• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.181-181
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• 2013

최근에 형광체 결정 입자의 크기와 적당한 활성제 이온의 종류를 선택하여 우수한 발광 특성을 갖는 세라믹 형광체를 합성하고자 많은 노력을 경주하고 있다. 본 연구에서는 비교적 간단한 장비로 구성되며, 볼밀을 통하여 초기 물질들을 혼합하고 분쇄하여 최적의 형광 특성을 갖는 형광체 분말을 비교적 용이하게 합성하기에 적합한 고상반응법을 사용하여 적색, 황색, 녹색 형광체 La2WO6:RE3+ (RE=Eu, Dy, Tb)를 제조하고자 한다. 사용한 초기 물질은 (99.99% 순도), (99.99%), (99.9%), (99.9%) (99.9%)을 화학 정량으로 준비하였고, 활성제 이온의 함량비를 0, 0.01, 0.05, 0.10, 0.20 mol로 각각 변화시켜 형광체를 제조하여 그것의 발광과 흡광, 결정 입자의 크기와 형상을 조사하였다. 이온이 도핑된 형광체의 경우에, 발광 스펙트럼은 이온의 함량비에 관계없이 모든 시료에서 전형적인 이온의 (j=1-4) 전이에 의한 발광 스펙트럼을 나타내었고, 가장 강한 적색 발광 파장은 611 nm에서 관측되었으며, 이온의 함량비가 0.15 mol에서 발광 피크가 장파장 쪽으로 10 nm 이동하였으며, 세 종류의 발광 스펙트럼의 세기는 최대를 나타내었다. 이온의 함량비가 더욱 증가함에 따라 모든 발광 스펙트럼의 세기는 순차적으로 감소하였다. 이 현상은 농도 소광 현상으로 해석 할 수 있다. 이온이 도핑된 형광체의 경우에, 이온의 함량비에 관계없이 모든 시료에서 이온의 전형적인 전이에 의한 발광 스펙트럼이 관측되었으며, j=13/2에서 가장 강한 황색 발광이 피크 581 nm에서 관측 되었다. 상대적으로 발광 세기가 약한 484 nm에 정점을 갖는 청색 발광스펙트럼은 전이 신호이다. 이온의 함량비가 0.10 mol 일 때 세 영역의 발광 스펙트럼의 세기는 최대를 나타내었다. 이온의 함량비가 증가함에 따라 모든 발광 스펙트럼의 세기는 순차적으로 감소하였다. 주 흡광 스펙트럼은 이온의 함량비에 관계없이 모든 시료에서 파장 250 nm에서 관측되었다. 이온이 도핑된 형광체의 경우에, 이온의 함량비에 관계없이 모든 형광체 분말은 발광 세기가 제일 강한 550 nm의 피크를 갖는 녹색 발광과 상대적으로 발광 세기가 약한 495와 590 nm에 피크를 갖는 청색과 주황색 발광 스펙트럼들이 각각 관측되었다. 이 발광 신호들은 Tb3+ 이온의 5D47Fj (j=4, 5, 6) 전이에 의해 발광된 신호임을 확인하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.25 no.5
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• pp.254-261
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• 2014

Two types of white light-emitting diodes (LEDs) with different phosphor structures were fabricated and compared in terms of their optical characteristics. Their spectroscopic properties were analyzed as a function of temperature, from room temperature to $80^{\circ}C$. The temperature dependence of the luminance and the color coordinates showed that the decrease in luminance and change in the color coordinates of the remote-phosphor type LED were much smaller compared to the conventional white LED. These improvements were attributed to the decrease in phosphor temperature, due to the distance between the LED chip and the phosphor layer, as well as to the reduced absorption by the LED chip of the light emitted from the phosphor layer.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07c
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• pp.1733-1735
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• 2000

평판 디스플레이 소자인 후막 전계발광소자는 평판형 조명부터 LCD 백라이트에 응용되고 있다. 후막 전계발광소자에 사용되는 ZnS:Cu 형광체는 저주파수에서는 녹색 발광을 하며, 고주파수에서는 청색 발광을 가진다. 본 연구는 저주파수에서도 청색을 가지는 소자를 제작하기 위하여 형광체와 염료의 혼합 비율에 따른 발광특성을 조사하였다. 염료의 혼합 비율은 0$\sim$5 wt%로 하였다. 소자의 발광현상을 고찰하기 위하여 발광 스펙트럼과 휘도를 측정하였다.

• Journal of Sericultural and Entomological Science
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• v.52 no.1
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• pp.25-32
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• 2014

We produced the transgenic silkworm that expressed the enhanced blue fluorescent protein (EBFP) in the cocoon of silkworms. The EBFP fusion protein, each with N- and C-terminal sequences of the fibroin H-chain, was designed to be secreted into the lumen of the posterior silk glands. The expression of the EBFP/H-chain fusion gene was regulated by the fibroin H-chain promoter. The use of the $3{\times}P3$-driven DsRed2 cDNA as a marker allowed us to rapidly distinguish transgenic silkworm. A mixture of the donor and helper vector was micro-injected into 300 eggs of silkworms, Baegokjam. We obtained 5 broods. The cocoon displayed blue fluorescence, proving that the fusion protein was present in the cocoon. Also, the presence of fusion proteins in cocoons was demonstrated by SDS-PAGE and western blot analysis. Accordingly, we suggest that the EBFP fluorescence silk will enable the production of the silk-based biomaterials.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.6
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• pp.520-525
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• 1998

The optical properties with chemical composition change in BaO- MgO-$AI_2O_3$, system activated by divalent Eu ion were investigated under 254nm ultraviolet(UV) and 147nm vacuum ultraviolet(VUV). These phosphors emitted a blue light at a dominant wavelength of $\lambda$=445nm under UV and VUV irradiations. It was found that the brightness of $BaMgAI_{14}O_{23}$ phosphor increased with Eu concentration up to 10% under UV but it showed a maximum emitting intensity at 5% Eu for VUV. The emitting intensity of blue color of $BaMgAl_{10}O_{l7}$ phosphor was higher than that of $BaMgAI_{14}O_{23}$for both excitation. A further improvement in brightness was obtained for $Ba_{o.9}Ca_{0.1}MaAl_{14}O_{23}$ and $Ba_{0.9}Sr_{0.1}MgAl_{10}O_{17}$ phosphor synthesized by the substition of $Ba^{+2}$ ion with O.lmole of $Ca^{+2}$ or $Sr^{+2}$ ions in $BaMgAl_{IO}O_{17}$: Eu phosphor.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.47 no.4
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• pp.370-375
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• 2003

$BaMg_2Al_16O_27:Eu,\SrGa_2S_4:Eu$, and ZnCdS:Ag,Cl phosphors were chosen to produce blue, green, and red emissions, respectively, under excitation from a violet light emitting diode (LED). A four-band white LED was obtained by a combination of nonabsorbed violet emission from a violet LED and blue, green, and red emissions from $BaMg_2Al_16O_27:Eu,\SrGa_2S_4:Eu$, and ZnCdS:Ag,Cl phosphors. The luminescent properties of the four-band white LED were also discussed.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.15 no.8
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• pp.5195-5200
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• 2014

White LEDs are expected to be applied widely as a lighting system. To make white LED chips, one requires a mixture with silicon and a phosphor coating on a LED blue chip. The process of preparing a mixture with silicon using phosphor involves the use of discarded phosphor in the chip process. Reducing the costs of chip production depends on many factors, such as the mixture errors, exposure over time of silicon, and changes in the characteristics of blue chip. This paper reports the characteristics of a white LED chip manufactured through a reproduction process of derelict phosphor. This method was applicable to a real LED flashlight. A derelict phosphor chip showed similar results to a normal white chip for the degradation of cd 3.2[Cd] and 3.6[Cd], color temperature, 57[K] and 58[K], and maximum white wavelength 444.3[nm] and 449.8[nm]. These results are expected to make ea great contribution to cost reduction.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.41 no.5
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• pp.406-409
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• 2004

A blue phosphor(ZnS:Cu) is manufactured by solid state reaction for ACPEL(AC powder EL). The effect of artificial defect on phosphor surface on the ZnO phase conversion and resulting luminescence have been studied. It was found that ZnS:Cu could converse to cubic phase more easily due to the formation of artificial defect on 1st fired phosphor by ball-milling process, resulting in improvement of luminescence of phosphor phosphors under the driven EL condition. We found out an optimized ball-mill condition through considering effect of each ball-mill conditions such as milling time and milling rpm on defect. Also we determined relationship between emission luminescence and phase of phosphor based on analyses of crystal structures of phosphors. A significant improvement above 30% was observed in electroluminescence by the artificial defect on ZnS:Cu phosphors compared to non-treated phosphors.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.17 no.5
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• pp.204-209
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• 2007

We synthesized a series of $CaS_{1-x}Se_x:Eu$ red-emitting phosphors for application in phosphor-converted three-band white light emitting diode(LED). The photoluminescence and structural properties of $CaS_{1-x}Se_x:Eu$ were examined. The $CaS_{1-x}Se_x:Eu$ phosphors have a strong absorption at 455 nm, which is the emission wavelength of a blue LED. CaS:Eu has a red omission peak at 651 nm due to the $4f^65d^1(T_{2g}){\rightarrow}4f^7(^8S_{7/2})$ transition of the $Eu^{2+}$. The emission peak of $CaS_{1-x}Se_x:Eu$ is shifted from 651 to 598 nm with increasing Se content. $CaS_{1-x}Se_x:Eu$ can be used as wavelength-tunable red-emitting phosphors pumped by a blue LED. We also fabricated a three-band white LED by doping $SrGa_2S_4:Eu$ and $CaS_{0.50}Se_{0.50}:Eu$ phosphors onto a blue LED chip.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.04b
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• pp.93-96
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• 2002

원자층증착법으로 제조한 청색 CaS:Pb 박막 형광체에 대한 열처리 및 전자빔 조사 효과찰 연구하였다. CaS:Pb 형광 박박의 열처리는 500 - $700^{\circ}C$ 온도범위에서 급속 열처리 공정으로 수행하였고, 1 kV, $20{\mu}A/cm^{2}$ 조건의 전자빔을 연속적으로 조사하여 열화를 가속시킨 후 처리 전, 후의 재료 및 cathololuminescence (CL) 특성을 비교 분석하였다. 원자층증착법으로 성장한 CaS:Pb 박막은 화학적 조성과 결정성이 우수하여 후속 열처리에 의해 발광특성이 크게 증가하는 경향을 보이지 않았으며, 전자빔에 의한 열화 정도는 판매되고 있는 형광체에 비하여 오히려 적었다. CL 강도가 초기값의 50%로 감소할 때까지 전자빔을 조사한 후에도 주목할만한 결정성 및 조성의 변화는 관찰되지 않았으나 전자빔 조사에 의해 표변에 두께 10 nm 내외의 탄소오염층이 형성됨을 알 수 있었다.