PECVD에 의해 Burried gate 비정질 실리콘 박막트랜지스터를 제작하여 포화 전압 대 전류 특성에 대하여 새로운 해석을 하였고 해석 결과는 실험적으로 증명되었다. 본 연구의 결과 실험된 전달특성과 출력특성을 모델화 하였는데 이 모델식은 I$_{D}$와 V$_{G}$의 실험결과에서 얻어지는 3가지 함수를 기본으로 모델화 되었다. 포화 드레인 전류는 V$_{G}$가 증가할수록 증가되었고 디바이스의 포화는 드레인 전압이 커질수록 증가되었으며 문턱전압은 감소됨을 보였다.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.12
no.2
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pp.115-120
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1998
This paper presents a modeling of a synchronous machine infinite bus system of which not only seperated saturation effect but also cross magnetization effect of the saturated generator is included for the more precise analysis of the system. In the process of reforming the flux linkage equations of the state equations which have generator saturation effects, the d-axis coordinated system of a generator is fixed that the d-axis proceeds the q-axis in $90^{\circ}$ to accord with the generally accepted generator model used before. The simulation results show that cross magnetization has a very important effect to the more precise eigenvalue analysis of steady state stability.bility.
In this study, we investigated the current saturation which forces the apparent resistivity to converge when the conductivity contrast between the anomalous body and background medium is greater than a specific value. Analizing theoretical and numerical solutions for some simple models, we studied the behavior of the surface charge, and how the surface charge cause the current saturation and finally lead to the convergence of the apparent resistivity in the resistivity method. As a consequence of above analysis, we verified that the current saturation makes the apparent resistivity converge to a specific value and the magnitude of the apparent resistivity anomaly be less than that of the ideal conductor or insulator in the resistivity method. In general, current saturation is considered to occur when the conductivity contrast becomes larger than 100.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.93-94
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2007
다양한 LDD(lightly doped drain)에 따른 n-channel poly-Si TFT (thin film transistor)에 대하여 보고한다. 유리 기판 위에 ELA를 이용하여 만들어진 Polycrystalline silicon (poly-Si)은 TFT-LCD의 응용을 위한 재료로써 우수한 특성을 갖는다. 제작된 n-channel TFT는 절연층으로 $SiN_x$, $SiO_2$의 이중 구조를 갖는다. 다양한 LDD에 따른 n-channel poly-Si TFT의 문턱전압($V_{TH}$), ON/OFF 전류비 ($I_{ON}/I_{OFF}$), 포화전류($I_{DSAT}$)는 TFT의 보다 좋은 성능을 위해 연구된다. 짧은 LLD 길이를 가진 n-channel poly-Si TFT의 문턱전압은 작고, 포화전류의 값은 크다. 또한 긴 LLD 길이를 가진 n-channel poly-Si TFT는 작은 kink effect를 가진다.
Park, Byung-Seok;Ahn, Seung-Joon;Jang, Moon-Jong;Woo, Hee-Gon
Proceedings of the KIEE Conference
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1999.07c
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pp.1404-1406
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1999
전력계통에서 전류를 측정하는 변류기는 주요 전력 설비와 연계되어 보호 및 감시에 있어 중요한 역할을 수행한다. 그러나 기존방식의 전류 변성기는 자기포화에 의한 파형 왜곡과 써지나 잡음 등의 전기적 장치가 갖는 구조적 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 개선하기 위한 방법으로 전류에 의해 형성된 자계에 의해 광신호의 편광(polarization) 회전을 발생시키는 Faraday 효과를 가지는 광센서를 이용하여 보호계전 분야에 적용 가능한 전류계측기술을 개발하였다. 본 논문에서는 기존 전류변성기의 계통 보호에서 발생하는 문제점을 PSCAD/EMTDC 시스템을 이용하여 시뮬레이션 하였으며, 아울러 동일 조건에서 광 CT의 동작 특성을 산출하여 기존 전류변성기와 비교 분석하였다. 분석 결과들로부터 광 CT는 기존 전류변성기가 자기포화되는 상황에서도 정확한 1차 전류의 측정이 가능함을 보였다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2015.11a
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pp.280-280
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2015
플라즈마 진단법 중 내부에 삽입하여 측정하는 단일 랭뮤어 탐침법은 플라즈마 특성을 정확하게 측정할 수 있다. 탐침에 (-)극을 걸어서 들어오는 전류를 통해서 이온포화 전류밀도를 측정할 수 있다. 본 연구에서는 유도결합플라즈마에 흐르는 가스와 압력에 따라서 변화를 확인하였다. $H_2$, Ar, $CF_4$ gas로 10 mTorr, 70 mTorr, $CF_4$ 주입위치의 조건으로 플라즈마 밀도를 구하였다.
The unsaturated signal gain, signal gain bandwidth, and saturation power which are important parameters determining characteristics of the semiconductor laser amplifier were measured for an AlGaAs Fabry-Perot cavity type laser amplifier and compared with the results of Fabry-Perot formula. The unsaturated signal gain 25 dB is obtained near oscillation thereshold current at $0.7\mu\textrmW$ input power. The corresponding signal gain bandwidth was about 3 GHz. Also. We measured the variation of the saturation signal gain and saturation power.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.41
no.5
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pp.15-21
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2004
In this paper a new structure of BJT is proposed to improve the saturation voltage characteristics so that it can be used to the low power switching devices. In the case of the conventional finger transistor(FT), the saturation voltage is so high that it dose not satisfy the requirements for the low power device. So the other multi base island transistor(MBIT) is suggested and its saturation voltage is so low in the region of low current that it satisfy the requirement for the low power switching devices, but in region of the high current the saturation voltage tends to increase so that it does not satisfy the requirements for the low power switching devices. So in this paper a new structure of folded back electrode transistor(FBET) is proposed and the characteristics is investigated. When the new structure is applied the emitter area is increased by 35 % so the saturation voltage is reduced by 30 % at the low current region and the contact area is increased by 92 % so the saturation voltage is reduced by totally f % at the high current region with the reduction of 30 % by the increase of the emitter area and the reduction of 7 % by the increase of the emitter contact area.
본 논문은 고온초전도한류기가 투입된 회로에 사고가 발생했을 경우 사고각에 따른 사고전류의 패턴에 관한 연구이다. 계통에 심각한 영향을 끼치는 이러한 사고전류의 순간 특성을 해석하기 위해 유도형 고온초전도한류기를 직접 제작하였으며 임의로 다른 각도에서 사고를 발생시켜 실험하였다. 임의의 사고각을 위해 triac으로 구성되어있는 위상각제어 및 사고 발생기를 부하와 직렬로 연결하였다. 또한, 순간적으로 큰 사고전류의 유입은 철심을 포화시키기에 충분하며 철심의 포화로 인해 상대투자율이 작아짐으로서 고온초전도한류기의 임피던스가 작게 발생하게 된다. 본 논문에서는 이러한 영향으로 인한 사고전류의 패턴에 관하여 연구하였다.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.10
no.7
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pp.781-786
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2015
In this paper, we analyzed characteristic of window type current transformer and we performed the optimal design consider to the loss; in order to design the current transformer figured signal of overcurrent warning circuit. The core size of window type current transformer was determined by the secondary coil turns. We analyzed current waveform, which is appeared by the number of coil turns on the core, we made sure the relation of secondary coil turns and load resistance in order to improve the non-sinusoidal wave by the flux saturation of the current transformer core. Additionally, we did improvement of the accuracy and optimal design through the transformation of the inner diameter and the stack length when the outer diameter of core is sustaining.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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