• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.02a
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• pp.162-162
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• 1999

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.6
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• pp.33-41
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• 2004

In this paper, a polarimetric fiber optic current sensor(P-FOCS) is experimented and fabricated, and then a possibility to the commercial utilization of the P-FOCS is also investigated. The P-FOCS measures an applied current by a Faraday rotation linearly proportional to a magnetic field generated by the applied current. The bending-induced linear birefringence in the sensing fiber is minimized by using the low birefringent fiber. Also, all fiber-optic components are used to avoid optical losses coming from the use of bulk components. A signal processing circuit is constructed and used to eliminate the effects of intensity variations in the output signal due to losses coming from misalignments of components such as fiber connectors. Using the optical source of 632.8nm wavelength, Faraday rotation is measured by passing through the sensing fiber within the solenoid of about 1500 turns which is equivalent to a current source of about 7500A. In the range of 1000A to 7500A, the measurement error for linearity is within about 1.5%.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07b
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• pp.1022-1023
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• 2006

본 논문에서는 MATLAB/SIMULINK와 dSPACE DS1104보드를 이용하여 유도전동기의 간접백터제어 알고리즘을 구현하였다. 유도전동기의 간접벡터제어를 위한 전체 시스템 모델은 SIMULINK 그래픽 모델과 dSPACE DS1104 R&D Control 보드의 Real Time Interface(RTI)를 이용하여 구현한 후에 실험을 수행하였다. 벡터제어를 위해서 전동기 전류의 측정은 16kHz로 측정하였고, 측정된 전류를 이용하여 8Hz로 전류제어기, 4kHz로 속도제어기를 구현하였다. MATLAB과 dSPACE 보드의 컴파일러가 설계된 그래픽 모델의 C source 파일과 object 파일을 자동으로 생성시켜주기 때문에 추가적인 프로그램의 coding 없이 실제 시스템의 시뮬레이션과 실험을 동시에 수행할 수 있으며 원하는 제어성능을 얻을 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.333-333
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• 2016

현재까지 가장 높은 광전류 변환 효율을 나타내는 III-V 화합물 반도체의 다중접합 태양전지 대신 이보다 단순한 에피구조를 가진 단일셀 이종접합구조의 태양전지를 제안하였다. 이를 한국나노 기술원에서 MOCVD(Metalorganic Vapour Phase Epitaxy) 장비를 이용하여 에피구조를 성장하고 태양 전지를 제작해 그 특성을 조사하였다. 태양 전지는 서로 다른 orientation의 두 GaAs 기판에 각각 동일한 에피 구조로 성장되었다. GaAs 기판은 Si 도핑된 n-type 기판으로 (100) 표면이 <111>A 방향으로 2도 off 된 웨이퍼와 10도 off 된 웨이퍼가 사용되었다. 연구에서 시뮬레이션에 사용된 태양전지의 에피 구조는 맨 위 p-GaAs (p-contact 층), p-InAlP, p-InGaP의 광흡수층과 N-InAlGaP 층과 아래의 n-InAlP와 n-GaAs의 n-contact층으로 이루어져있다.태양전지는 $5mm{\times}5mm$의 면적을 가지고 있다. 그림 1은 전류-전압의 측정된 결과를 나타낸 그래프이다. 태양전지는 1 sun 조건하에서 probe를 이용해 측정되었다. 2도 off GaAs 기판 위에 성장시킨 태양전지에서는 3.7mA의 단락전류값이, 10도$^{\circ}$ off 인 샘플에서는 4.7mA의 단락전류값이 측정되었다. 반면에 전류-전압곡선으로부터 얻은 10도 off 인 태양전지의 직렬 저항값은 2도 off 인 태양전지의 약4배 정도로 나타났다. 이는 기판의 결정방향에 따라 태양전지의 내부 전하 transport에 차이가 있음을 나타낸다. TLM (Transmission Line Model) 방법에 의한 p-contact의 ohmic저항 측정에서도 이와 일치하는 결과를 얻었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.40-41
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• 2007

송전선로 선로정수는 전력계통 운영 Data 파일의 중요요소로서 정상분, 영상분, 임피던스 및 어드미턴스가 있다. 이들 선로정수는 계산프로그램을 이용하여 산출 활용하고 있으며 발변전소 준공시험시 정수 실측값은 참고자료로 활용하였다. 기존의 전압을 인가하여 측정한 전압강하법으로는 유도전압의 영향으로 운전중인 변전소에서는 측정이 불가하였으나 신규 도입한 선로정수 측정장비는 전류를 회로의 주입하여 이때 발생하는 전압을 측정하는 방법으로 전류원의 주파수 가변이 가능하여 상용주파수의 유도전압대역을 피해가면서 측정할 수 있는 장점이 있다. 이러한 측정장비들의 발달로 계산값과 실제 측정값과의 차이를 확인, 분석하고자 선로정수를 실측하게 되었다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.40 no.10
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• pp.967-972
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• 2003

The inner-diameter 5 cm cold hollow cathode ion source was designed for the high current density and the homogeneous beam profile of ion beam. The ion source consisted of a cylindrical cathode, a generation part of magnetic field, a plasma chamber, convex type ion optic system with two grid electrode, and DC power supply system. The cold hollow cathode ion sources were classified into standard type (I), electron output electrode modified type (II). The operation of the ion source was done with discharge current, ion beam potential and argon gas flow rate. The modification of electron output electrode resulted in uniform plasma generation and uniform area of ion beam was extended from 5 cm to 20 cm. Improved ion source was evaluated with beam uniformity, ion current, team extraction efficiency, and ionization efficiency.

• The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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• v.13 no.5
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• pp.359-369
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• 2020

In this paper, we proposed a charge pump (CP) circuit that has a wide operating range while reducing the current mismatch for the PLL that generates the main clock of the CMOS X-Ray detector. The operating range and current mismatch of the CP circuit are determined by the characteristics of the current source circuit for the CP circuit. The proposed CP circuit is implemented with a wide operating current mirror bias circuit to secure a wide operating range and a cascode structure with a large output resistance to reduce current mismatch. The proposed wide operating range cascode CP circuit was fabricated as a chip using a 350nm CMOS process, and current matching characteristics were measured using a source measurement unit. At this time, the power supply voltage was 3.3 V and the CP circuit current ICP = 100 ㎂. The operating range of the proposed CP circuit is △VO_Swing=2.7V, and the maximum current mismatch is 5.15 % and the maximum current deviation is 2.64 %. The proposed CP circuit has low current mismatch characteristics and can cope with a wide frequency range, so it can be applied to systems requiring various clock speed.

• Journal of IKEEE
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• v.24 no.4
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• pp.1129-1135
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• 2020

The effects of battery aging limit the rechargeable capacity, State of Health(SoH). It is very important to estimate the SoH in the battery monitoring system(BMS) and many algorithms of measuring the internal resistance of the battery were proposed. A method is used by applying a current source of a specific frequency to the battery and measuring the voltage response. When charging harmonic noise is generated in the voltage response, it results in poor resistance measurement accuracy. In this paper, a robust battery internal resistance measurement algorithm is proposed to eliminate the effect of charging noise by integrating the current source and voltage response signals for a certain period. It showed excellent accuracy and stable measurement results. Applying to the BMS for uninterruptible power supply, the usefulness of the proposed method is verified.

• 전기의세계
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• v.39 no.12
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• pp.63-67
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• 1990

MOSFET의 드레인 불순물 농도 분포는 hot carrier효과 및 드레인 누설전류 특성에서 중요한 요소가 된다. 특히 MOSFET의 게이트 아래 부분의 수평 농도는 게이트 전압에 의한 누설전류 특성에 큰 영향을 주는 것으로 알려져 있다.[1][2]. 보통의 수직농도분포는 SIMS기법, ARS 방법등을 이용하여 측정이 가능하다. 그러나, 수평 불순물 농도분포는 실험적으로 구하는 방법이 없었고 보통 이차원 공정 시뮬레이션(MINIMOS, SUPRA등)을 통하여 산출하였다. 최근 드레인의 수평 불순물 농도분포를 게이트와 드레인 사이의 용량 측정에 의해 구하는 방법이 제시되었다[3]. 이방법에서는 농도가 높은 경우에는 수평접합깊이를 절대적인 값으로 구하지 못하였다. 본 논문에서는 게이트-드레인간 용량 측정에 의해 수평접합깊이를 구하고 그 농도분포를 추출하는 방법을 제시하고, ASR방법에 의해 측정된 수직 불순물 농도분포와 비교하고 검토한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.105.1-105.1
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• 2013

Schottky Emitter (SE)는 미국 FEI의 L. W. Swanson 그룹이 개발하여 상용화시킨 전자원이며, 고분해능 전자현미경용 전자원 시장에서 가장 큰 점유율을 차지하고 있다. 상온에서 작동하는 cold field emitter (CFE)에 비해 휘도(brightness)가 10~100배 정도 낮으나, 10-10 Torr 영역의 초고진공에서도 수시간 미만의 방출전류 안정성을 가진 CFE에 비해 수개월이상 안정된 방출전류를 전자현미경에 제공하므로, 반도체 측정, 검사 등과 같이 고분해능과 안정성이 동시에 요구되는 분야에서는 SE전자원은 필수 요소가 되어있다. 현재 SE 전자원은 일본, 미국, 영국의 4개사가 과점하고 있는 상태이다. SE 전자원이 안정되게 작동하기 위해서는 10~10 Torr 영역의 초고진공 환경이 요구된다. 한국 전자현미경 업체는 국책과제 등을 통해 SE 전자총을 개발해 왔으나, 진공기술과 광학계 설계기술이 부족하여 안정된 SE 전자총의 개발에 성공하지 못하였다. 본 발표에서는 10~10 Torr 영역에서 200 microA 이상의 전류를 안정되게 방출하는 SE 전자총의 전자빔 방출 및 진공특성을 보고한다. 시뮬레이션을 통해 구한 전차총의 전자원 위치 변화, 건렌즈 초점거리, 수차 등의 광학특성을 보여준다. 전자총을 전자현미경 경통에 탑재하고 제어하기 위해서는 전자총뿐만 아니라 전자현미경 전체의 광학특성을 이해할 필요가 있다. 전자총을 현미경에 통합 제어하기 위한 기술과제에 대해서도 간략히 보고한다.