• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 A
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• pp.292-294
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• 2005

전력계통에 고장이 발생할 경우 dc성분이 많이 포함된 고장전류가 발생될 가능성이 높아진다. 이때, 고장이 발생 되었다가 dc성분이 소멸되면서 만들어낸 자속이 CT의 포화에 가장 큰 영향을 미치게 된다. 특히 발전소 구내에서 고장이 발생되면 dc성분이 많이 포함된 고장전류가 발생되어 CT가 포화하는 현상을 자주 볼 수 있다. 이로 인해 보호계전기에 유입되는 2차 전류가 왜곡되고 이로 인해 보호계전기가 오동작을 하게 된다. 본 논문에서는 대용량 발전소의 스위치야드 차단기 혹은 모선에서 발생한 고장으로 Unit 보호계전기가 오동작한 사례를 분석한 내용이다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.74-76
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• 2005

수평형 에미터 스위치트 사이리스터(Lateral Emitter Switched Thyristor, LEST)의 고전압 전류 포화 특성을 위한 새로운 보호회로가 제안하였으며 성공적으로 제작 및 측정하였다. LEST의 부유(浮遊, floating) n+ 전압이 보호 MOSFET의 문턱 전압 보다 커지면 보호 회로는 LEST의 동작 모드를 regenerative 상태에서 non-regerative 상태로 전환시킨다. 일반적인 LEST의 전압 전류 포화 특성이 17 V로 제한되는 것에 비해 제안된 회로와 결합된 LEST는 200V 이상의 고전압 전류 포화 특성을 보였으며, Hard Switching Fault(HSF) 단락 회로 상황에서도 $10{\mu}s$ 이상 견디는 단락 회로 유지 능력을 보였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.99-101
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• 2002

개선된 FB-SOA 및 낮은 턴-오프 시간의 특성을 가지는 수평형 애노드-스위칭 사이리스터(LAST)의 고온에서의 전류-전압 특성을 연구하였다. LAST는 고온에서도 훌륭한 전류 포화 특성을 가져 개선된 FB-SOA의 특성을 보였다. 고온에서 LAST의 순방향 전압 강하는 감소되었다. 또한 LAST는 온도가 상승함에 따라 포화 전류가 감소하여. 병렬연결 동작 시에 전류 균형 특성을 기대할 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 방전 플라즈마 유기절연재료 초전도 자성체연구회
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• pp.165-168
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• 2004

Bias magnet에 의한 평면자심재료의 전자기적 특성 변화를 분석하기 위해 E형 코어 사이에서 영구자석의 유무 및 위치 등의 gap 형성 조건에 따른 측성변화를 관찰하였다. 영구자석과 air Gap이 평면코어에 삽입 될 경우 높은 포화 전류값을 가지는데 이는 자기저항이 자성체에 비해서 상당히 높은 에어 갭의 존재로 인해 외부 인가 전류가 증가되어도 자성체에서 생성되는 자속이 대부분 에어갭 내에서 소비되기 때문이다. 그리고 Bias magnet 역할을 하는 영구자석을 자심재료에 가하게 되면 Bias에 의한 역자장과 자성체에서 발생하는 자장이 서로 상쇄되어 포화 전류는 증가하게 된다. 또한, Bias magnet로 영구자석을 삽입하연 공진주파수는 고주파 대역으로 이동하므로 대전류 고주파 특성이 요구되는 응용장치에 적용가능하다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 1998년도 춘계종합학술대회
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• pp.405-408
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• 1998

본 논문에서는, 백금 실리사이드와 실리콘 접합에서 n형 실리콘 기판의 농도와 온도 변화(상온, 55$^{\circ}C$, 75$^{\circ}C$)에 따라서 전류-전압 특성을 분석하였다. 측정한 전기적 파라미터들은 순방향 임계전압, 역방향 항복전압, 장벽높이(øbn), 포화전류, 이상인자와 동적저항의 변화이다. 결과로써, 기판 농도의 변화에 따라서는 순방향 임계전압, 역방향 항복전압, 장벽 높이, 동적저항은 감소하였으나 포화전류와 이상인자는 증가하였다. 온도 변화에 따라서는 역방향 항복전압과 동적저항이 증가하였다.

• 전력전자학회논문지
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• 제3권1호
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• pp.61-69
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• 1998

본 논문은 예측전류제어기의 연산시간에 의한 전압형 PWM 인버터의 과도상태 특성 저하를 개선하기 위한 부분보상 예측전류 제어기에 관한 연구로서, 먼저 부분보상 예측전류제어 시스템에 대한 해석을 통해 과도상태시 정정시간을 최소화할 수 있는 가중치를 구하였다. 또한 부분보상 예측전류제어에 의한 PWM 인버터의 출력전압 포화 경계조건을 유도하여 포화현상이 예측전류제어기의 과도응답 특성에 미치는 영향을 살펴보았다. 끝으로 부분보상 예측전류제어기를 능동전력필터에 적용하여 가중치에 따른 과도응답 특성을 실제전류와 샘플링전류를 중심으로 고찰하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.231-231
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• 1999

PDP(Plasma Display Panel)는 21세기 디스플레이 시장을 대체할 차세대 디스플레이 장치로서 넓은 시야각, 얇고, 가볍고, 메모리기능이 있다는 여러 가지 장점들을 가지고 있지만 현재 고휘도, 고효율, 저소비전력 등의 문제점들을 해결하여야 한다. 이러한 문제점들의 해결을 위해서는 명확한 미세방전 PDP 플라즈마에 대한 정확한 진단 및 해석이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 미세 면방전 AC-PDP 플라즈마의 기초 변수들 (플라즈마 밀도 & 온도, 플라즈마 뜬 전위, 플라즈마 전위 등의 측정을 통해 고휘도, 고효율 PDP를 위한 최적의 방전환경을 알아내는 데 있다. 일반적으로 전자의 밀도는 방전전류에 비례하는 관계를 보인다. 전류에 대해 방전전압이 일정하다면 전자밀도가 커짐에 따라서 휘도는 포화되며 상대적으로 휘도와 전류의 비로 표시되는 발광효율은 감소하게 된다. 반면 전자밀도가 상당히 작다면 휘도는 전자밀도에 비례하고 효율은 최대값을 보인다. 따라서 미세구조 PDP에서 휘도와 발광효율, 양쪽에 부합하는 최적의 방전환경을 플라즈마 전자밀도와 온도의 측정을 통해서 해석하는 것이 필요하다. 본 실험에서는 방전기체의 종류와 Ne+Xe 방전기체의 조성비에 따른 플라즈마 밀도, 온도의 공간적인 분포특성을 진단하기 위해서 초미세 랑뮈에 탐침(지름: 수 $mu extrm{m}$)을 제작하였다. 제작된 초미세 탐침을 컴퓨터로 제어되는 스텝핑모터를 장착한 정밀 X, Y, Z stage에 부착하여서 수 $\mu\textrm{m}$간격의 탐침 삽입위치에 따라서 미세면방전 AC-PDP의 플라즈마 밀도 및 온도분포 특성을 진단하였다. PDP 방전공간에 초미세 랑뮈에 탐침을 삽입해서 -200~+200V의 바이어스 전압을 가해준다. 음의 바이어스 전압구간에서 이온 포화전류를 얻어내어 여기서 플라즈마 이온 밀도를 측정하고 양의 바이어스 전압구간에서 플라즈마 전자온도를 측정하면 미세면방전 AC-PDP 플라즈마의 기초 진단이 가능하다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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• pp.457-460
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• 1998

단 채널 MOSFET 소자의 드레인 전압-드레인 전류 특성을 예측하기 위해서 caughey-thomas 이동도 모델을 수치적으로 구현하는 방법을 제안한다. 구현된 caughey-thomas 모델의 정확한 특성을 검증하기 위해서 0.5[.mu.m]의 설계규칙을 가즌 ASIC용 공정으로 n-MOSFET과 p-MOSFET을 제작하였다. 전자 및 정공의 포화속도 값이 각각 6.2*10/sup 6/[cm/sec] 과 1.034*10/sup 7/[cm/sec]인 경우에 채널길이가 0.5[.mu.m] 이상인 n-MOSFET과 p-MOSFET의 드레인 전압-드레인 전류특성의 모의실험 결과는 측정값에 비하여 10% 이내의 상대오차를 보였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권1호
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• pp.1-10
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• 2003

본 연구에서는 Metal-Ferroelecric-Semiconductor FET (MFSFET) 소자의 특성을 시뮬레이션 하였다. 시뮬레이션에서는 field-dependent polarization 모델과 square-law FET 모델이 도입되었다. MFSFET 시뮬레이전에서 C-V/sub G/ 곡선은 축적과 공핍 및 반전 영역을 확실하게 나타내었다. 게이트 전압에 따른 캐패시턴스, subthreshold 전류 그리고, 드레인 전류특성에서 강유전체 항전압이 0.5, 1V 일 때, 각각 1, 2V 의 memory window 를 나타내었다. 드레인 전류-드레인 전압 곡선은 증가영역과 포화영역으로 구성되었다. 드레인 전류-드레인 전압 곡선에서 두 부분의 문턱전압에 의해 나타난 포화드레인 전류차이는 게이트 전압이 0, 0.1, 0.2 그리고, 0.3V 일 때, 각각 1.5, 2.7, 4.0 그리고 5.7㎃ 이었다. 시간경과 후의 드레인 전류를 분석하였는데, PLZT(10/30/70) 박막은 10년 후에 약 18%의 포화 전류가 감소하여 우수한 신뢰성을 보였다. 본 모델은 MFSFET 소자의 동작을 예측하는데 중요한 역할을 할 것으로 판단된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.52-54
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• 2004

본 논문에서는 속도 포화이후 채널에 발생한느 과잉 캐리어에 의한 채널전하으 발생과 그 영향에 대하여 설명하고 있다. 일반적으로 게이트의 길이가 짧은 GaAs MESFET에서 속도 포화지점에서 전류의 포화가 발생한다. 본 논문은 속도 포화이후 드레인 전압의 증가에 의하여 유입되는 캐리어와 유출되는 캐리어의 차에 의하여 발생하는 채널의 과잉 캐리어에 발생과 이로인해 채널에 쌓이는 채널의 전기적인 특성을 설명하고 있다.