• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.7
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• pp.1617-1622
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• 2015

This paper analyzes the ratio of tunneling current for channel doping concentration of sub-10 nm asymmetric double gate(DG) MOSFET. The ratio of tunneling current for off current in subthreshold region increases in the region of channel length of 10 nm below. Even though asymmetric DGMOSFET is developed to reduce short channel effects, the increase of tunneling current in sub-10 nm is inevitable. As the ratio of tunneling current in off current according to channel doping concentration is calculated in this study, the influence of tunneling current to occur in short channel is investigated. To obtain off current to consist of thermionic emission and tunneling current, the analytical potential distribution is obtained using Poisson equation and tunneling current using WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin). As a result, tunneling current is greatly changed for channel doping concentration in sub-10 nm asymmetric DGMOSFET, specially with parameters of channel length, channel thickness, and top/bottom gate oxide thickness and voltage.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.1
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• pp.163-168
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• 2015

This paper analyzed the deviation of tunneling current for bottom gate voltage of sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET. The asymmetric double gate MOSFET among multi gate MOSFET developed to reduce the short channel effects has the advantage to increase the facts to be able to control the channel current, compared with symmetric double gate MOSFET. The increase of off current is, however, inescapable if aymmetric double gate MOSFET has the channel length of sub-10 nm. The influence of tunneling current was investigated in this study as the portion of tunneling current for off current was calculated. The tunneling current was obtained by the WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) approximation and analytical potential distribution derived from Poisson equation. As a results, the tunneling current was greatly influenced by bottom gate voltage in sub-10 nm asymmetric double gate MOSFET. Especially it showed the great deviation for channel length, top and bottom gate oxide thickness, and channel thickness.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 1999.10c
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• pp.259-261
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• 1999

본 논문에서는 IMT-2000 시스템에서 공용 채널과 전용 채널을 동시에 사용하는 이중 모드 패킷 전송 방식의 성능을 분석하였다. 공용 채널을 통한 패킷 전송은 랜덤 액세스 방식을 사용한다. 이중 모드 패킷 전송 방식은 전송할 패킷의 길이와 발생 빈도에 따라 공용 채널과 전용 채널을 동시에 사용함으로써 높은 전송 효율을 보장하는 전송 방식이다. 이중 모드 패킷 전송 방식은 전송할 패킷의 크기가 스위칭 문턱값 보다 클 경우 전용 채널을 통해 전송하며 그렇지 않을 경우 공용 채널을 통해 전송을 시도하게 된다. 이중 모드 패킷 전송에서 높은 전송 효율을 보장하기 위해서는 스위칭 문턱값을 적절히 설정하여야 하며 최적의 스위칭 문턱값은 전용 채널을 요청한 후 할당받는데 걸리는 지연 시간, 공용 채널에서 패킷을 전송한 후 ACK를 받는데 걸리는 지연 시간, 전용 채널과 공용 채널의 오류율, 전용 채널과 공용 채널의 수 그리고 발생되는 평균 패킷 길이에 의해 영향을 받는다. 본 논문에서는 이중 모드 패킷 전송 방식에서 트래픽 형태에 따른 최적의 스위칭 문턱값을 시뮬레이션을 통해서 분석하였다.

• Journal of IKEEE
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• v.20 no.3
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• pp.330-332
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• 2016

In this study, we investigate the influence of channel length of bendable a-Si:H thin film transistors (TFTs) on their electrical characteristics as a function of bending strain. Under a tensile strain of 1.69%, $8{\mu}m$-channel-length TFT has the threshold voltage shift up to 5.25 V, while $100{\mu}m$-channel-length TFT operates stably.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.10a
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• pp.863-865
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도분포에 대한 드레인유도장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자한다. DIBL은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑농도의 분포함수변화에 대하여 DIBL을 관찰하였다. 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등을 파라미터로 하여 DIBL을 관찰하였다. 결과적으로 DIBL은 채널도핑농도분포함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 변화를 나타냈다. 특히 두 변수에 대한 DIBL의 변화는 최대채널도핑농도가 $10^{18}/cm^3$ 정도로 고도핑 되었을 경우 더욱 현저히 나타나고 있었다. 채널길이가 감소할수록 그리고 채널두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였으며 하단 게이트 전압과 상하단 게이트 산화막 두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.07a
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• pp.1263-1264
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• 2007

자계 유도 고상결정화(FESPC)를 이용하여 제작한 다결정실리콘(poly-Si) 박막 트랜지스터(TFT)는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-Si:H TFT)보다 뛰어난 전기적 특성과 우수한 안정성을 지닌다. $V_{DS}$ = -0.1 V에서 채널 폭과 길이가 각각 $5\;{\mu}m$, $7\;{\mu}m$인 P형 TFT의 이동도(${\mu}$)와 문턱 전압($V_{TH}$)은 각각 $31.98\;cm^2$/Vs, -6.14 V 이다. FESPC TFT는 일반 poly-Si TFT에 비해 채널 내 결정 경계 숫자가 많아서 상대적으로 열악한 특성을 가진다. 채널 길이 $5\;{\mu}m$인 TFT의 $V_{TH}$는 채널 길이 $18\;{\mu}m$ 소자의 $V_{TH}$보다 1.36V 작지만, 일반적으로 큰 값이다. 이 현상은 채널에 다수의 결정 경계가 존재하고, 수평 전계가 크기 때문이다. 수평 전계가 증가하면, 결정 경계의 전위 장벽 높이가 감소하게 되는데, 이는 DIGBL 효과이다. ${\mu}$의 증가에 따라서, 드레인 전류가 증가하고 $V_{TH}$은 감소한다. 활성화 에너지($E_a$)는 드레인 전압과 결정 경계의 수에 따라 변하는데, 드레인 전압이 크거나 결정 경계의 수가 감소하면 $E_a$는 감소한다. $E_a$가 감소하면 $V_{TH}$가 감소한다. 유리기판 위의 FESPC를 이용한 P형 poly-Si TFT의 $V_{TH}$는 채널의 길이와 $V_{DS}$에 영향을 받는다. 증가한 수평 전계가 결정 경계에서 에너지 장벽을 낮추는 효과를 일으키기 때문이다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics S
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• v.36S no.3
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• pp.1-7
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• 1999

일대다 형상을 갖는 통신시스템에서 많이 고려되는 예약 알로하 방식 매체접속제어 프로토콜의 성능은 예약 채널과 데이터 채널의 분배 양식에 의해 달라진다. 본 논문에서는 이 프로토콜을 직렬 2단 대기열 모델로 근사화하고, 데이터의 지연을 성능 척도로 하여 이를 줄이는 세가지 채널 할당 방식을 제시하였다. 그리고 이들에 대한 모의실험을 통해 그 동작 특성을 규명하고 성능을 평가하였다. 그 결과 이들의 성능은 트래픽의 특성, 특히 데이터 길이의 분산에 크게 의존하며, 일반적으로는 데이터에 우선권을 주는 방식이 우수하나, 데이터 길이의 분산이 큰 경우에는 비례배분 할당 방식이 우수한 것으로 평가되었다.

• Journal of Broadcast Engineering
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• v.16 no.2
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• pp.207-215
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• 2011

A signal passed through multi-path channel suffers ISI(Inter-Symbol Interference) and severe distortions caused by channel delay spread and noise components at the SC-FDE(Single Carrier with Frequency Domain Equalizer) transmission. Conventional UW(Unique-Word) based SC-FDE iterative channel estimation improves channel estimation performance by smoothing estimated CIR(Channel Impulse Response) of the noise components outside the channel length at time domain and restoring the broken cyclic property through UW reconstruction. In this paper, we propose channel estimation scheme through noise suppression within channel length. To suppress the noise, we estimate noise standard deviation as estimated CIR of the noise components outside the channel length and make criteria of the noise standard deviation gain that doesn't affect the original signal samples. When estimated CIR samples within channel length are less than the criteria value using the noise standard deviation and gain, the noise components are removed. Simulation results show that the proposed channel estimation scheme brings good channel MSE(Mean Square Error) and good BER(Bit Error Rate) performance.

• Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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• 2010.11a
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• pp.125-126
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• 2010

채널의 다중경로를 통과한 신호들은 지연확산 영향으로 심하게 왜곡이 되거나 Inter-Symbol Interference(ISI)가 발생하므로 왜곡된 채널을 추정하여 보상해야 한다. 기존 iterative 채널 추정 방식에서는 채널 시간 지연 길이 밖으로 zero padding함으로 노이즈 성분을 제거하는 알고리즘이다. 반면에 본 논문은 채널 시간 지연 길이 안으로 있는 노이즈 성분까지 노이즈 제거 문턱 값 추정(noise elimination threshold estimation: NETE) 알고리즘을 사용하여 노이즈를 효과적으로 제거한다. 시뮬레이션 결과는 채널의 mean square error(MSE)를 통하여 제안된 기법을 적용할 경우 채널 추정 성능 개선이 나타남을 확인할 수 있었다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.22 no.11
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• pp.2543-2551
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• 1997

This paper proposes a compression technique of image data, a variable length PN code and channel models which are required in CDMA communication system. It also analyzes their performances. Original images is compressed by 2-D DCT and its coefficients are quantized by optimal quantizer at compression rate 0.84bit/pel. Channel model 1 and 2 which are composed of 5 and 4 channels respectively are employed to be used in CDMA. Such a situation forces us to empoly variable length PN code, such as Chebyshev map for spread spectrum system. When average PN code length of model 1 and 2 is 44.4 and 26.7 chips respectively, the received image through these models under Gaussian noise with variance 1.75 is visually of the same quality as the transmitting image. Thus, the model 2 appears to be better in channel efficiency, comparing with channel model 1 and channel model which uses fixed length PN code.