We investigated a LiNbO$_3$ based integrated-optic polarization controller with the Ti-indiffused waveguide along the z-axis utilizing the electro-optic effect. The device consists of a first quarter-wave (λ / 4) followed by a half-wave (λ / 2) and a second quarter-wave (λ / 4) wave-plate. We analyzed the amount of phase change and the transformation of the polarized mode as a function of the combination of wave-plates and of their applied voltages. The operation has been systematically measured utilizing a polarimeter and Poincare sphere. We confirmed that the fabricated device controls the transformations from any arbitrary input state of polarization (SOP) into any general output SOP.
Wavelength filters are essential components for selecting a certain wavelength channel of a WDM optical communication system. To realize wavelength filters with narrow bandwidth and high reflectivity, an apodized grating structure with length of 15 mm and index modulation of $5{\times}10^{-4}$ was designed. The device exhibited a reflectivity of 95%, 3-dB bandwidth of 0.28 nm, and 20-dB bandwidth of 0.70 nm on an 18 mm grating length.
A 780 nm monolithic individually addressable 8-beam diode laser with 10mW optical power was developed for use in a laser scanning unit. Beam to beam spacing is $30\;{\mu}m$ and an air bridge interconnection process was developed for individual operations. From electrical and optical characteristic measurements, the developed device is a suitable optical source for a high speed laser scanning unit in multi-function printing systems and laser beam printers.
We propose a wavelength filter based on long-range surface plasmon-polaritons (LR-SPP) supported by a asymmetric doubleelectrode LR-SPP structure. For the case of the asymmetric double-layered LR-SPP waveguide, LR-SPPs exist with a much broader range of index mismatches between core and clad materials. Thus, the asymmetric double-electrode LR-SPP waveguide is adequate to form a plasmonic band-gap device as we report in this paper by studying Bragg-reflection wavelength filter based on it. The structure for wavelength filter operating telecommunications wavelength is designed by using the method of line (MoL) and the transfer matrix method. The fabricated device shows a relatively high extinction ratio of 50 dB with a bandwidth of 2 nm, and the performance is very consistent with numerical simulations.
A novel interferometric isolator has been proposed and designed to fabrticate waveguide magnetooptic isolator operating at a wavelength of $1.55{\cal}um$. The device consists of MMI (multimode interference) couplers and has a magnetooptic guiding layer with different layer structure in arms of the inteferometer. The layer structures in the arms of inteferometer are $HfO_2/CeY_2Fe_5O_{12}/NOG$ and $SiO_2/CeY_2Fe_5O_{12}/NOG$, respectively. This configuration give rise to different nonreciprocal phase shift. In consequence, the isolator operates under a unidirectional magnetic field. The optimized structure of the isolator was determined by a 3D beam propagation method.
Kim, Hye-Ri;Kim, Dong-Ho;Lee, Geon-Hwan;Song, Pung-Geun
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.198-198
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2010
산화물 반도체는 넓은 밴드갭을 가지고 있어 가시광에서 투명하며 높은 이동도로 디스플레이 구동 회로 집적에 유리하다. 또한 가격 및 공정 측면에서도 기존의 Si 기판 소자에 비해 여러 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이의 핵심 기술로 산화물반도체에 대한 관심이 높아지고 있다. 본 연구는 RF 동시 스퍼터링법을 이용하여 Zn-Sn-O 박막을 제조하고, 그 전기적, 광학적, 구조적 특성에 대해 조사하였다. 일정한 증착 온도($100^{\circ}C$)에서 ZnO와 $SnO_2$ 타켓의 인가 파워를 조절하여 Sn/(Zn+Sn) 성분비가 약 40~85%인 Zn-Sn-O 박막을 제조하였다. Sn 함량이 증가할수록 박막의 비저항은 약 $2{\times}10^{-1}$ (Sn 45%)에서 약 $2\;{\times}\;10^{-2}\;{\Omega}{\cdot}cm$ (Sn 67%)까지 감소하다가 다시 증가하는 경향을 보였다. 이 때 캐리어 농도는 $3\;{\times}\;10^{18}$에서 $4\;{\times}\;10^{19}\;cm^{-3}$으로 증가하였으며, 이동도는 11에서 $8\;cm^2/V{\cdot}s$로 약간 감소하였다. XRD분석결과, 제조된 모든 Zn-Sn-O 박막은 비정질 구조를 가짐을 확인하였다. 투과율은 박막 내 Sn함량 증가에 따라 감소하나 모든 시편이 약 70%이상의 투과도를 나타내었다. Zn-Sn-O 박막의 Ga 도핑 영향을 확인하기 위해 ZnO 타켓 대신 갈륨이 5.7 wt.% 도핑된 GZO 타켓을 사용하여 동일한 공정조건에서 박막을 제조하였다. Ga이 첨가된 Zn-Sn-O 박막은 구조적 특성과 광학적 특성에서는 큰 차이를 보이지 않았으나, 전기적 특성의 뚜렷한 변화가 관찰되었다. Sn 함량이 45%인 Zn-Sn-O 박막의 경우, 캐리어 농도가 $3.1\;{\times}\;10^{18}$에서 Ga 도핑 효과로 인해 $1.7\;{\times}\;10^{17}\;cm^{-3}$으로 크게 감소하고 이동도는 11에서 $20\;cm^2/V{\cdot}s$로 증가하였다. 따라서 본 연구는 Zn-Sn-O 비정질 박막에 Ga을 도핑함으로써 산화물 반도체재료로서 요구되는 물성을 만족시킬 수 있다는 가능성을 제시하였다.
Kim, J. D.;Choi, J. S.;Lee, S. H.;Cho, H. S.;Kim, J. S.;Kang, S. G.;Lee, H. T.;Hwang, N.;Joo, G. C.;Song, M. K.
Korean Journal of Optics and Photonics
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v.10
no.6
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pp.500-506
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1999
We designed and fabricated a bidirectional optical transceiver module for low cost access network. An integrated chip forming a pin-PD on an 1.3 urn FP-LD was assembled by flip-chip bonding on a Si optical bench, a single mode fiber with an angled end facet was aligned passively with the integrated chip on V-groove of Si-optical bench. Gaussian beam theory was applied to evaluate the coupling coefficients as a function of some parameters such as alignment distance, angle of fiber end facet, vertical alignment error. The theory is also used to search the bottle-neck between transmittance and receiving coupling efficiency in the bi-directional optical system. Tn this paper, we confirmed that reduction of coupling efficiency by the vertical alignment error between laser beam and fiber core axis can be compensated by controlling the fiber facet angle. In the fabrication of sub-module, a'||'&'||' we made such that the fiber facet have a corn shape with an angled facet only core part, the reflection of transmitted laser beam from the fiber facet could be minimized below -35 dE in alignment distance of 2: 30 /J.m. In the same condition, transmitted output power of -12.1 dEm and responsivity of 0.2. AIW were obtained.
Recent ULSI and multilevel structure trends in microelectronic devices minimize the line width down to less than $0.25{\mu}m$, which results in high current densities in thin film interconnections. Under high current densities, an EM(electromigration) induced failure becomes one of the critical problems in a microelectronic device. This study is to improve thin film interconnection materials by investigating the EM characteristics in Ag, Cu, Au, and Al thin films, etc. EM resistance characteristics of Ag, Cu, Au, and Al thin films with high electrical conductivities were investigated by measuring the activation energies from the TTF (Time-to-Failure) analysis. Optical microscope and XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) analysis were used for the failure analysis in thin films. Cu thin films showed relatively high activation energy for the electromigration. Thus Cu thin films may be potentially good candidate for the next choice of advanced thin film interconnection materials where high current density and good EM resitance are required. Passivated Al thin films showed the increased MTF(Mean-time-to-Failure) values, that is, the increased EM resistance characteristics due to the dielectric passivation effects at the interface between the dielectric overlayer and the thin film interconnection materials.
Kim Eui tae;Oh Seung jae;Baac Hyoung won;Kim Sung june
Journal of Biomedical Engineering Research
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v.25
no.6
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pp.611-615
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2004
A neural prostheses can be designed to permit stimulation of specific sites in the nervous system to restore their functions, lost due to disease or trauma. This study focuses on the feasibility of optoelecronic stimulation into nervous system. Optoelectronic stimulation supplies, power and signal into the implanted optical detector inside the body by optics. It can be effective strategy especially on the retinal prosthesis, because it enables the non-invasive connection between the external source and internal detector through natural optical window 'eye'. Therefore, we designed an effective neural stimulating setup by optically based stimulation. Stimulating on the sciatic nerve of a rat with proper depth probe through optical stimulation needs higher ratio of current spreading through the neural surface, because of high impedance of neural interface. To increase the insertion current spreading into the neuron, we used a parallel low resistance compared to load resistance organic interface and calculated the optimized outer parallel resistance for maximum insertion current with the assumption of limited current by photodiode. Optimized outer parallel resistance was at a range of 500Ω-700Ω and a current was at a level between 580uA and 650uA. Stimulating current efficiency from initial photodiode induced current was between 47.5 and 59.7%. Various amplitude and frequency of the optical stimulation on the sciatic nerve showed the reliable visual tremble, and the action potential was also recorded near the stimulating area. These result demonstrate that optoelectronic stimulation with no bias can be applied to the retinal prosthesis and other neuroprosthetic area.
전자식 안정기는 최근 에너지 절약 정책과 관련하여 조명기기분야의 관심의 대상이 되었고, 절전 효율이 높은 고품질의 전자식 안정기에 대한 연구 개발 및 보급이 점점 더 확대되고 있는 추세이다. 일반적으로 전자식 안정기는 수십 KHz의 고주파에서 형광등을 구동시킴으로써 빛의 깜박거림과 가청잡음이 없으며, 저주파(60Hz)에서 사용하는 재래식 안정기(choke coil 방식)에 비해 높은 절전 효과를 얻을 수 있다[1-4]. 특히, 빌딩 사무실의 경우 낮에도 창가의 형광등이 켜져 있어서 막대한 전력을 낭비하고 있는 실정이므로, 일조량에 따른 자동 전력 조절이 가능한 전자식 형광등의 출현이 기대되고 있다. 전자식 안정기의 보급 확대를 위해서는 절전 효과 뿐만 아니라, 품질 문제, 수명 문제등을 고려하여야 하는 바, 예를 들면 순간 점등으로 방전초기의 sputtering 현상에 의한 lamp의 수명 단축, 미소 입력전압 변동에 따른 급격한 광출력의 변화로 절전 효과의 상실과 이상동작에 의한 스위칭 소자의 파괴 현상, 고주파 스위칭시 발생되는 전력손실과 noise등에 대한 대책이 요구되고 있다. 이러한 점을 개선하기 위해 추가되는 회로는 전자식 안정기 시스템을 더욱 복잡하게 만들고, 경제적으로 원가 부담을 주기 때문ㅇ 고품질의 전자식 안정기를 보급하는데 어려운 점으로 부각되고 있다. 본 고에서는 이러한 문제를 해결하기 위하여 조광기능을 포함한 다양한 제어회로와 보호회로를 조광기능을 포함한 다양한 제어회로와 보호회로를 1 chip에 수용하는 고품질의 전자식 안정기 제어용 집적회로에 대해서 기술하고자 한다.되어 나아갈 기술의 조류에도 부합하는 형태라 하겠다. 그러나 이 방식은 기 언급한 바와 같이 분산처리를 관장하는 운영체계의 개발에 상당한 고전이 따르리라 보여지며, 또한 보다 상세한 연구가 선행되어야 하겠지만 개발된 상용의 통신 프로토콜로서는 병렬처리의 성능을 극대화 하기에는 여러가지 제약이 있을 것으로 예측된다.기기들이 어떻게 응용되고 있는지 살펴보기로 하자. real informations would be available. Results are compared with those of optimal power flows.기능시험을 완료했으며 실제 line-of-sight(LOS) 시스템 구현에 적용중이다. 시대를 살아 갈 회원들이다. '컨텐츠의 시대'가 개막되는 것이며, 신세기통신과 SK텔레콤은 선의의 경쟁 과 협력을 통해 이동인터넷 서비스의 컨텐츠를 개발해 나가게 될 것이다. 3배가 높았다. 효소 활성에 필수적인 물의 양에 따른 DIAION WA30의 라세미화 효율에 관하여 실험한 결과, 물의 양이 증가할수록 그 효율은 감소하였다. DIAION WA30을 라세미화 촉매로 사용하여 아이소옥탄 내에서 라세믹 나프록센 2,2,2-트리플로로에틸 씨오에스터의 효소적 DKR 반응을 수행해 보았다. 그 결과 DIAION WA30을 사용하지 않은 경우에 비해 반응 전환율과 생성물의 광학 순도는 급격히 향상되었다. 전통적 광학분할 반응의 최대 50%라는 전환율의 제한이 본 연구에서 찾은 DIAION WA30을 첨가함으로써 성공적으로 극복되었다. 또한 고체 염기촉매인 DIAION WA30의 사용은 라세미화 촉매의
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[게시일 2004년 10월 1일]
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