• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.13 no.1
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• pp.329-332
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• 2012

LEDs are using widely in a field of illumination, LCD LED backlight, mobile signals because they have several merits, such as low power consumption, long lifetime, high brightness, fast response, environment friendly. To achieve high performance LEDs, one needs to enhance output power, reduce operation voltage, and improve device reliability. In this paper, we have proposed that the optimum design and specialized process could improve the performance of LED chip. It was showed an output power of 7cd and input supplied voltage of 3.2V by the insertion technique of current blocking layer. In this paper, GaN-based LED chip which is built on the sapphire epi-wafer by selective MOCVD were designed and developed. After that, their performances were measured. It showed the output power of 7cd more than conventional GaN-based chip. It will be used the lighting source of a medical equipment and LCD LED TV with GaN-based LED chip.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.41 no.6
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• pp.456-463
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• 2004

To enhance the performance of anode-supported SOFC, single cell fabrication procedure was changed for better and resulting power generating characteristics of single cell were investigated. Liquid condensation process was employed for the granulation of NiO/YSZ powder mixture and the produced powder granules were compacted into anode green substrate by uni-axial pressing. YSZ electrolyte was printed on green substrate via screen-printing method and co-fired at 1400$^{\circ}C$ for 3 h. LSM/YSZ composite cathode of which the composition and heat treatment condition was adjusted to minimize the polarization#resistance with AC-impedance spectroscopy, was screen printed. The final single cell size from this multi-step procedure was 5${\times}$5 $\textrm{cm}^2$ and 10${\times}$10 $\textrm{cm}^2$. The maximum power densities of 5${\times}$5 and 10${\times}$10 single cells were about 0.45 W/$\textrm{cm}^2$ and 0.22 W/$\textrm{cm}^2$ at 800$^{\circ}C$, which are two times superior than those from single cells fabricated by the conventional process in previous our work.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.49 no.7
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• pp.17-22
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• 2012

A novel Clock Generator with jitter suppressed delay-locked loop (DLL) has been proposed to generate highly accurate output signals. The proposed Clock Generator has a VCDL which can suppress its jitter by generating control signals proportional to phase differences among delay stages. It has been designed to generate 1GHz output at 100MHz input with 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS process. The simulation result demonstrates a 3.24ps of peak-to-peak jitter.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.238-238
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• 2011

Ion sensitive field effect transistor (ISFET)는 용액의 이온 농도를 측정하는 반도체 센서로, 1970년 Bergveld에 의해 처음으로 제안되었다. ISFET가 제안된 이래로, 제조공정이 간단하고 감지막의 감지 특성 평가가 용이한 electrolyte-insulator-semiconductor (EIS) pH센서 또한 지속적으로 연구되었다. EIS pH센서는 작은 소자 크기, 견고한 구조, 빠른 응답속도와 CMOS공정과의 호환성이 좋다는 장점이 있다. EIS 또는 ISFET 센서를 이용하여 생물학적 요소의 신호 감지 특성을 평가함에 있어 소자의 signal to noise 비율이 우수해야 한다. EIS pH센서의 높은 signal to noise 비율을 얻기 위해, 소자의 표면적을 증가시키거나 감지막으로 유전상수가 높은 물질을 사용하여 출력 특성을 향상시켜야 한다. 본 연구에서는 trench구조와 SiO2/HfO2/Al2O3 (OHA) 적층 감지막을 갖는 EIS pH센서를 제작하여 출력 특성을 증가시키는 실험을 실시하였다. 120 nm, 380 nm, 780 nm의 다양한 깊이를 가진 trench를 형성하였으며, trench 깊이에 따른 출력특성을 비교하였다. 또한, 제작된 EIS 소자의 pH감지 특성을 분석하였다. 제작된 EIS소자의 감지막 중 SiO2는 Si와 high-k물질의 계면 상태를 보완하기 위한 완충막으로 성장되었고, HfO2는 높은 유전상수를 가지고 있어 signal to noise 비율을 향상시키는 물질로 증착되었다. 최종적으로 Al2O3는 pH용액과의 화학적 손상을 막기 위한 물질로 증착되었다. 실험 결과, trench 깊이가 깊어질수록 출력값이 증가하였고 이는 signal to noise 비율이 향상되는 것을 의미한다. 결론적으로 trench 형성을 통한 표면적 증가와 high-k물질을 적층한 감지막으로 인해 높은 출력 특성을 갖는 우수한 EIS 바이오센서를 제작할 수 있었다.

• 전기의세계
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• v.24 no.5
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• pp.57-60
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• 1975

오늘날 컴퓨터는 일반 사무분야 및 과학기술분야에 널리 이용되어 계산의 신속, 정확 및 사무의 간편화를 가져왔음은 물론 여러가지 Simulation을 단시간내에 처리하여 우리에게 유익한 판단자료를 제공해 주기도 한다. 이러한 역할외에 제조공정에서 공정중의 일부분 또는 전부를 제어하여 공정의 안정 및 품질의 향상등을 기하는 역할을 수행케하는 데도 컴퓨터는 이용된다. 여기에서는 시멘트 제조공정제어에서 일반적으로 컴퓨터가 어떠한 역할을 하고 있는가에 대하여 당사의 계획을 중심으로 하여 약술코져 한다. 시멘트제조공정은 다입력, 다출력계로서 제어가 복잡한 관계로 종래 경험과 숙련에 의한 제어만으로는 만족한 공정의 안정을 얻을 수 없던 것을 공정제어에 컴퓨터를 도입하여 최적 공정제어를 기할 수 있게 되었으며 미국에서는 약 15년전부터 서독과 일본에서는 약 10년전부터 공정의 전부 또는 일부를 컴퓨터화시켰던 것이다. 당사에서는 여러가지 여건으로 공정에의 컴퓨터도입을 지연시켜 오다가 2-3년 후의 완전 설치, 운용을 목표로 추진하고 있다.

• KSCE Journal of Civil and Environmental Engineering Research
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• v.41 no.2
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• pp.181-189
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• 2021

In order to increase the practical usability of the virtual reality(VR)-based BIM object in the construction site, the difference between the virtual image and the real image should be resolved, and when it is applied to the construction schedule management function, it is necessary to reduce the image gap between the virtual completion and the actual completion. In this study, in order to solve this problem, a prototype of 4D model is developed in which augmented reality (AR) and 3D printing technologies are linked, and the practical usability of a 4D model linked with two technologies is verified. When a schedule simulation is implemented by combining a three-dimensional output and an AR object, it is possible to provide more intuitive information as a tangible image-based schedule information when compared to a simple VR-based 4D model. In this study, a methodology and system development of an AR implementation system in which subsequent activities are simulated in 4D model using markers on 3D printing outputs are attempted.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.250.2-250.2
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• 2015

결정질 태양전지의 변환효율은 이미 이론적 한계에 가까워져, 최근 산업에서는 이 대신 제조공정 단가를 낮추려는 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 태양전지 도핑공정에 대기압 DBD 플라즈마를 응용하여 저렴하게 태양전지를 제작할 수 있는 방법을 모색한다. 대기압 DBD 플라즈마를 발생시키기 위해 DC-AC 인버터 구조의 전원을 사용하여 수십 kHz의 주파수, 수 kV의 전압을 인가하여 $5cm{\times}1cm$ 직사각형 모양의 아노다이징된 알루미늄 전극을 사용하였다. 전극과 Ground 사이에 Argon 가스를 주입하여 플라즈마를 발생시켰으며, 출력전류는 수십 mA의 전류가 측정되었다. $3cm{\times}3cm$의 P-type wafer에 스핀코팅 방식으로 H3PO4를 도포한 후, Wafer 표면에 플라즈마를 조사하여 대기압 DBD 플라즈마를 이용한 태양전지 도핑 가능성을 확인하였다. 플라즈마 출력 전류와 플라즈마 조사시간을 변수로 도핑된 Wafer의 특성을 확인하였다. 도핑 프로파일은 SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry)를 통해 측정하였으며, 전기적인 특성은 4 point probe로 면저항을 측정하였다. 대기압 DBD 플라즈마를 이용해 도핑된 wafer에 전극을 형성하여, 같은 도펀트를 사용하여 Furnace로 열 확산법을 이용해 도핑 공정을 진행한 wafer와 변환효율(Conversion efficiency)을 측정하여, 대기압 플라즈마를 이용한 도핑 가능성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.4-4
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• 2008

소형화, 고신뢰성 그리고 고안정성을 갖는 차세대 전자, 통신용 및 의료용 전자 소자에 대한 요구의 증대에 따라 이의 개발이 가속화되고 있다. 이러한 개발에 있어서 핵심적 문제의 하나는 소자 구동을 위한 초소형 고출력 동력원의 개발이다. 이러한 요구 조건에 가장 잘 부합되는 초소형 동력원은 재료공학, 박-후막 공정 및 전기화학기술을 도입하여 제작되는 박막 전지이다. 박막 전지 기술은 재료공학기술, 나노 고정 기술, 박-후막제조기술, 전기화학기술, 마이크로공정기술, 반도체기술 및 집적화를 위한 시스템화 기술을 종합해야하는 기술로 전기, 전자 분야의 급속한 발전과 함께 진행되고 있는 통신, 전자기기 및 의료기기의 초소형화를 가능하게 하는 특징을 가지고 있다. 이 기술은 이차전지(또는 경우에 따라서는 박막형 슈퍼캐패시터와 하이브리드화) 등을 효과적으로 소형, 고출력 및 고안정화하는 기술이 핵심이며 박-후막형 전지의 최적 구동을 위한 시스템 및 나노 재료 기술에 의해서 구현되는 신 개념의 마이크로 파워 소스이다. 이번 발표에서는 박막 전지의 개발 배경과 몇 가지의 기술적 접근의 예를 제시하고자 한다. 특히 최근에는 박막 전지의 개발은 재료, 공정(후-박막 기술) 및 평가 기술 분야에 서의 기여가 매우 중요하다는 것을 인식하게 되었으며 이러한 과정에서 박막 전지의 개발은 기술적인 면에서 단순히 특정 단일 분야의 주도가 아닌 기술간 융합적 접근(예를 들어 재료와 반도체 공정 또는 이온 재료와 전자 재료 간의 융합)의 필요성이 매우 높아지고 있음을 제시하고자 한다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.96.2-96.2
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• 2012

고체산화물연료전지(SOFC) cell은 cathode, electrolyte 및 cathode층으로 구성되어져 있는데, 이 cell의 적층은 EVD, CVD, sputtering등의 기상공정과 screen printing, tape casting, dip coating등의 습식 공정으로 제조한다. 적층 공정의 경우 supports의 크기와 형태에 따라 적용에 어려움이 있다. 따라서 본 연구에서는 적층공정의 문제점을 해결코자 전사지를 제조하여 평관형 anode supports 위에 적층하여 cell을 제조하였다. 전사지를 이용한 적층방법은 매우 간단하고 두께와 형상제어가 쉽게 가능하였다. 본 연구를 상세히 언급하면 평관형 anode 지지체를 압출법을 통해 제작하였고, 반소된 지지체 위에 anode function layer와 electrolyte(YSZ)층을 형성한 후 $1400^{\circ}C$ 동시 소결하여 치밀한 전해질 층을 형성하였다. 그 후 cthode층을 형성한 후, $1200^{\circ}C$에서 2시간 소결하여 porous한 전극층을 형성하여 cell을 제작하였다. 그 후 Anode supporter위에 전사지를 이용하여 적층한 경우 cell 소결정도를 SEM으로 관찰하였고, 전기화학특성으로는 출력과 분극저항을 측정하였다. 이를 통해 새로운 구성소재 증착방법 즉 전사지를 이용하는 방법을 개발하였다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.41 no.6
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• pp.477-482
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• 2017

When using the FDM to create a 3D object, a thermoplastic filament is heated to its melting point and then extruded layer by layer. Although the FDM printing process has many advantages, its accuracy, and surface finish are not satisfactory. In recent years, much research has been devoted to improving the accuracy of the FDM printing process. The temperature difference between the nozzle and the interior of the chamber of a 3D printer is one of the important parameters affecting the printing process. In this study, we propose a methodology to reduce this temperature difference through design improvement. In addition, we elucidate how this design improvement affects product quality. The FDM printing process is conventionally carried out in a closed chamber. However, in this study, an open heating system is used to reduce the temperature. The FDM printing processes were simulated using FEM analysis.