Si2H6PH3 혼합기체를 사용하여 증착된 in-situ P-doped 비정질 실리콘과 SiH4 기체를사용하여 증착한후에 As+ 이온주입에 의해 도핑시킨 다결정 실리콘 박막을 하부 전극으로 하는 캐패시터를 형성 하였다. 여기서 유전박막층은 자연산화막 화학증착된 실리콘질화막 및 질화막의 산화에 의해 형성된 O-N-O 구조를 갖는 것이었다. 두 종류의 하부전극에 따른 캐패시터의 전기적 특서을 조사하였다. 전기 적 특성으로는 정전용량, 누설전류, 절연파괴전압 및 TDDB 등이었다. 이 가운데 정전용량, 누설전류 및 절연파괴전압은 하부전극에 따라 큰 차이를 보이지않았다. 그러나 음의 전장하에서의 TDDB 특성은 in-situ P-doped 비정실 실리콘이 하부전극인 캐패시터가 As+ 이온 주입실리콘이 하부전극인 것에 비해 더우수하였다. 이와 같은 TDDB 특성의 차이는 하부전극 실리콘의 integrity 차이로 인한 자연산화막의 결함 정도의 차이에 기인하는 것 같다. 이를 뒷받침하는 것으로 투과전자현미경 단면사진으로 확인하였 다. Shallow junction을 유지하는데도 in-situ P-doped 비정실 실리콘은 만족할 만한 결과를 보이며 박 막자체의 면저항값도 낮출 수 있어 초고집적 회로의 캐패시터 전극으로서 이용될 수 있는 것으로 평가 되었다.
고속 다층 인쇄 회로 기판의 전원 평면과 접지 평면을 통해 전파되는 SSN 잡음의 영향을 감소시키기 위하여 일반적으로 디커플링 캐패시터를 사용한다. 본 논문에서는 디커플링 캐패시터에 대한 간단한 고주파 측정 방법 을 제시하고 고주파 기생 성분들을 고려한 광대역 (50 MHz ~3 GHz) 등가 회로 모델을 제안하였다. 제안된 모델은 SSN의 영향을 분석하기 위한 전원 평면과 접지 평면의 SPICE 모델과 쉽게 결합할 수 있다. 제안된 모델이 연결된 회로 해석 결과는 측정 결과와 잘 일치하며, 제안된 모델을 이용한 회로 해석을 통해 디커플링 캐패시터 값에 따른 잡음 감소 효과를 빠르고 정확하게 분석할 수 있음을 확인하였다.
대부분의 수용가 부하와 전력 설비는 근본적으로 유도성이고 지상 역률로 운영되고 있다. 수용가에 캐패시터 뱅크를 적용하면 역률 개선과 무효전력 공급, 전압 상승, 전력 손실 저감과 전기요금 저감 등 많은 혜택이 있다. 또한 캐패시터 뱅크를 설치하면 고조파와 같은 전력 품질에 문제를 야기시킬 수 있다. 본 논문에서는 수용가에 설치된 캐패시터 뱅크의 역률 개선 및 고조파 저감을 심도 있게 분석한다. 사례연구 시스템은 EDSA 프로그램으로 시뮬레이션하였다.
본 논문은 집중 소자 캐패시터와 접지를 사용하여 평행 결합 선로 필터의 새로운 소형화 기법을 제안하였다. 본 논문에서 제안한 기법은 설계와 제작이 간단하여 RF(Radio Frequency) 필터로 많이 사용되고 있는 평형 결합선로 필터를 소수의 캐패시터와 접지만을 이용하여 필터의 크기를 임의의 길이로 줄일 수 있는 기법이다. 본 논문은 기존의 단일 전송 선로와 평행 결합 선로의 소형화 기법을 평행 결합 선로 필터에 적용하였으며, 접지를 이용해 소형화에 사용될 캐패시터의 개수를 줄이는 기법을 제안한다. 본 논문에서 제안한 기법은 필터의 소형화와 더불어 집중소자 캐패시터를 사용함으로 인해 필터의 고조파 특성이 개선되며 이로 인해 고주파 영역의 차단 특성이 개선되는 장점이 있다. 제안된 소형화 기법에 대한 검증을 위해 Duroid($\varepsilon$$_{r}$=10)기판을 사용하여 셀룰러폰 대역인 900 MHz 대역의 FBW(Fractional Band Width) 10 %의 필터를, 제안한 기법을 적용하여 공진기의 길이를 λ/4로 줄인 헤어핀 형태로 제작 및 측정하여 제안된 기법의 타당성을 확인하였다..
대전 관내에서 송전계통 및 배전계통의 고장발생이 없었음에도 불구하고 고압 수용가의 2차측에서 플리커(형광등 깜박거림), 엘리베이터 정지 등의 문제가 수차례 발생하였다. 순간 전압변동의 원인을 해당 변전소 캐패시터 소손, 캐패시터 투입과 OLTC 조작으로 인한 전압변동, 고조파 공진 등을 원인으로 추정하고 같은 전압변동 원인 분석을 실시하였다. 분석 개소는 정전이 발생된 변전소 모선 전압과 전류, 캐패시터 뱅크의 전압과 전류, 덕진과 항공 D/L의 전류, 세종아파트의 MOF와 엘리베이터 전용의 변압기 2차측의 전압과 전류이다. 분석결과 변전소의 캐패시터 뱅크의 콘덴서, 리액터, 방전코일의 조사 결과 열화 및 소손이 없었으며, 4차 고조파에 공진이 되도록 설정된 것도 측정을 통해 이상 없음을 확인하였다. 사고재현을 위해 이전과 동일하게 변전소 캐패시터 조작을 수행했으나 엘리베이터가 중단되는 현상이 재현되지 않았지만 고압측의 콘덴서를 투입하였을 때 수용가측의 저압변압기 2차측에서 15[%] 이상 전압이 확대됨을 확인하였다. 다양한 분석과 시뮬레이션 결과 공진에 의해 전압이 확대되었음을 규명하였다.
본 논문에서는 현재, 국내에서 민수용 및 군수용 전원장치용으로 개발하고 있는 에너지 저장용 고전압 캐패시터 설계기술에 대하여 기술하고 금속증착기술을 이용하여 국내에서 처음으로 개발한 10kV 47kJ 에너지 저장용 고전압 캐패시터에 대하여 실시한 성능평가 시험 결과를 제시하고자 한다.
전기자동차를 위한 양방향 탑재형 충전기의 장내구성을 달성하기 위해 전해캐패시터를 사용하지 않는 전력변환장치가 요구된다. 본 논문에서는 V2G-V2H 기능을 갖는 무 전해캐패시터 양방향 탑재형 충전기의 제어알고리즘을 제안한다. 제안하는 양방향 충전기는 정현파 충전방식이 적용되었고 인버터만 제어하여 V2G-G2V-V2H 모드전환이 끊김없는 장점을 갖는다 제안하는 알고리즘을 검증하기 위한 3.3kW급 시작품의 시험결과로 타당성을 검증하였다.
본 논문에서는 Modular Multi-Level Converter(MMLC)의 셀(Cell) 캐패시터(Capacitor) 전압 밸런싱에서 전압맥동 최소화 방법을 제안한다. 암(Arm) 평균 전류를 직류성분으로만 제어 할 경우 기본파 주파수와 2 고조파로 흔들리는 순시전력 항이 셀 캐패시터 전압 맥동을 만든다. 이를 억제 하기위해 암 평균 전류에 2 고조파 교류 성분을 직류성분과 함께 제어하는 방법을 제안한다. 이 방법을 통하여 전압맥동을 줄일 수 있음을 밝히고, 주입되는 2 고조파 전류의 크기와 위상각 계산 방법을 제시한다. 모의실험 결과를 통해 제안된 방법의 유효성을 검증하였다.
기존 플라이백 컨버터를 사용하면 턴 오프 시 스위치의 드레인-소스 간 높은 과도 전압이 걸리고 이를 저감하기 위한 스너버 회로에서 높은 손실이 생긴다. 이를 해결하기 위해 변압기의 2차측 권선에 병렬로 연결된 캐패시터를 가지는 플라이백 컨버터를 제안한다. 본 논문은 2차측 캐패시터의 효과적인 설계 방법을 제시하고 기존 플라이백 컨버터 대비 저감되는 드레인-소스간 과도 전압 및 스너버 회로 전력 손실을 분석하여 제안하는 컨버터의 전력 변환 효율 증가 및 스위칭 소자의 스트레스가 저감됨을 보이고자 한다.
본 논문에서는 높은 승압비를 갖는 전압 클램프 탭인덕터 부스트 컨버터를 제안한다. 기존의 탭인덕터 부스트 컨버터 방식은 높은 승압비를 얻기 위해 사용되었던 탭인덕터로 인하여 일반적인 부스트 컨버터에 비해 주스위치와 다이오드의 전압스트레스가 크다는 단점이 있다. 또한, 누설 인덕터 성분과 기생 캐패시터로 인해 발생하는 공진 전압을 없애기 위해 손실스너버를 사용함으로 전력변환효율이 떨어지는 단점을 갖는다. 반면, 제안된 방식은 손실 스너버 없이 전압 클램핑 캐패시터를 사용하고 있다. 이 캐패시터는 주스위치 및 다이오드의 전압 스트레스를 줄이는 기능을 제공하게 된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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