• Title/Summary/Keyword: 크기분포함수

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Analysis of Subthreshold Current Deviation for Gate Oxide Thickness of Double Gate MOSFET (게이트 산화막 두께에 따른 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 전류 변화 분석)

  • Jung, Hakkee;Jeong, Dongsoo;Lee, Jong-In;Kwon, Oshin
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2013.05a
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    • pp.762-765
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    • 2013
  • This paper analyzed the change of subthreshold current for gate oxide thickness of double gate(DG) MOSFET. Poisson's equation had been used to analyze the potential distribution in channel, and Gaussian function had been used as carrier distribution. The potential distribution was obtained as the analytical function of channel dimension, using the boundary condition. The subthreshold current had been analyzed for gate oxide thickness, and projected range and standard projected deviation of Gaussian function. Since this analytical potential model was verified in the previous papers, we used this model to analyze the subthreshold current. Resultly, we know the subthreshold current was influenced on parameters of Gaussian function and gate oxide thickness for DGMOSFET.

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Analysis of Subthreshold Current Deviation for Gate Oxide Thickness of Double Gate MOSFET (채널도핑농도에 따른 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 전류 변화 분석)

  • Jung, Hakkee
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2013.05a
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    • pp.768-771
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    • 2013
  • This paper analyzed the change of subthreshold current for channel doping concentration of double gate(DG) MOSFET. Poisson's equation had been used to analyze the potential distribution in channel, and Gaussian function had been used as carrier distribution. The potential distribution was obtained as the analytical function of channel dimension, using the boundary condition. The subthreshold current had been analyzed for channel doping concentration, and projected range and standard projected deviation of Gaussian function. Since this analytical potential model was verified in the previous papers, we used this model to analyze the subthreshold current. As a result, we know the subthreshold current was influenced on parameters of Gaussian function and channel doping concentration for DGMOSFET.

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Gate Oxide Dependent Subthreshold Current of Double Gate MOSFET (이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 전류에 대한 게이트 산화막 의존성)

  • Jung, Hakkee
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.18 no.2
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    • pp.425-430
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    • 2014
  • This paper analyzed the change of subthreshold current for gate oxide thickness of double gate(DG) MOSFET. Poisson's equation had been used to analyze the potential distribution in channel, and Gaussian function had been used as carrier distribution. The potential distribution was obtained as the analytical function of channel dimension, using the boundary condition. The subthreshold current had been analyzed for gate oxide thickness, and projected range and standard projected deviation of Gaussian function. Since this analytical potential model was verified in the previous papers, we used this model to analyze the subthreshold current. Resultly, analytical model showed that subthreshold current was influenced by parameters of Gaussian function and gate oxide thickness of DGMOSFET.

Analysis of Breakdown Voltages of Double Gate MOSFET Using 2D Potential Model (이차원 전위분포모델을 이용한 이중게이트 MOSFET의 항복전압 분석)

  • Jung, Hakkee
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.17 no.5
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    • pp.1196-1202
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    • 2013
  • This paper have analyzed the change of breakdown voltage for channel doping concentration and device parameters of double gate(DG) MOSFET using two dimensional potential model. The low breakdown voltage becomes the obstacle of power device operation, and breakdown voltage decreases seriously by the short channel effects derived from scaled down device in the case of DGMOSFET. The two dimensional analytical potential distribution derived from Poisson's equation have been used to analyze the breakdown voltage for device parameters such as channel length, channel thickness, gate oxide thickness and channel doping concentration. Resultly, we could observe the breakdown voltage has greatly influenced on device dimensional parameters as well as channel doping concentration, especially the shape of Gaussian function used as channel doping concentration.

Effect of Soil Structure on Soil-Water Characteristic in Unsaturated Soil (불포화토에서 흙의 구조가 흙-함수특성에 미치는 영향)

  • Hwang, Woong-Ki;Kang, Ki-Min;Kim, Tae-Hyung;Song, Young-Suk
    • Journal of the Korean Geotechnical Society
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    • v.28 no.2
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    • pp.33-42
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    • 2012
  • The purpose of this study is to determine the effect of soil grain size and its distribution on soil-water characteristic. To do this, soil-water characteristic tests were conducted on Saemangeum silt using the axis translation technique. For comparison, the test was also conducted on Jumunjin sand. Using the test results, the soil-water characteristic curves (SWCCs) of Saemangeum silt and Jumunjin sand were predicted by Van Genuchten model. By comparison and analysis between two SWCCs, the silt shows higher values of matric suction, water content, and air entry value than the sand. On the other hand, the sand has higher values of Van Genuchten model parameters of ${\alpha}$, $n$, $m$ than the silt. It indicates that the SWCC is significantly dependent on the structure of soils. In other words, if a soil has relatively high grain size and poor grain size distribution curve, the values of saturated volumetric water content, residual volumetric water content, and air entry value are small, and the variation of volumetric water content is high in accordance with the matric suction variation, and consequently it shows a narrow range of funicular region.

Analysis of Subthreshold Swing for Channel Length of Asymmetric Double Gate MOSFET (비대칭 DGMOSFET의 채널길이에 대한 문턱전압이하 스윙 분석)

  • Jung, Hakkee;Lee, Jongin;Cheong, Dongsoo
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2014.10a
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    • pp.745-748
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    • 2014
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 채널길이에 대한 문턱전압이하 스윙의 변화에 대하여 분석하였다. 문턱전압이하 스윙은 트랜지스터의 디지털특성을 결정하는 중요한 요소로서 채널길이가 감소하면 특성이 저하되는 문제가 나타나고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 개발된 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙의 채널길이에 대한 변화를 채널두께, 산화막두께, 상하단 게이트 전압 및 도핑농도 등에 따라 조사하고자 한다. 특히 하단 게이트 구조를 상단과 달리 제작할 수 있는 비대칭 DGMOSFET에 대하여 문턱전압이하 스윙을 분석함으로써 하단 게이트 전압 및 하단 산화막 두께 등에 대하여 자세히 관찰하였다. 문턱전압이하 스윙의 해석학적 모델을 구하기 위하여 포아송방정식에서 해석학적 전위분포모델을 유도하였으며 도핑분포함수는 가우스분포함수를 사용하였다. 결과적으로 문턱전압이하 스윙은 상하단 게이트 전압 및 채널도핑농도 그리고 채널의 크기에 매우 민감하게 변화하고 있다는 것을 알 수 있었다.

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유한한 크기를 가지는 유도 결합 플라즈마에서 비충돌 가열 매커니즘 연구

  • Gu, Seul-Lee;Gang, Hyeon-Ju;Kim, Yu-Sin;Jang, Yun-Min;Gwon, Deuk-Cheol;Jeong, Jin-Uk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2015.08a
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    • pp.140.2-140.2
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    • 2015
  • 낮은 압력의 평판형 유도 결합 플라즈마 (Inductively Coupled Plasma, ICP)에서 챔버 높이를 바꾸면서 전자 에너지 확률 함수 (Electron Energy Probability Function, EEPF)를 측정하였다. 측정된 전자 에너지 확률 함수에서 기울기가 평평한 부분이 관찰됐고, 이러한 전자 에너지 분포함수의 평평한 부분은 챔버 높이를 증가함에 따라 높은 전자 에너지로 옮겨졌다. 이러한 현상을 분석하기 위해서 2차원 비충돌 가열 메커니즘이 포함된 유도 결합 플라즈마 모델로부터 전자 에너지 확산 계수와 이론적인 전자 에너지 확률 함수를 구하여 실험 결과와 비교하였다. 이를 통하여, 측정된 전자 에너지 확률 함수의 평평한 부분은 전자 튕김 공진 (electron bounce resonance)에 의한 것임을 알 수 있었다.

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A goodness - of - fit test for the exponential distribution with unknown parameters (모수가 미지인 상황에서의 지수분포성 적합도 검정방법)

  • 김부용
    • The Korean Journal of Applied Statistics
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    • v.4 no.2
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    • pp.157-170
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    • 1991
  • This article is concerned with the goodness - of - fit test for exponentiality when both the scale and location parameters are unknown. A test procedure based on the $L_1$-norm of discrepancy between the cumulative distribution function and the empirical distribution function is proposed, and the critical values of the test statistic are obtained by Monte Carlo simulations. Also the null distributions of the proposed test statistic are presented for small sample sizes. The power of tests under certain alternative distributions is investigated to compare the proposed test statistic with the well-known EDF test statistics. Our Monte Carlo power studies reveal that the proposed test statistic has good power properties, for moderate-to-large sample sizes, in comparison to other statistics although it is a conservative test.

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Temperature and Wind Control of Virtual Warmth Image Using Fuzzy Reasoning Rule (퍼지 추론 규칙을 이용한 가상의 열 영상 온도와 풍향 제어)

  • Kang, Kyoung-Min;Kim, Kwang-Baek
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2008.10a
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    • pp.387-392
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    • 2008
  • 본 논문에서는 에너지 절약을 위한 방법으로 여름철 냉방의 적정 온도 및 풍향을 제어하기 위한 가상의 시뮬레이션을 목적으로 열 영상과 퍼지 추론 규칙을 적용한 온도 및 풍향 제어 기법을 제안한다. 온도 제어를 위한 가상 시뮬레이션에서 열 영상을 분석하기 위해서 영상을 $300{\times}400$의 크기를 가지는 색상 분포 영상으로 변환한다. 색상 분포 영상은 Red, Magenta, Yellow, Green, Sky, Blue의 온도 값을 가지는 R, G, B 값이며 각 색상은 $ 24.0^{\circ}C$에서 $27.0^{\circ}C$의 분포의 온도 값을 가진다. 색상 분포 영상은 아래 계층부터 레벨1에서 레벨10의 높이 계층으로 분류한다. 분류한 각 계층은 고유의 색상 분포도를 가지며 색상이 가지는 온도 수치에 따라서 계층별로 온도를 구성한다. 풍향 제어를 위한 각 계층의 높이는 레벨1에서 레벨3까지는 하위층이며, 레벨 4부터 레벨 7은 중간층, 레벨 8부터 레벨 10은 상위층으로 분류한다. 각 계층의 온도와 높이 레벨 값은 온도 조절과 풍향의 우선 순위, 강도 조절, 지속 시간을 구하기 위한 파라미터이다. 실내 공간의 전체적인 온도의 균형과 풍향을 제어하는 과정으로 풍향의 방향, 지속시간을 적용하고 풍향의 강도를 구하기 위해서 색상 분포영상의 각 구간의 온도 및 높이의 특징을 적용하여 퍼지 소속 함수를 설계한 후, 소속 함수의 소속도를 구하고 퍼지 추론 규칙을 적용하여 풍향의 강도를 구한다.

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중도절단된 생존함수의 신뢰구간 비교연구

  • Lee, Gyeong-Hwa;Lee, Jae-Won
    • Proceedings of the Korean Statistical Society Conference
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    • 2005.05a
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    • pp.251-255
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    • 2005
  • 중도절단된 자료와 표본수가 적은 자료를 가지는 생존분석에서 생존율을 추정하거나 두 집단의 생존율을 비교할 때 정규분포 근사를 가정한 신뢰구간을 이용하는 데는 많은 어려움이 생긴다. 생존함수의 신뢰구간에 대한 중도절단을, 표본의 크기에 따른 다양한 상황의 모의실험을 통하여 Kaplan-Meier, Nelson, 적률 추정량 그리고 cox model의 ${\beta}$을 가지고 붓스트랩을 이용한 신뢰구간과 비모수 신뢰구간, 우도비 신뢰구간의 실제 포함 확률을 비교해보고자 한다.

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