• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2007년도 춘계학술대회
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• pp.81-85
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• 2007

반도체 공정에서 식각 공정을 위한 패턴 형성 시, 현상을 위해 포토레지스트를 도포한다. 이 포토레지스트는 일정한 두께로 도포 되어야 하기 때문에 고도의 정밀성이 요구되는 공정이며, 공정 불량이 빈번하게 발생한다. 이러한 공정 불량 발생 시 현재 양산에서는 매엽식 장비로 애싱 전 처리 한 후, 약액 처리를 위해 낱장의 웨이퍼를 일정량 모아서 배치식 장비로 처리한다. 이렇게 되면 공정 불량 발생시, 약액의 소모를 줄이기 위해서는 일정량 모아질 때까지 대기하여 처리하여 시간 소모가 커지며, 시간 소모를 줄이기 위해서는 낱장으로 처리하여야 하기 때문에 약액 손실이 커져 비경제적일 수 밖에 없다. 따라서 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해, 매엽식 장비로 무기 용제를 이용하여 효율적으로 포토레지스트를 제거하는 방법에 대해서 평가를 실시하였다. 평가 결과 krF 포토 레지스트 웨이퍼에 대해서 완전 박리하는 결과를 얻었으며, 160nm 기준 파티클 50개 미만의 결과를 얻었다.

• 폴리머
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• 제31권5호
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• pp.374-378
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• 2007

Acrylamide(AM), diacetone acrylamide(DAAM) 및 acrylic acid(AAc)를 사용하여 수용성 삼원공중합체를 제조하고, 4-azidoaniline을 반응하여 azido기를 고분자 곁사슬에 도입한 일성분계 포토레지스트를 제조하였다. AM을 주성분으로 하고 DAAM을 공단량체로 사용한 공중합체를 합성하구 광가교제로 4,4'-diazidostilbene 2,2'-disulfuric acid sodium salt(DAS)를 혼합한 이성분계 포토레지스트를 제조하여 두 종류 포토레지스트의 감광특성을 비교하였다. 포토레지스트의 azido기 1 mol에 대한 감광특성은 고분자 곁사슬에 azido기를 가진 일성분계의 경우가 bis-azido기를 가진 이성분계보다 약 4배정도 우수한 감광성을 나타내었다. 직경 $110{\mu}m$ 크기의 원형패턴을 낮은 광세기에서 일성분계 포토레지스트를 사용하여 얻었으며, 노광부와 비노광부 계면에 잔존물이 없이 원형 패턴이 형성되어 블랙 매트릭스용 negative 포토레지스트로 활용이 기대된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.80-80
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• 1999

플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 공정을 간단히 하기 위하여 포토레지스트, ITO, 격벽재료를 Ar+ laser(λ-514 nm, CW)와 Nd:YAG laser(λ=532, 266nm, pulse)로 직접 패터닝 하였다. 레이저에 의한 포토레지스트의 패턴결과, 아르곤 이온 레이저의 포토레지스트 가공의 반응 메카니즘은 레이저 빔의 열에 의한 시료 표면의 국부적인 온도상승에 의한 용융작용이며, 그 결과 식각 후 형성된 패턴의 단면 모양도 레이저빔의 profile과 같은 가우시안 형태를 나타낸다. Nd:YAG 레이저의 4고조파(532nm)를 이용한 경우 200$\mu\textrm{m}$/sce의 주사속도에서 포토레지스트를 패턴하기 위한 임계에너지(threshold energy fluence) 값은 25J/cm2이며, 약 40J/cm2의 에너지 밀도에서 하부기판의 손상이 발생하기 시작하였다. 글미 1은 Nd:YAG 레이저 4고조파를 이용하여 포토레지스트를 식각한 경우 SEM 표면사진(위)과 단차특정기에 의한 단면형상(아래)이다. ITO 막의 레이저에 의한 직접 패턴 결과, ITO 막은 레이저 펄스에 의한 급속 가열 및 증발에 의한 메커니즘으로 식각이 이루어지며, 레이저 파장에 따른 광흡수 정도의 차이에 의해 2고조파 (532nm)에서 ITO 막의 가공 품질이 4고조파(266nm)에 비해 우수하며 패턴의 폭도 출력에 따라 제어가 용이하였다. 그림 2는 Nd:YAG 레이저 2고조파를 이용하여 ITO를 식각한 경우 SEM표면 사진(위)과 단차측정기에 의한 단면형상(아래)이다. 격벽 재료의 레이저에 의한 직접 패턴 결과, Ar+ 레이저(514nm)는 출력 밀도 32NW/cm2에서 격벽을 유리 기판의 경계면까지 식각하였다. Nd:YAG 레이저(532nm)는 laser fluence가 6.5mJ/cm2에서 격벽을 식각하기 시작하였으며, 19.5J/cm2에서 유리기판의 rudraus(격벽 두께 130$\mu\textrm{m}$)까지 식각하였다.

• 폴리머
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• 제28권6호
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• pp.445-454
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• 2004

반도체의 최소 회로 선폭이 더욱 미세해지면서 포토레지스트 현상액으로 초임계 이산화 탄소를 응용하려는 연구가 진행되고 있다. 초임계 이산화 탄소는 환경친화적이며, 미세 화상 공정 단계에서 표면장력이 작아 패턴 붕괴를 막을 수 있고, 고분자에 대한 선택적 용해도가 큰 장점을 지니고 있다. 본 연구에서는 초임계 이산화 탄소 전용 포토레지스트의 기본 수지 합성을 위해 t-부틸 메타크릴레이트 (t-BMA)와 과불소화 데실 메타크릴레이트 (F17MA)를 단량체로 이용하여 다양한 몰비로 공중합하였고, 공중합체의 초임계 이산화 탄소에 대한 용해도를 분석하였다. 합성된 고분자와 광산 발생제를 섞어 제조한 포토레지스트는 노광을 통해 초임계 이산화 탄소에 대한 용해도가 감소되므로, 합성된 고분자의 초임계 이산화 탄소 전용 포토레지스트로서의 가능성을 확인하였다.

• 한국광학회지
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• 제33권6호
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• pp.324-330
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• 2022

포토레지스트의 노광 및 현상 특성을 각각 결정하는 Dill 및 Mack 모델 파라미터들을 측정하였다. 먼저, 노광량을 변화시켜가며 포토레지스트 샘플을 준비하였고, 노광량에 따른 투과율 변화를 측정하였다. 이 결과를 바탕으로 Dill 모델의 A, B, C 파라미터를 결정하였는데, 특히 C 파라미터를 결정하기 위하여 Dill 모델 방정식의 완전해를 사용하였다. 또한, 노광량별로 현상 시간에 따른 포토레지스트의 두께 변화를 측정하였고, 이 결과를 사용하여 Mack 모델의 R_min, R_max, a, n 파라미터를 결정하였다. 모델 파라미터 R_min, R_max, n만을 사용하는 간략화된 Mack 모델에 대해서도 파라미터값들을 결정해 보았는데, 네 개의 파라미터를 사용하는 본래 Mack 모델의 경우와 비교했을 때 측정결과와의 오차가 다소 커짐을 알 수 있었다.

• 청정기술
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• 제13권4호
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• pp.257-265
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• 2007

반도체 공정에서 배출되는 폐 포토레지스트 스트리퍼(photoresist stripper)의 주성분인 NMP (N-methy-pyrrolodione)와 BDG (Butyldiglyrcol)를 회수하여 재활용할 목적으로 나선형 스핀밴드시스템(spinning band stem)이 장착되어 있는 진공증류장치를 이용하여 실험실적 규모의 증류실험을 수행하였다. 정제된 NMP와 BDG의 순도는 포토레지스트 스트리퍼용 용제 기준 물성치인 순도 99.5% 이상이었고, 수분 1000 ppm 이하, 색도(APHA) 50 이하, 나트륨 성분을 제외한 대부분의 금속성분은 1 ppb 이하로 반도체용 스트리퍼 용액 제조에 재활용할 수 있는 수준임을 확인하였다. NMP와 BDG의 회수을은 PR스트리퍼 폐액 A 타입의 경우 NMP 96%, BDG 53%, B 타입의 경우 NMP 93%, BDG 57%이었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.237.2-237.2
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• 2015

본 연구에서는 포토레지스트 코팅과 전기도금 기술을 이용하여 3차원 갭을 가지는 전극을 제작하였다. 3차원 갭은 마이크로 전극이 배열된 하층과 벌크전극이 놓여진 상층으로 구성되었다. 갭의 크기는 하층 전극에 코팅된 포토레지스트의 두께와 하층 전극의 높이 차이로 결정되며, 코팅 두께가 다른 포토레지스트 ($3.5{\mu}m$, $1.25{\mu}m$)의 사용과 전기도금 기술을 병용하여 3차원 갭의 크기를 줄일 수 있다 (~150 nm). 제작한 3차원 갭 소자의 상 하층 전극에 각각 산화, 환원 전압을 인가함으로써, 유입된 ferricyanide의 redox cycling 을 유도 할 수 있음을 확인하였으며, 본 연구의 결과는 원자힘현미경 (AFM), 주사전자현미경 (SEM), 순환전압전류법 (CV) 및 시간대전류법 (CA)을 통해 분석 되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.247-247
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• 2010

전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서는 하나의 칩 위에 많은 센서 소자를 집적할 수 있으므로, 같은 종류의 센서를 다수 배열함으로써 다차원화할 수 있고, 다른 종류의 센서를 여러개 배열함으로써 다기능화할 수 있다. 또한 지능회로와 함께 집적하여 지능화하거나, 관련회로 및 장치들을 함께 집적함으로써 시스템화할 수 있기 때문에 최첨단 센서로 각광을 받고 있다. 그러나, 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서는 게이트 영역에 생체 분자를 고정시키는 것이 어렵고, 고정되더라도 생체 분자의 양이 미량이어서 재현성이 떨어지며, 생체 분자가 발생시키는 시그널이 적어 전류 세기 변화에 대한 검출감도가 저하되는 문제점이 있다. 본 연구에서는 반도체 리소그래피 공정을 이용하여 생체 분자를 물리 화학적 처리 없이 게이트 영역에 집중적으로 고정시킬 수 있는 기술에 대해 연구하였다. 산화막이 증착된 기판 위에 포토레지스트를 도포한 뒤 리소그래피공정을 이용하여 패터닝 하였으며 기판 위에 human embryonic kidney(HEK)-293 세포를 배양하였다. 연구결과, 친수성인 포토레지스트보다 소수성인 산화막 영역에 다수의 세포가 선택적으로 집중 배양됨을 확인하였다. 따라서 본 연구결과를 바이오센서에 적용할 경우 센서의 검출감도를 향상시킬 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2008년도 춘계학술발표논문집
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• pp.302-305
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• 2008

본 논문에서는 상압 플라즈마 방식이 적용된 반도체 에싱공정의 포토레지스트 에싱율을 향상시키기 위한 연구가 수행되었다. 웨이퍼 표면에 도포된 포토레지스트의 에싱율을 높이기 위하여 공정에 다구찌 기법을 적용하여 실험하였다. 유의한 인자를 파악하고 적합한 인자의 조합을 결정하여 에싱율 향상을 위한 효율적인 접근을 시도하였다. 이 연구는 상압플라즈마 방식이 적용된 에싱공정에서 개별 인자가 지니고 있는 시스템에 대한 기여율에 대하여 나타내었으며 또한 포토레지스트 에싱에 대한 플라즈마의 효용성을 보여준다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2010년도 춘계학술대회
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• pp.795-797
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• 2010

습식 식각은 식각용액으로서 화학용액을 사용하는 공정으로 반응물이 기판표면에서 화학반응을 일으켜 표면을 식각하는 과정이며, 표면결합의 제거를 위한 식각연마와 폴리싱을 위한 식각, 그리고 구조적 형상 패턴등이 있다. 여기서 화학용액은 산화제 또는 환원제 역할을 하는 혼합용액으로 구성된다. 습식 식각 시 수${\mu}m$의 해상도를 얻기 위해서는 그 부식액의 조성이나, 에칭시간, 부식액의 온도 등을 고려하여야 한다. 또한 습식 식각 후 포토 레지스트를 제거하는 과정에서 포토 레지스트를 깨끗이 제거해야 하며, 제거공정 자체가 a-Si:H 박막을 부식 하지 않을 조건으로 행하여야 한다. 포토레지스트 제거 후 잔류 포토 레지스트를 제거하기 위해서 본 실험에서는 RCA-I 세척 기법을 사용한 후 D.I 로 린스 하였다. 본 실험에서 사용한 금속은 Cr, Al, ITO 로 모두 DC sputter 방법을 사용해서 증착하여 사용하였다. Cr박막은 $1300\AA$ 정도의 두께를 사용하였고, ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 가시광 영역에서 투명하고 (80% 이상의 transmittance), 저저항 (Sheet Resistance : $50{\Omega}/sq$ 이하) 인 박막을 사용하였으며, 신호선으로 주로 사용되는 Al등의 증착조건에 따른 wet etching 특성을 조사하였다.