• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.11a
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• pp.205-206
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• 2018

LLC 컨버터는 1차측 스위치의 ZVS, 2차측 다이오드의 ZCS를 만족하며 높은 Power density로 인해 여러 분야에서 각광 받고 있는 시기이다. 기존의 FHA를 통해 LLC 컨버터를 해석하여 전압이득을 구하고 이를 기반으로 설계를 하지만 실제로는 기본파 성분뿐만 아니라 고조파 성분을 포함하므로 다소 오차가 존재하게 된다. 따라서 이 논문에서는 기존의 FHA에서 반영하지 않았던 출력 캐패시터의 영향을 반영함으로써 보다 정확한 LLC 컨버터의 전압이득 곡선을 제안한다.

• Journal of IKEEE
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• v.10 no.2 s.19
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• pp.156-160
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• 2006

Capacitance versus voltage (C-V) curves of Ge-nanocrystal (NC)-embedded MOS capacitors with and without a single capping Al2O3 layer are characterized in this work. C-V curves of the Ge-NC-embedded MOS capacitor with the A12O3 layer are counterclockwise in the voltage sweeps, which indicates tile presence of charge storages in the Ge NCs by the tunnelling of charge carriers between the Si substrate and the Ge NCs. In the Ge-NC-embedded MOS capacitor without Al2O3 layer, clockwise hysteresis of the C-V curves and leftward shifts of the flat band voltages are observed for the embedded MOS capacitor without the Al2O3 layer. It is suggested that the characteristics of the C-V curves are due to the charge trapping at oxygen vacancies within a SiO2 layer. In addition, the illumination of the white light enhances the lower capacitance part of the C-V hysteresis. The origin for the enhancement is discussed in this paper.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics C
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• v.36C no.1
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• pp.49-58
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• 1999

This paper describes an integrated low pass filter fabricated by using $0.8{\mu}m$ single poly CMOS ASIC technology. The filter has been designed for a 5th-order elliptic switched capacitor filter with cutoff frequency of 5khz, 0.1dB passband ripple. The filter consists of MOS swiches poly capacitors and five CMOS op-amps. For the realization of the SC filter, continuous time transfer function H(s) is obtained from LC passive type, and transfered as discrete time transfer H(z) through bilinear-z transform. Another filter has been designed by capacitor scaling for reduced chip area, considering dynamic range of the op-amp. The test results of two fabricated filters are cutoff frequency of 4.96~4.98khz, 35~38dB gain attenuation and 0.72~0.81dB passband ripple with the ${\pm}2.5V$power supply clock of 50KHz.

• Proceedings of the KSR Conference
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• 2010.06a
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• pp.1345-1351
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• 2010

First, In this essay we research about secondary source unit(SIV)180KVA is install on VVVF direct subways for using Filter Capacitor(FC) maintenance & limit of use. Vehicle's extendly use and congestly at load for Catenary voltage and load change about output change and in SIV unit there are important device named GTO Thyristor, Power Transistor Module device become short and it often happen. We analysis the fault cause and there are effects and we know the secondary source unit in filter capacitor FC1~4 input harmonic distortion component's filtering don't do correctly so we study the capacitor extend use for the component change and the outside condition by slow property changed happen and we check before and when its fault, its difficult to measure. Finally, In this research we care for this reason and we study about capacitor maintenance through control and measure ways improvement and capacitor's life spans limit of use.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.10 no.6
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• pp.814-821
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• 1999

The specific capacitance characteristics of the electric double layer capacitors(ELDC) which were made of phenol based activated carbon fiber(ACF) electrodes. Also the effect of aqueous electrolytes on the cell performance has been investigated with respect to different specific surface areas of electrodes and different kinds of aqueous electrolytes. It has been shown that larger surface area and pore size, higher conductivity of electrodes, and higher ion mobility of electrolytes have better specific capacitances. It has been found that heat treatment at $1200^{\circ}C$ and $CO_2$ post-activation at $900^{\circ}C$ of the electrode are effective to improve the specific capacitance over 145F/g and 165F/g, respectively. The EDLC showed high efficiency and long cycle life over 30000 cycles.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.8 no.1
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• pp.1-5
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• 2005

Electric double layer capacitors(EDLCS) based on the charge stored at the interface between a hi팀 surface area carbon electrode and an organic electrolyte solution are widely used as a maintenance-free power source for IC memories and microcomputers. The achievement of the excellent performance of the capacitor requires an electrolyte solution which provides high conductivities over a wide temperature range and good electrochemical stabilities to allow the capacitor to be operated at high voltage. The electrochemical capacitor using a carbon material as electrodes and using an organic electrolyte with $1M-LiPF_6$ in PC-GBL-DEC(volume ratio 1:1:2) has specific capacitance of 64F/g.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.350-350
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• 2008

최근 이동 통신 분야에서 전자기기들의 고주파화와 소형화에 대한 관심이 높아지면서 고주파 소자로서 필수적으로 사용 되어온 디커플링 캐패시터도 이 두 가지 요구를 만족시키기 위해 기존의 표면 실장형에서 평판 형태인 기판 내장형 캐패시터로 발전해 가고 있다. 이를 실현하기 위한 공정법으로 Low Temperature Co-fired Ceramics (LTCCs)와 polymer composite등의 연구가 진행되고 있으나 LTCCs는 높은 공정온도에 의한 내부 확산과 서로 다른 열팽창 계수에 의한 소결후의 수축과 같은 단점들을 가지고 있으며 polymer composite 은 비교적 낮은 공정온도에도 불구하고 유전특성과 방열특성이 우수하지 못한 문제점을 가지고 있었다. 이러한 단점들을 극복하기 위해 Aerosol Deposition Method (ADM)를 주목하게 되었다. 이 공정 법은 상온 저 진공 분위기에서 세라믹 분말을 기판에 고속 분사시켜 기공과 균열이 거의 없는 치밀한 나노구조의 세라믹을 제작하는 새로운 코팅기술이다. 본 연구에서는 고주파용 디커플링 캐패시터의 응용을 위하여 상온에서 높은 유전율을 가지며 강유전체 물질인 $BaTiO_3$를 사용하였다. 출발원료로서 0.45 ${\mu}m$크기의 $BaTiO_3$ 분말을 이용하여 상온에서 submicron에서 수 micron의 두께로 성막하였다. 그러나 ADM으로 $BaTiO_3$ 막을 성막할 경우 유전율이 100이하로 급격히 떨어지는 현상이 기존 연구에서 보고되어 왔으며 본 연구에서도 이를 확인하였다. 디커플링 캐패시터의 밀도를 높이기 위해서 유전체의 유전율을 높이거나 두께를 앓게 하는 방법이 있으나 이번 연구에서는 박막화에 초점을 맞추어 진행하였다. 하지만 $BaTiO_3$ 막의 두께를 $1{\mu}m$이하의 박막으로 제조했을 경우 XRD 분석을 통하여 결정상이 얻어졌음을 확인했음에도 불구하고 유전체로서의 특성을 보이지 않았다. 이 원인을 $BaTiO_3$ 박막의 누설전류에 의한 것이라고 판단하고 $BaTiO_3$ 박막과 기판과의 계면 및 미세구조를 확인하였으며 이것이 전기적 특성에 미치는 영향에 대해 분석하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.7 no.8
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• pp.1591-1597
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• 2003

In this paper, Active Resonator Oscillator using active inductor and active capacitor with HEMTs(agilent ATF­34143) is designed and fabricated. Active inductor with ­25$\Omega$ and 2.4nH in 5.5GHz frequency band and Active capacitor with ­14$\Omega$ and 0.35pF is designed. Active Resonator Oscillator for LO in ISM band(5.8GHz) is designed with active inductor and active capacitor. Active Resonator Oscillator has been simulated by Agilent ADS 2002C. Active Resonator oscillator implemented on the substrate which has the relative dielectric constant of 3.38, the height of 0.508mm, and metal thickness of 0.018mm. This Active Resonator Oscillator shows the oscillation frequency of 5.68GHz with the output power of ­3.6㏈m and phase noise of ­81㏈c/Hz at the offset frequency of 100KHz.

• Journal of Advanced Navigation Technology
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• v.17 no.6
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• pp.720-725
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• 2013

This paper has presented that fringing-electric fields enhanced by a finger-type electrode can improve the tunability of the tunable capacitor. Its top electrodes with different area and line width are designed in types of the finger for a long conducting perimeter. The tunable varactors were fabricated on a quartz substrate employing a multi-layer dielectric of a para/ferro/para-electric thin film. Compared to the conventional capacitor, finger-type capacitors are analyzed in terms of effective capacitance and tunablility. Their effective capacitance and tunability of the varactors with the long perimeter increase 24~40 % and 7~12 %, respectively, due to enhanced fringing electric fields from 1 to 2.5 GHz.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.07a
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• pp.155-156
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• 2016

수명이 짧은 전해 캐패시터 대신 필름 캐패시터를 링크 캐패시터로 가지는 컨버터의 경우, 매우 넓은 입력 전압 범위를 가질 수 밖에 없다. 일반적인 넓은 입력 범위를 가지는 LLC 공진형 컨버터의 경우, 변압기 인덕터($L_M$) 값을 작게 하여 순환 전류가 커지도록 설계될 수 밖에 없고, 이는 LLC 공진형 컨버터의 더 큰 도통 손실 및 더 큰 turn-off 손실을 야기하여 LLC 공진형 컨버터의 변환 효율을 감소시키게 된다. 이를 개선하기 위하여 공진 인덕터에 보조 권선을 감소, 추가 스위치를 이용하여 입력 범위에 따라 공진 주파수($f_O$)를 변경할 수 있는 컨버터를 제안한다. 제안하는 컨버터는 $L_M$ 값을 키워 정상 상태 시 도통 손실 및 turn-off 손실을 줄여 효율을 개선할 수 있으며, 낮은 입력 시 보조 스위치를 이용, $f_O$ 변경을 통하여 추가적인 Gain을 얻으면서 공진 인덕터의 철손을 줄여 넓은 입력 범위를 커버하면서 높은 변환 효율을 얻을 수 있다. 또한 제안하는 컨버터는 간단한 제어 방법과 낮은 전류 스펙을 가지는 작은 스위치를 사용할 수 있어 전력 밀도 증가를 최소화하면서 높은 효율을 가져갈 수 있다는 장점을 가진다.