• Proceedings of the Korean Society for Food Science of Animal Resources Conference
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• 2004.10a
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• pp.248-252
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• 2004

본 연구는 도축 후 24시간 냉각된 지육에서 등심 부위를 채취하여 $7{\times}10{\times}2cm$ 크기로 자른 후 양념 반죽에 각각 침지(양념페이스트 1: 등심 1)시켜 $1{\pm}1^{\circ}C$에서는 10일간 숙성한 후 진공포장하여 저장성을 분석한 결과는 다음과 같다. 진공포장을 한 발효육은 저장초기에 비해 저장 말에 모든 처리구에서 pH가 감소하였으며, 보수력은 14일까지 증가하다 이후 낮아졌으며 처리구에 따른 일정한 경향은 나타나지 않았다. TBARS은 T1구와 T4구가 저장 14일까지 큰 폭으로 증가하다 이후 감소하였으며 T2와 T3구는 전 저장기간 동안 감소하였다. VBN은 저장기간에 따라 저장초기에 비해 모든 처리구에서 증가하였고, T1은 28일에 높은 값을 보였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.91-91
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• 2000

a-C:H 혹은 a-SiC:H 박막은 광전소자 및 태양전지 등의 개발에 있어서 중요한 물질이다. 우리는 a-C:H 및 a-SiC:H 박막을 PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) 방법으로 증착시키고, 박막의 가열에 따른 스핀밀도의 변화를 ESR (electron spin resonance) 측정을 통하여 조사하였다. PECVD 증착가스는 Ch4, SiH4 가스를 사용하였고, 기판은 Corning 1737glass를 사용하였으며, 기판 온도는 300-40$0^{\circ}C$, 증착 압력은 0.1-0.3 Torr, r.f. 전력은 3-36W 사이에서 변화되었다. ESR 측정은 상온 X-band 영역에서 수행되었고, modulation amplitude는 2.5G, modulation frequency는 100kHz 이었다. a-C:H 혹은 a-SiC:H 박막은 진공상태의 reactor, 혹은 공기중의 furnace 안에서 300-50$0^{\circ}C$ 영역에서 3-8시간 정도 가열되거나, 혹은 상온에서 약 50$0^{\circ}C$ 정도까지 단계적으로 가열되었다. 증착된 a-C:H 박막의 초기 구조는 Raman 측정으로부터 polymer-like Carbon으로 추정되었으며, 300-35$0^{\circ}C$ 가열시 초기 1시간 정도 사이에는 스핀밀도가 증가되었으나, 그 후 8시간 정도까지의 가열의 경우에도 대체로 동일하게 나타났다. 또한 상온으로부터 약 50$0^{\circ}C$까지 단계적으로 온도를 높여주며, 각 단계마다 1시간씩 가열했을 때도 30$0^{\circ}C$ 정도까지는 스핀밀도가 증가하다가 더 높은 온도로 가면서 다시 스핀밀도가 감소함을 볼 수 있었다. 이러한 스핀밀도의 초기 증가 및 감소를 일으키는 메카니즘에 대해서 논의해 볼 것이다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.26-31
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• 1995

본 연구에서는 Co/Si 계에 대한 이온선 혼합실험을 온도와 이온선량을 변수로 하여 실시하였고, Co/Si 계에 대한 상형성 과정을 금속/Si 계에 대한 이온선 혼합시의 비정질상 및 결정상 형성예측 모델(ADF Model)과 초기 결정상 예측 모델(PDF Model)을 이용하여 해석하였다. 이온선 혼합은 80KeV 가속기를 이용하여 상온$-400^{\circ}C$의 온도 범위에서 1.0X1015Ar+/$\extrm{cm}^2$-2.0X1016Ar+/$\textrm{cm}^2$의 이온선량을 변화시키면서 실험하였으며 상분석은 투과전자현미경(TEM)과 X선 회절 분석을 이용하였다. Co/Si 계에서 이온선 혼합시 형성되는 초기 결정상은 Co2Si이며 이온선량의 증가에 따라 CoSi로 상전이하였다. 이러한 실험 결과는 비정질상 및 결정상 형성 예측 모델(ADF model)과 초기 결정상 예측모델(PDF model)의 예측결과와 매우 잘 일치하고 있다. 이상의 연구 결과로부터 ADF 모델과 PDF모델을 이용하여 박막에서 형성되는 상을 보다 정확히 예측할 수 있음을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.6 no.3
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• pp.187-193
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• 1997

We investigated the initial growth mode of Cu deposited on polyimide at room temperature using x-ray photoelectron spectroscopy. We could find that when Cu is sputter-deposited on the polymide, Cu-N-O complex of strong interaction is mainly formed first, Cu-oxide of weak interaction is formed successively, and then finally metallic Cu grow. From these results, we could conclude that Cu/polyimide interface consists of Cu-N-O complex and Cu-oxide.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.1 no.1
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• pp.50-59
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• 1992

By means of X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), the initial stages of the oxidation of the cleaved CdTe (110) surface and the sputtered CdTe surface with oxygen exposure are invetigated. From the analyses of the spectra of Te 3dsn, Cd 3d5/2, 0 ls and Cd MNN Auger lines, it is shown that two oxygen atoms bond to one Te atom at the initial stages.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.2
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• pp.135-140
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• 1998

We investigated the initial growth mode of Cu deposited on polyimide at high temperature($350^{\circ}C$) using x-ray photoelectron spectroscopy. We could find that when Cu is sputter-deposited on the polyimide at high temperature, Cu-C-N complex is formed first, Cu-N-O complex and Cu-oxide are mainly formed successively, and then funally metallic Cu grows. In the chemical reaction point of view, the interface of Cu/polyimide at high temperature is than that at room temperature.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.224.2-224.2
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• 2013

본 연구에서는 CIGS박막 태양전지의 온도 및 시간 인가에 따른 전기적 특성 변화를 분석하였다. 실험에서는 온도 스트레스를 $25^{\circ}C$, $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 각각 10시간씩 인가한 후에 Dark I-V와 C-V측정을 통해 전기적 특성 변화를 분석하였다. $25^{\circ}C$일 때를 초기 온도로 하여 특성을 측정한 것과 온도별로 노출시킨 후에 측정한 것을 비교했을 때 소자의 효율은 $100^{\circ}C$에서 감소하기 시작하였고, 인가한 온도가 높을수록 점점 많이 감소하는 모습이 나타났다. 이와 비슷하게 I-V그래프와 C-V그래프의 모습도 초기 값과 비교해서 변화하는 모습이 나타났고, 온도가 높아질수록 점점 변화하는 양이 증가하였다. I-V그래프에서 Diode ideality factor는 온도변화에 따라 초기 값 대비 증가하는 모습이 나타났다. 온도에 노출되기 전보다 노출된 후에 current와 capacitance가 감소하는 경향을 보이는데, 이는 온도의 영향으로 인해 소자의 결함이 증가하여 전하들의 반응에 영향을 주었기 때문으로 판단된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.54-56
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• 2008

전력계통에서 사용하는 고전압급의 차단기의 절연은 대부분이 SF6 GAS를 사용하고 있으며 (22.9kV급에서는 진공차단기가 주종을 이룸) 운전중 압력은 약 $3.6-6.0kg/cm^2$이다. 내부점검을 위해서는 무압상태에서 Gas를 회수장치에 옮겨 보관후 작업을 수행한다. 그러나 다시 Gas를 용기(容器)내로 담아 넣기 위해서는 진공(眞空)하여야 하는 공정이 필요하며,. 이 과정의 진공은 진공초기 단계정도로 절연내력을 가지는 진공상태라 할 수 없다. 진공작업과정에 발생한 고장사례를 통해 전기절연 상애의 선행 조건이 어떠해야 하는지 살펴보고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1993.07a
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• pp.99-100
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• 1993

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2006.08a
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• pp.103-103
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• 2006