본 논문은 제어 공정의 파라미터의 동정과 축소모델을 이용하여 선형 및 비선형 특성을 고려한 PID 제어기 설계를 제안하였다. 제어기 파라미터값은 2차의 지연시간을 갖는 축소 모델의 파라미터값에 의해 결정되며, 외란 및 제어 공정의 파라미터 값이 변할 때에는 실제 모델의 동정을 통해 구하며, 또한 실제 공정과 축소 모델의 관계식을 통해 제어 파라미터 값을 실시간으로 보정하여 제어한다. 시뮬레이션을 통하여 실시간 모델 동정 및 제어 파라미터 값이 보정됨을 확인 할 수 있다.
본 논문은 2중 문턱값을 갖는 우선순위 스케쥴링 알고리즘과 버퍼의 히스테리시스 특성을 이용한 트레픽 제어기법을 제안하였다. 2중 문턱값을 갖는 우선순위 스케쥴링 알고리즘은 HOL과 QLT를 적용하였다. 버퍼의 히스테리시스 특성을 이용한 트래픽 제어기법으로는 히스테리시스성 QLT 알고리즘과 히스테리시스성 트래픽 유입제어를 제시하였다. 2중 문턱값을 갖는 동적 우선순위 스케쥴링 알고리즘이 기존의 QLT 알고리즘보다, 셀손실율과 평균지연에 있어서, 우수함을 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 고찰하였다. 또 히스테리시스성 QTL 알고리즘과 트래픽 유입량 제어기법은 단일 문턱값을 이용한 방식보다 각각 효율이 개선됨을 알 수 있었다.
Journal of the Korean Data and Information Science Society
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제23권2호
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pp.227-234
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2012
의학진단을 위해 여러 증상과 질병 사이의 거리를 이용하는 연구가 많이 진행되고 있다. 그러나 거리들이 비슷한 값을 가지는 경우가 많이 발생하며, 이들 거리의 차이값은 정규분포 또는 카이제곱분포 등과 같은 일반적인 통계분포를 따르지 않는다. 본 연구에서는 의학진단에 사용되는 해밍 거리들의 차이값에 대한 분포적 특성에 대해 살펴보고, 이 차이값의 유의성 검정에 대해 탐색해보고자 한다.
무선 통신에서는 무선 통신의 브로드캐스트한 특성으로 데이터의 기밀성 유지를 위한 암호화가 매우 중요하다. 특히 무선 센서 네트워크(WSN - Wireless Sensor Network)의 경우 일반적인 PC와는 다르게 다양한 환경에 위치할 수 있어 공격자에게 더 쉽게 노출 될 수 있는 문제점을 가지고 있다. 이런 환경에서 미리 저장된 해쉬 함수나 비밀 값에 의존한 키 분배를 할 경우 저장된 값이 노출될 경우 심각한 문제를 초래하게 된다. 그리고 D-H 키 분배 알고리즘의 경우 키 값을 안전하게 도출을 할 수 있지만 키를 도출한 대상에 대한 인증의 부재와 멀티 홉 환경에서 중간자 공격에 취약한 문제점을 드러내고 있다. 본 논문에서는 이런 문제를 해결하기위해 기존 연구를 응용하여 멀티 홉 환경에서 무선 통신의 특성을 이용한 비밀값 공유와 제 3의 노드를 이용한 간단한 인증이 가능한 기법을 제안한다.
비냉각 적외선 검출소자는 빛이 전혀 없는 환경에서도 사물을 감지하는 열상장비의 핵심소자이다. 마이크로볼로미터 적외선 검출기는 상온에서 동작하며, 온도안정화를 위해 TEC를 장착하여 진공패키지로 조립된다. 패키지는 진공을 유지할 수 있도록 일반적으로 메탈로 제작되며, 단가 감소 및 생산성 증대를 위해 wafer level packaging 방법을 이용한다. 마이크로볼로미터의 특성은 패키지의 진공 변화에 매우 민감하다. 센서의 감도를 증가시키기 위해서는 진공환경을 유지해야 한다. 볼로미터 소자의 특성은 상압에서 열전도는 기판과 멤브레인 사이의 에어갭을 통해 열손실을 야기하므로 센서의 반응도가 현저히 줄어든다. 에어갭이 1 um 정도 되더라도 그 사이에 존재하는 열전도가 가능하므로 진공을 유지하여 열고립 상태를 증대시킬 수 있다. 이에 본 연구에서는 소자의 동작시 압력, 즉 진공도가 볼로미터 소자의 반응도 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 마이크로볼로미터 소자는 $2{\times}8$ 어레이 형태로 제작하였으며, metal pad를 각 단위셀에 배치하였으며, 공통전극으로 한 개의 metal pad를 넣어 설계하였다. 흡수체로써 VOx를 사용하였으며, 열 고립구조를 위해 2.5 um 공명 흡수층의 floating 구조로 멤브레인을 형성하였다. 진공패키지는 메탈패키지를 제작하여 볼로미터 칩을 TEC 위에 장착하였으며, 신호의 감지를 위해 가변저항을 매칭시켰다. 반응도는 신호 대 잡음 값을 획득하여 소자에 도달하는 적외선 에너지에 대해 반응하는 값을 계산에 의해 얻어내는 것이다. 픽셀 크기는 $50{\times}50$ um이며, 패키지 조립 공정 후 온도변화에 따른 저항 측정을 통해 TCR 값을 얻었다. 이때 TCR은 약 -2.5%/K으로 나타났다. $2{\times}8$의 4개 단위소자에 대해 측정한 값은 균일하게 TCR 값이 나타났다. 광반응 특성은 볼로미터 단위소자에 대해서 먼저 고진공(5e-6 torr) 하에서 측정하였으며, 반응도는 25,000 V/W의 값을 나타내었고, 탐지도는 약 2e+8 $cmHz_{1/2}$/W로 나타났다. 패키지의 압력 조절을 위해 TMP 및 로터리 펌프를 이용하여 100 torr에서 1e-4 torr의 범위에서 압력조절 밸브를 이용하여 질소가스의 압력으로 진공도를 변화시켰다. 적외선 반응신호는 압력이 증가함에 따라 감소하였으며, 2e-1 torr의 압력에서 신호의 크기가 감소하기 시작하여 5 torr에서 반응도의 1/2 값을 나타냄을 알 수 있었다. 30 torr 이상에서는 신호가 잡음값 과거의 동일하여 신호대 잡음비가 1로 나타남을 알 수 있었다. 또한 진공도 변화에 대해, 흑체온도에 따른 반응도 및 탐지도의 특성을 조사한 결과를 발표한다. 반응도의 증가를 위해 진공도는 진공도는 1e-2 torr 이하의 압력을 유지해야 함을 본 실험을 통해 알 수 있었다.
본 연구에서는 강도수준(30, 50 및 70 MPa)에 따른 고유동 자기충전 콘크리트의 수화발열 특성을 알아보기 위하여 2성분계 및 3성분계 고유동 자기충전 콘크리트를 제조하여 일반콘크리트와 수화열, 응결 및 역학적 특성을 분석 고찰 하였으며, 콘크리트에 사용된 분체에 대한 미소수화열량을 측정하여 얻은 분체의 열특성값, 간이단열온도실험을 실시하여 얻은 콘크리트의 열특성값 및 콘크리트에 사용된 재료의 일반적인 열특성값을 간편한 방법의 추정식을 이용하여 콘크리트 단열온도를 추정하였다. 또한, 온도해석에 의하여 얻어진 수화열 및 단열온도 특성값을 MIDAS CIVIL 06 프로그램을 이용하여 3차원 온도응력 해석을 실시하여 고유동 자기충전 콘크리트의 수화발열 특성 및 수화열에 의한 온도응력을 분석 고찰하였다.
본 논문에서는 영상에서 역 s-순으로 스캔된 주변 픽셀 값들을 이용하여 픽셀 값을 정밀하게 예측할 수 있는 효율적인 픽셀 값 예측 기법을 제안하였다. 영상에는 일반적으로 인접 픽셀 값들 사이에 비슷한 값을 갖는 유사성(similarity)이 존재하고, 방향성이 있는 에지 특성(directional edge characteristics)이 존재할 수 있다. 인접 픽셀간의 유사성과 에지 특성을 이용하여 픽셀 값을 예측하는 GAP(Gradient Adjacent Pixel) 기법을 개선하여 픽셀 값 예측 정확도를 향상시키는 기법을 본 논문에서 제안하였다. 제안된 기법에서는 주변 픽셀들의 위치별 가중치를 사용하여 픽셀 값을 정밀하게 예측하도록 함으로 예측 픽셀 값의 정확도를 증가시켰다. 실제 영상에 대한 실험을 통하여 제안된 기법의 우수성을 확인하였다. 제안된 기법은 가역 데이터 은닉, 가역 워터마킹 및 데이터 압축 등의 응용들에 유용하게 사용될 수 있다.
광대역 초고속 광변조기소자 패키지와 연계되는 주요 문제점인 die feature, pigtailing, suppression of RF package resonance, RF launcher approach, termination approach의 5가지 특성을 차례로 분석한 후 우수한 특성이 나올 수 있도록 소자를 패키징하였다. Microcoax에 의해 패키징된 변조기의 전기적 특성인 S21은 10㎓ 이상까지 -3㏈ 이상의 파워를 유지하였고, $S_{11}$은 18㎓까지 -l5㏈를 유지하였다. 10㎓까지 광파워는 최대값으로부터 3㏈ 이상 떨어지지 않았고 50km 전송실험 후 소광비는 약 10.6㏈, 지터 값은 3.2ps로 양호한 값을 나타내어 패키징을 원만히 해결해야만 변조기의 변조 능력은 10㎓ 이상이 됨을 알 수 있다.
본 논문에서는 직류 대 직류 강압형 변환기의 전달함수 변환에 의한 새로운 제어방법을 제안하였다. 제안된 방법을 외란 및 회로변수 값의 번화 시 나타나는 영향을 최소화시키며, 변환기의 동특성에 영향을 미치는 출력필터의 공진과 동작점 변화에 의한 플랜트 특성 변화를 현저하게 개선시킨다. 먼저 전달함수 변환 제어 시 시스템의 특성을 나타내는 여러 가지 전달함수를 구하여, 이를 기존의 직류 대 직류 변환기에서의 전달 함수와 비교하였다. 또한 외란 및 회로변수 값 변화시의 기준 전압 대 출력 전압 전달함수의 민감도를 구하여 회로변수 값 변화 시 나타나는 특성이 개선됨을 보이고, 마지막으로 모의실험과 실험을 실시하여 제안된 제어 방법이 기존의 제어 방법과 비교하여 우수한 성능을 가짐을 보였다.
본 논문에서는 p형 SiGe pMOSFET를 디자인하고 온도에 따른 전기적 특성들을 분석하였다. 채널 길이는 0.9$\mu\textrm{m}$로 하였으며, 온도는 300K와 77K일 때의 특성을 조사하였다. 게이트 전압이 -1.5V로 인가되었을 때, 실온에서는 -0.97V의 문턱전압 값을 얻었으나 77K에서는 -1.15V의 문턱전압 값을 얻었다. 이것은 실온에서의 Si pMOSFET가 갖는 문턱전압 값(-1.36V)보다 동작특성이 우수함을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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