• Information and Communications Magazine
• /
• v.10 no.11
• /
• pp.732-732
• /
• 1993

• Proceedings of the Korean Institute of Communication Sciences Conference
• /
• 1983.04a
• /
• pp.33-40
• /
• 1983

• Electronics and Telecommunications Trends
• /
• v.4 no.3
• /
• pp.106-120
• /
• 1989

반도체 집적회로(IC)가 고집적화됨에 따라 소자는 계속 축소화되고 이에 따른 소자 제조공정은 더욱 엄격하고 복잡해지고 있다. 그 중 절연막 분야에서는 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) 소자의 절연막과 기억소자에서의 capacitor 절연막의 초박막화와 고신뢰화가 매우 주목 받고 있는 분야이다. 본 고에서는 지난 1989년 5월 Kyoto에서 IEEE Electron Device Society와 일본 응용물리학회가 공동주최로 개최된 '1989 Symposium on VLSI Technology' 에서 발표된 논문 중에서 절연막에 관련된 논문을 분석 정리함으로써 절연막에 대한 최근 기술 동향을 파악하고자 하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
• /
• v.30 no.2
• /
• pp.1-13
• /
• 2015

포토닉스 기술에 기반한 테라헤르츠 발생/검출 소자 기술은 광대역/저잡음 테라헤르츠 시스템 기술의 기반이 된다. 이것은 주파수 대역의 특성으로 인해 소자의 설계와 제작에 있어서 반도체, 광소자 관련 기술에서 RF 회로 및 안테나에 이르는 광범위한 분야의 기술이 통합적으로 적용되어야 하는 흥미로운 분야인 동시에, 향후의 기술발전에 따라 새로운 주파수 대역이 개척됨으로써 많은 응용기술이 파생될 수 있는 중요한 분야이다. 본고는 현재 본 센터에서 개발 중인 소자들을 중심으로 포토닉스 기반 테라헤르츠 기술 전반의 현황을 요약하고, 향후의 발전방향을 예측해 보고자 한다.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
• /
• v.9 no.1
• /
• pp.47-52
• /
• 2009

Many techniques to realize e-paper is proposed, but full requirement of e-paper is still not satisfied. In this paper, driven condition and gray scale representation method of e-paper is proposed. As a result of this study, multi-channel drive for allowing gray scale representation by cell is developed. And also drive circuit design for liquid powder display panel is developed.

• Electronics and Telecommunications Trends
• /
• v.29 no.6
• /
• pp.43-52
• /
• 2014

수 원자층 두께의 전이금속 칼코겐화물 이차원 반도체 소재는 스위칭 소자 등에 활용하기에 적합한 밴드갭 에너지를 가지며, 높은 이동도와 우수한 광반응성으로 인해 최근 큰 관심을 끌고 있다. 특히 이차원 소재이므로 dangling bond가 없다는 점, 구조적 안정성, 실리콘에 뒤지지 않는 고이동도, 직접천이 특성 등으로 인해 차세대 전자소자용, 더 나아가 실리콘 반도체 대체 소재로써의 가능성도 점쳐지고 있다. 본고에서는 전이금속 칼코겐화물 이차원 반도체의 소재 특성과 제조방법, 소자 응용면에서의 기술개발 동향, 시장전망 등에 대해 소개하고, 이 소재가 현재 기대하는 만큼 중요하게 활용되고 기술이 발전하기 위해서 반드시 해결해야 할 숙제 등에 대해 논의하고자 한다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
• /
• 2003.08a
• /
• pp.35-37
• /
• 2003

본 논문에서는 진행파형 전계 흡수 광 변조기를 3차원 FDTD를 이용하여 도파관의 폭과 진성영역의 두께 그리고 N-도핑층의 도핑수준을 변화시키면서 최적화된 구조를 설계하였다. 제작된 소자의 구조는 진성영역의 두께는 $0.9{\mu}m$, 도파관의 폭은 $6{\mu}m$이며 전체 소자의 길이는 $700{\mu}m$ 이다. 제작된 소자의 마이크로파 특성을 측정하였으며 마이크로파 특성과 광 특성을 사용하여 주파수 응답특성을 추정하였다. 소자의 길이가 $400{\mu}m$ 일 때 17.8 GHz의 주파수 응답특성을 얻었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2001.10a
• /
• pp.621-625
• /
• 2001

In this article, piezoelectric films and their application for film bulk acoustic resonator (FBAR) devices are presented. The FBAR is composed of piezoelectric film sandwiched between top and bottom electrodes and an acoustic reflector of SiO$_2$/W slatted multilayers. Various FBAR devices were fabricated and evaluated through simulation and measurement. The insertion loss, return loss and Q-factor were observed to be reasonably high and good. The FBAR technology seems very promising particularly for RF band filter application.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2002.05a
• /
• pp.261-263
• /
• 2002

CMOS devices have scaled down to sub-50nm gate to achieve high performance and high integration density. Key challenges with the device scaling are non-scalable threshold voltage( $V^{th}$ ), high electric field, parasitic source/drain resistance, and $V^{th}$ variation by random dopant distribution. To solve scale-down problem of conventional structure, a new structure was proposed. In this paper, we have investigated double-gate MOSFET structure, which has the main-gate and the side-gates, to solve these problem.

• Electronics and Telecommunications Trends
• /
• v.23 no.6
• /
• pp.32-37
• /
• 2008

최근 연구가 활성화되고 있는 능동형 전파식별(RFID) 및 유비쿼터스 센서 네트워크(USN) 기술은 그 파급효과가 매우 크고 방대하여 향후 미래 핵심 산업으로 자리잡을 것으로 예상되고 있다. 이러한 RFID 센서 태그 및 USN 센서 노드의 구동을 위해서는 태그나 노드 규격에 적합한 초소형이면서도 경량이고 장수명성을 가지는 전원소자 기술을 확보하는 것이 매우 중요하다. 현재는 이러한 RFID/USN용 센서 태그/노드에 일부 적용되어 그 가능성을 인정받은 전원소자 중 대표적인 것으로 리튬 이차전지와 필름형 일차전지가 있다. 본 고에서는 RFID/USN용 전원소자의 기본 개념 및 규격, 그리고 요구조건 등을 소개하고 국내.외 연구 및 특허 동향과 시장전망 등을 분석하여 향후 기술개발을 위한 참고자료로 삼았으면 한다.