착 중 기판 가열을 하지 않은 ITO 박막의 경우, 열처리 시간이 증가함에 따라 비저항은 감소하였고, 홀 이동도는 현저하게 증가하였으며 캐리어 밀도에서는 별다른 차이가 없었다. 이를 통해 비저항의 감소는 캐리어 농도보다는 결정화를 통한 이동도의 증가와 관련 있다는 것을 확인할 수 있었다. 열처리 시간에 따른 박막의 핵 생성 및 결정 성장은 투과 전자 현미경(TEM)으로 명확하게 확인하였으며, 완전 결정화 된 박막의 grain size는 300~500 nm로 확인되었다. 기판온도 $140^{\circ}C$에서 증착한 박막의 경우, 후 열처리를 하지 않은 상태에서도 이미 결정화 된 것을 확인할 수 있었으며, 후 열처리 시에도 grain size에는 큰 변화가 없었다. 이는 증착 중에 박막의 결정화가 이미 완결된 것으로 판단된다. 또한, RT에서 증착한 박막의 경우에는 후 열처리 초기에는 산소공공등과 같은 결함들의 농도가 감소하여 투과율이 증가하였으나 완전한 결정화가 일어난 후에는 투과율이 약간 감소한 것을 확인할 수 있었다. 이는 결정화 시 박막의 표면 조도가 증가하였고 이로 인해 빛의 산란이 증가하여 투과율이 감소한 것으로 판단된다. 이러한 결과로 반응성 스퍼터링 공정으로 제조한 ITO 초박막은 후열처리에 의한 완전한 결정화를 이룰 수 있으며, 이를 통해 얻은 낮은 비저항과 높은 투과율은 고품질 TSP에 적용될 가능성을 가진다고 판단된다.

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H-Polarized Scattering by a Resistive Strip Grating with the Tapered Resistivity Over a Grounded Dielectric Plane : from Finite at One Strip-Edge to Zero at the Other Strip-Edge (접지된 유전체 평면위의 변하는 저항율을 갖는 저항띠 격자구조에 의한 H-분극 산란 : 한쪽 모서리에서 유한하고 다른쪽 모서리로 가면서 0인 경우)

  • Yoon, Uei-Joong
    • Journal of Advanced Navigation Technology
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    • v.15 no.4
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    • pp.543-548
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    • 2011
  • In this paper, H-polarized electromagnetic scattering problems by a resistive strip grating over a grounded dielectric plane according to the strip width and grating period, the relative permittivity and thickness of a dielectric layer, and incident angles of a TE (transverse electric) plane wave are analyzed by applying the FGMM (Fourier-Galerkin Moment Method). The tapered resistivity of resistive strips in this paper varies from finite resistivity at one edge to zero resistivity at the other edge, then the induced surface current density on the resistive strip is expanded in a series of Jacobi polynomials of the order ${\alpha}=1$, ${\beta}=0$ as a kind of orthogonal polynomials. The numerical results of the normalized reflected power show in good agreement with those of existing papers.

Investigation of porous silicon anti-reflection coatings for monocrystalline silicon solar cells (다공성 실리콘 반사방지막을 적용한 단결정 실리콘 태양전지에 대한 연구)

  • Kim, Beom-Ho;Choe, Jun-Yeong;Lee, Eun-Ju;Lee, Su-Hong
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2007.04a
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    • pp.155-156
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    • 2007
  • 본 연구에서는 태양전지 표면에 입사된 빛의 반사율을 최소화하기 위해서 단결정 실리콘 기판 표면에 다공성 실리콘층을 적용하여 반사방지막(Anti-Reflection Coating, ARC)을 형성하는 실험을 하였다. 다공성 실리콘(Porous silicon, PSi)은 실온에서, 기판 성질에 따라 일정 비율로 만든 전해질 용액($HF-C_2H_5OH-H_2O$)을 사용하여 실리콘 표면에 양극산화처리 함으로써 단순 공정만으로 실리콘 기판의 반사율을 낮출 수 있다. 본 연구는 일정한 면저항을 가지는 단결정 실리콘 기판에 다공성 실리콘층을 여러 조건으로 형성하여 반사방지막으로써의 특성을 비교 분석하였다.

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Sub-90nm 급 Logic 소자에 대한 기생 저항 성분 추출의 연구

  • 이준하;이흥주;이주율
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2003.05a
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    • pp.112-115
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    • 2003
  • Sub-90nm급 high speed 소자를 위해서는 extension영역의 shallow junction과 sheet 저항의 감소가 필수적이다. 일반적으로 기생저항은 channel저항의 약 10-20%정도를 차지하도록 제작되므로, 이를 최소화하여 optimize하기 위해서는 기생저항에 대한 성분 분리와 이들이 가지는 저항값에 대한 정량적 계산이 이루어져야 한다. 이에 본 논문은 calibration된 TCAD simulation을 통해 90nm급 Tr. 에서 각 영역의 저항성분을 계산, 평가하는 방법을 제시한다. 이 결과, 특히, extension영역의 표면-accumulation부분이 가장 개선이 있어야 할 부분으로 분석되었으며, 이 저항은 gate하부에 존재하는 extension으로부터 발if되는 측면 doping의 tail영역으로 인해 형성되는 것으로,doping의 abruptness가 가장 중요한 factor인 것으로 판단된다.

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Electrode Fabrication of MWCNT-PDMS Strain Sensors by Wet-etching (습식 식각을 이용한 MWCNT-PMDS 변형율 센서 전극 생성에 관한 연구)

  • Jung, La-Hee;Hwang, Hui-Yun
    • Composites Research
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    • v.34 no.6
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    • pp.387-393
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    • 2021
  • This paper investigated the electrical properties of multiwall carbon nanotube reinforced polydimethylsiloxane (CNT-PDMS) strain sensors with copper electrodes on the wet-etched surface. MWCNT-PDMS strain sensors were fabricated according to the wt% of MWCNT. Surfaces on the electrode area were wet-etched with various etching duration and silver epoxy adhesives were spread on the wet-etched surface. Finally, we attached the copper electrodes to the MWCNT-PMDS strain sensors. We checked the electric conductivities by the two-probe method and sensing characteristics under the cyclic loading. We observed the electric conductivity of MWCNT-PDMS strain sensors increased sharply and the scattering of the measured data decreased when the surface of the electrode area was wet-etched. Initial resistances of MWCNT-PDMS strain sensors were inversely proportion to wt% of MWCNT and the etching duration. However, the resistance changing rates under 30% strain increased as wt% of MWCNT and the etching duration increased. Decreasing rate of the electric resistance change after 100 repetitions was smaller when wt% of MWCNT was larger and the etching duration was short. This was due to the low initial resistance of the MWCNT-PMDS strain sensors by the wet-etching.