• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.547-548
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• 2008

Linearity improvement technique of transconductor is presented in the paper. In order to certify the linearity improvement of proposed transconductor, the 3rd-order Elliptic low-pass Gm-C filter which provides 5MHz cutoff is implemented by using the transconductor. According to the IIP3 measurement result of filters, proposed filter has higher IIP3 than normal source-degeneration filter; the In-band IIP3 of proposed and normal filter are 10.1 dBm and 7.5 dBm respectively. The filter is fabricated in 1P6M $0.18-{\mu}m$ CMOS while consuming the 3.3mW with 1.8 Vdd. The in-band input-referred noise voltage is $62.3{\mu}Vrms$ and the SFDR is 54.1 dB.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.1053-1056
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• 2003

A distortion suppression technology for employing multiple inputs in 3n+1 type current mode Max circuit is proposed using the adjustment of transconductance. If the number of inputs in current mode Max circuit increases, the high frequency distortion in the output signal grows. In this paper, it has been disclosed that the distortion in the multiple input Max circuit is proportional to sum of parasitic capacitance in input terminals, to the derivative of the output signal and also to the inverse of transconductance of the common diode-connected transistor. The proposed idea is by employing as larger transconductance of the common diode-connected transistor as possible. The effectiveness of the proposed idea has been proved through the HSPICE simulation.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제6권6호
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• pp.891-896
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• 2002

본 논문에서는 저전압 동작이 가능하도록 완전차동 구조의 적분기에 전압조절을 위한 튜닝회로를 추가하여 새로운 적분기를 제안하였다. 제안된 적분기는 이득과 주파수 더 나아가 응용회로의 특성에 영향을 주는 트랜스컨덕턴스값을 증가시키기 위해 전류미러 방식을 이용하여 구성되었다. HSPICE 시뮬레이션 결과, 제안된 적분기는 기존의 완전자동 구조의 적분기에 비해 그 이득값이 두 배 이상 향상되었으며, 간단한 전압조절을 통한 이득 및 주파수 조절이 가능하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권4호
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• pp.274-280
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• 2001

This paper presents transconductance (g$\_$m/( characteristics of GaAs MESFET's at high temperatures ranging from room temperature to 350$\^{C}$. GaAs MESFET of 0.3x750[㎛] gate dimension has been used to obtain the experimental data. Gate to source voltage(V$\_$GS/) has been controlled to obtain the temperature dependent characteristics for maximum transconductance g$\_$mmax/ of the device. Furthermore g$\_$mmax/ and expected g$\_$m/ have been traced with temperatures ranging from room temperature to 350$\^{C}$ also by compensating for C$\_$GS/ to maintain the optimum operation of the device. From the results, V$\_$GS/decreases as the operating temperature increases for optimum operation of the transconductance. Finally V$\_$GS/ has been optimized to trace g$\_$mmax/ and enhances the decreased g$\_$m/ with different temperatures.

• ETRI Journal
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• 제13권4호
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• pp.35-41
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• 1991

저전력 고집적 GaAs 디지틀 IC에 적합한 기본 논리회로인 DCFL (Direct Coupled FET Logic) 을 구현하기 위한 소자로 WSi게이트 MESFET 공정을 연구하였으며, 이와 함께 TiPtAu 게이트 소자를 제작하였다. MESFET 의 제작은 내열성게이트를 이용한 자기정렬 이온주입 공정을 사용하였으며 주입된 Si 이온은 급속열처리 방법으로 활성화하였다. 또한 제작공정중 저항성 접촉의 형성은 절연막을 이용한 리프트 - 오프 공정을 이용하였다. 제작된 WSi게이트 MESFET은 $1\mum$ 게이트인 경우 222mS/mm의 트랜스컨덕턴스를 나타내어 우수한 동작특성과 집적회로 공정의 적합성을 보였으며 이와 동등한 공정조건으로 제작된 TiPtAu 게이트 MESFET 은 2" 기판 내에서 84mV의 임계전압 변화를 나타내었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권7호통권361호
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• pp.31-36
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• 2007

주파수를 직류 바이어스 전류로 제어할 수 있는 톱니파 발생기를 제안하였다. 제안된 발생기는 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기 (OTA)를 스위치 소자로 이용하고 있으며, 회로 구성이 간단하면서도 넓은 주파수 스윙 능력을 갖는 특징을 가지고 있다. 발생기 회로를 상용화된 개별 소자들로 구성하여 실험한 결과, 발생기 회로의 전류-대-주파수 전달 특성의 선형성이 우수하고 비교적 낮은 온도 감도를 보인다는 것을 알았다.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
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• 제21권5호
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• pp.477-485
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• 2000

본 논문에서는 신경신호기록을 위한 반도체 미세전극용 전치증폭기의 잡음특성을 설계하기 위한 체계적인 방법을 제시한다. 세포외기록(extracellular recording)에 의하여 측정된 신경신호와 전형적인 CMOS소자의 저주파 잡음특성을 함계 고려하여 전체 신호대잡음비를 계산하였다. 2단 CMOS 차동증폭기에 대한 해석과 함께 신호대잡음비에 중요한 영향을 끼치는 요소들에 대하여 설명하였다. 출력잡음전력에 대한 해석적인식을 유도하였으며 이로부터 회로설계자가 조절할 수 있는 주파수응답과 소자 파라미터들을 결정하였다. 입력소자의 크기와 트랜스컨덕턴스의 비가 최적영역으로부터 약간 벗어날 경우에 신호대잡음비가 크게 저하됨을 보였다. 이와 함께 만족스런 잡음특성을 위한 증폭이의 설계 변수 값들도 제시하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
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• pp.275-277
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• 2014

본 논문에서는 다양한 주파수 튜닝이 가능한 직접변환방식을 이용한 Gm-C 능동필터 회로를 설계하였다. 설계된 필터는 집적회로를 튜닝하여 요구되는 기준주파수 및 대역폭과 이득을 만족시킬 수 있다. 필터에 사용된 OTA회로는 전달 트랜스컨덕턴스 값을 외부전압으로 제어할 수 있도록 설계하여 다양한 주파수대역에서 사용할 수 있다는 장점을 가진다. 설계된 필터는 ripple 전압을 최소화 하고 이득 값을 높일 수 있는 Elliptic 필터를 사용하였다. 집적화를 위하여 수동필터를 능동필터로 변환할 수 Gyrator 방식을 이용하였다. HSPICE 시뮬레이션 결과, 외부전압을 1.0V~1.9V까지 변화를 주었을 때 1.4MHz ~ 2.8MHz의 차단주파수의 조정이 가능하였고 소비전력은 4.5mW~20mW임을 측정하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권2호
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• pp.47-55
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• 2012

본 논문에서는 능동-가중치 전하 샘플링을 이용하는 고차의 시간상 이동평균 필터가 제안된다. 샘플링되는 전하의 비율을 바꾸기 위해서 가변 트랜스컨덕턴스 증폭기(variable transconductance OTA)가 전하 샘플러 앞단에 사용되며, 전하의 비율은 OTA의 제어 트랜지스터들을 스위칭하여 효과적으로 변하게 된다. 그 결과, 능동-가중치 샘플링을 이용하는 고차의 시간상 이동평균 연산이 가능해진다. 또한, OTA의 트랜스컨덕턴스는 제어 트랜지스터들의 크기를 통해 비율이 조절되므로 비교적 정확하며 공정 변화에 안정적이다. 고차의 시간상 이동평균 필터는 소수의 스위치와 샘플링 커패시터를 사용하므로 작은 크기와 높은 전압 이득을 가지며 기생 성분의 발생을 줄일 수 있다. 제안된 고차의 시간상 이동평균은 2차-2입력 시간상 이동평균 (TMA-$2^2$) 필터로 TSMC $0.18-{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 구현되었다. 설계된 필터의 전압 이득은 약 16.7 dB이며 P1dB와 IIP3는 각각 -32.5 dBm과 -23.7 dBm으로 시뮬레이션된다. 출력 버퍼를 포함한 전체 직류 전류 소모는 약 9.7 mA이다.

• 전기전자학회논문지
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• 제12권3호
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• pp.167-171
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• 2008

저항형 센서 브리지를 인터페이싱 하기 위한 저항 편차-주파수 변환기를 제시하였다. 이 변환기는 선형 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기(linear operational transconductance amplifier: LOTA)와 전류-제어 발진기(current-controlled oscillator: CCO)로 구성된다. 제시된 변환기를 상업용 개별 소자들을 이용하여 SPICE 시뮬레이션 하였다. 시뮬레이션 결과는, 변환기가 16.90 kHz/${\Omega}$의 변환 감도와 ${\pm}$0.03 %의 최대 선형 오차를 가진다는 것을 보여준다.