저장, 유통 중 부패미생물 및 해충류 등으로 인한 사과의 질적, 양적 손실발생을 줄이기 위해 열처리 시 사과가 생명체로서 기능을 지닐 수 있는 임계온도 및 시간에 관한 연구를 수행하였다. 후지 사과를 40~$65^{\circ}C$ 범위의 물에 침지하여 일정 시간 간격으로 시료를 취한 후 $0^{\circ}C$에서 냉각, 저장하면서 처리조건에 따른 외관, 호흡특성 및 품질을 비교하였다. 처리온도 및 시간에 따라 사과의 외관상 품질은 차이를 보였는데 4$0^{\circ}C$에서 3시간, 45$^{\circ}C$에서 1시간, 5$0^{\circ}C$에서 25분, 55$^{\circ}C$에서 3분, 6$0^{\circ}C$에서 1분, $65^{\circ}C$에서 15초 처리 시까지는 과피의 갈변발생 등 이상증세를 보이지 않았다. 이와 같은 각각의 임계조건에서 사과를 열 처리한 후 $0^{\circ}C$에 저장하면서 방치 1일 및 7일 후 사과 조직내부의 가스조성을 조사한 결과, 탄산가스 농도는 저온 장시간 처리(4$0^{\circ}C$, 45$^{\circ}C$, 5$0^{\circ}C$)한 직후 급격한 증가 경향을 보인 후 다시 감소하였다. 고온 단시간 처리구(55$^{\circ}C$, 6$0^{\circ}C$, $65^{\circ}C$)의 경우 저온 장시간 처리한 경우에 비하여 낮은 수준이지만 약간의 증감 경향을 보이다가 고른 평형 상태를 유지하였다. 산소 농도는 저온 장시간 처리 직후 급격히 저하된 후 다시 증가하였으며 저장 7일 후에는 4$0^{\circ}C$ 3시간 처리구를 제외하고는 평형 상태를 유지하였다. 고온 단시간 처리구의 경우 처리 직후부터 저장 7일 후까지 고른 평형 상태를 유지하였다. 에틸렌의 경우 저온 장시간 처리구는 처리 직후 그 농도가 급격히 상승하였다가 저장 1일 후부터 대조구보다 낮은 값을 나타내었다. 고온 단시간 처리구의 경우 저온 장시간 처리구와는 달리 저장 1일 후부터 그 농도가 다소 상승되었다가 다시 감소는 경향을 보였다. 한편 열처리하여 냉각시킨 직후 및 저장1주 후 사과의 pH, 산도, 당도, 경도, 과육의 갈변도 등을 조사하였던 바 대조구 및 처리구간에 일부 항목에 있어서는 약간의 차이를 나타내었다.
Al이 2 wt% 포함되어 있는 Zn 금속타겟을 사용하여 반응성 직류 magnetron sputtering법으로 AZO(Aluminum doped zinc oxide) 투명전도막을 제조한 후 열처리함에 따라 변하는 박막의 전기적 광학적 특성을 조사하였다. 전이영역에서 증착된 막들은 비저항이 50 % 정도 감소하여 $1{\times}10^{-3}~3.5{\times}10^{-4}\;{\Omega}cm$로 전기적 특성이 향상되었으며, 높은 산소분압에서 산화물로 증착된 막의 비저항이 증착직후에는 $10^{3}\;{\Omega}cm$였으나 열처리 후에는 $2{\times}10^{-3}\;{\Omega}cm$로 감소하였다. 또 전이영역에서 증착된 막은 증착직후 59.4 %이던 평균투과율이 $400^{\circ}C$, 30분 열처리 후에는 77.4 %까지 향상되었다.
TiO$_2$와 CeO$_2$박막을 Si 위에 증착한 후 MOCVD법에 의해 PbTiO$_3$박막을 증착하여 MFIS 구조를 형성하였다. 절연층의 후열처리가 절연층 및 MFIS 구조의 전기적 특성에 미치는 영향을 관찰하기 위해 산소분위기와 $600^{\circ}C$~90$0^{\circ}C$의 온도범위에서 후 열처리를 행하였고, C-V 특성 및 누설전류 특성을 분석하였다. CeO$_2$와 TiO$_2$박막의 유전상수는 증착 직후 6.9와 15였으며, 90$0^{\circ}C$ 열처리를 행한 후 약 4.9와 8.8로 감소하였다. 누설전류밀도 역시 증착 직후 각각 7$\times$$10^{-5}$ A/$ extrm{cm}^2$와 2.5$\times$$10^{-5}$ A/$\textrm{cm}^2$에서 90$0^{\circ}C$ 열처리를 거친 후에 약 4$\times$$10^{-8}$ A/$\textrm{cm}^2$와 4$\times$$10^{-9}$ A/$\textrm{cm}^2$로 감소하였다. Ellipsometry 시뮬레이션을 통해 계산된 계면층의 두께는 90$0^{\circ}C$에서 약 115$\AA$(CeO$_2$) 및 140$\AA$(TiO$_2$)까지 증가하였다. 계면층은 MFIS 구조에서 강유전층에 인가되는 전계를 감소시켜 항전계를 증가시켰고, charge injection을 방지하여 Al/PbTiO$_3$/CeO$_2$(90$0^{\circ}C$, $O_2$)/Si 구조의 경우 $\pm$2 V~$\pm$10 V의 측정범위에서 memory window가 계속 증가하는 것을 보여주었다.
중온 열처리에 의한 후지 사과의 품질 개선을 위하여 임계 열처리 조건을 설정하였고, 임계 조건에서의 호흡 및 품질 특성을 조사하였다. 후지 사과의 온도에 따른 임계시간은 $40^{\circ}C$에서 180분, $45^{\circ}C$에서 60분, $50^{\circ}C$에서 25분, $55^{\circ}C$에서 3분, $60^{\circ}C$에서 1분, $65^{\circ}C$에서 20초였다. 호흡 특성에 대한 연구로 열처리 시 사과 내부의 가스 조성변화를 조사한 결과, 탄산가스 농도는 40, 45 및 $50^{\circ}C$의 경우 처리에 따라 급격한 증가 경향을 보인 후 저장 중 다시 감소하였으며, 반면 55, 60 및 $65^{\circ}C$ 처리에서는 처리직후부터 7일 후 까지 큰 변화를 나타내지 않았다. 열처리 사과의 산소가스 농도는 탄산가스 농도와 반대 경향을 나타내었다. 에틸렌 농도는 40, 45 및 $50^{\circ}C$에서 열처리한 사과의 경우 처리 직후 그 농도가 급격히 상승하였다가 처리1일 후부터 대조구보다 낮은 값을 나타내었다. 경도는 처리 7일째 $45^{\circ}C$ 및 $50^{\circ}C$에서 처리한 사과의 경우 대조구보다 각각 6.42%와 10.53%의 높은 값을 나타내었다.
다결정 실리콘 상의 텅스텐 시리사이드 막의 Si/W 조성비, 저항 및 응력을 측정함으로써 어닐링과 산화에 따른 막 특성의 변화를 조사하였다. 막형성 직후의 텅스텐 시리사이드 막의 Si/W 조성비는 2.6이었으나 어닐링 후에는 2.4-2.6으로 산화후에는 2.0-2.3으로 감소하였다. 비저항은 막형성 직후에는 41.2.OMEGA./$\square$ 로, 산화후에는 4.3.OMEGA./$\square$으로 감소하였다. 또한 텅스텐 실리사이드 막의 응력은 SiH$_{4}$유량의 증가에 따라 감소하였으며 어닐링후에는 증가하였다. 그밖에 과잉의 Si, 도펀트 P 그리고 막내에 유입된 F와 H등은 열처리시 실리사이드/다결정 Si 및 실리사이드/SiO$_{2}$의 계면으로 이동하여 응력의 증가를 초래하는 것으로 보인다.
기존의 디스플레이 기슬은 마스크를 통해 특정 부분에만 유기재료를 증착시키는 방법을 사용하였으나, 기판의 크기가 커짐에 따라 공정조건에 제약이 발생하였다. 이를 해결하기 위해 최근 용액 공정에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 용액 공정은 기존 진공 증착 방식과 비교하였을 때 상온, 대기압에서 증착이 가능하며 경제적이고, 대면적 균일 증착에 유리하다는 장점이 있다. 반면, 용액 공정으로 제작한 소자는 시간이 지남에 따라 점차 전기적 특성이 변하는 aging effect를 보인다. Aging effect는 용액에 포함된 C기와 OH기 기반의 불순물의 영향으로 시간의 경과에 따라서 문턱전압, subthreshold swing 및 mobility 등의 전기적 특성이 변하는 현상으로 고품질의 박막을 형성하기 위해서는 고온의 열처리가 필요하다. 지금까지 고품질 박막 형성을 위한 열처리는 퍼니스 (furnace) 장비에서 주로 이루어졌는데, 시간이 오래 걸리고, 상대적으로 고온 공정이기 때문에 유리, 종이, 플라스틱과 같은 다양한 기판에 적용하기 어렵다는 단점이 있다. 따라서, 본 연구에서는 $100^{\circ}C$ 이하의 저온에서도 열처리가 가능한 microwave irradiation (MWI) 방법을 이용하여 solution-processed InGaZnO TFT를 제작하였고, 기존의 열처리 방식인 furnace로 열처리한 TFT 소자와 aging effect를 비교하였다. 먼저, solution-processed IGZO TFT를 제작하기 위해 p type Si 기판을 열산화시켜서 100 nm의 SiO2 게이트 산화막을 성장시켰고, 스핀코팅 방법으로 a-IGZO 채널층을 형성하였다. 증착후 열처리를 위하여 1000 W의 마이크로웨이브 출력으로 15분간 MWI를 실시하여 a-IGZO TFT를 제작하였고, 비교를 위하여 furnace N2 gas 분위기에서 $600^{\circ}C$로 30분간 열처리한 TFT를 준비하였다. 제작된 직후의 TFT 특성을 평가한 결과, MWI 열처리한 소자가 퍼니스 열처리한 소자보다 높은 이동도, 낮은 subthreshold swing (SS)과 히스테리시스 전압을 가지는 것을 확인하였다. 한편, aging effect를 평가하기 위하여 제작 후에 30일 동안의 특성변화를 측정한 결과, MWI 열처리 소자는 30일 동안 문턱치 전압(VTH)의 변화량 ${\Delta}VTH=3.18[V]$ 변화되었지만, furnace 열처리 소자는 ${\Delta}VTH=8.56[V]$로 큰 변화가 있었다. 다음으로 SS의 변화량은 MWI 열처리 소자가 ${\Delta}SS=106.85[mV/dec]$인 반면에 퍼니스 열처리 소자는 ${\Delta}SS=299.2[mV/dec]$이었다. 그리고 전하 트래핑에 의해서 발생하는 게이트 히스테리시스 전압의 변화량은 MWI 열처리 소자에서 ${\Delta}V=0.5[V]$이었지만, 퍼니스 열처리 소자에서 ${\Delta}V=5.8[V]$의 큰 수치를 보였다. 결과적으로 MWI 열처리 방식이 퍼니스 열처리 방식보다 소자의 성능이 우수할 뿐만 아니라 aging effect가 개선된 것을 확인할 수 있었고 차세대 디스플레이 공정에 있어서 전기적, 화학적 특성을 개선하는데 기여할 것으로 기대된다.
고추장 제품의 유통시 문제가 되는 가스 발생을 억제하고자 주요 미생물은 존재하면서 효모를 사멸시킬 수 있는 방법으로 $50-70^{\circ}C$에서 5-15분 동안 열처리를 시도하였다. 고추장을 담금 직후 가열하는 방법과 40일간 발효한 후 가열 처리한 방법으로 구분하여 고추장의 생화학적 특성을 실험한 결과 고추장을 담금 직후 $60^{\circ}C$에서 15분 가열한 처리구는 발효 전 과정에서 효모가 전연 증식되지 않았고 세균수는 변화가 거의 없었다. 이 열처리조건에서 ${\alpha}-amylase$는 열처리에 따른 변화가 없으나 ${\beta}-amylase$는 열처리로 역가가 상승하는 경향을 보였고 산성 protease는 가열 처리로 60일 이후 대조구보다 증가하나 중성 protease는 80일 이후 감소하는 경향을 보였고 아미노산성 질소량은 비열처리구 보다 낮은 경향을 보였다. 고추장의 색도는 L, a, b 값이 감소하나 발효전 열처리 조건에서는 ${\Delta}E$값의 차이가 있고 색소물질인 5-hydroxy-2-methyl furfural(HMF)는 증가하고 총 carotenoid 및 capsanthin 함량은 가열처리로 감소하는 경향을 보였다.
풋고추의 저장성 향상을 위한 저장전 열처리 조건을 구명하기 위하여 풋고추를 50, 55, 60, $65^{\circ}C$의 온수에 각각 10초 침지하여 열처리를 하였다 $65^{\circ}C$에서 10초 열처리한 경우는 열처리 직후 과육표면에 가열장해 현상이 나타났다. 온수에서 침지한 풋고추를 1$0^{\circ}C$의 저장고에서 4주 동안 저장하면서 관능적 품질, 화학적 품질과 미생물학적 품질을 측정하였다. 표면 색도 중 L 값은 저장 중 조금씩 감소하는 경향을 보였으며, a 값과 b 값은 저장 3주까지는 거의 변화가 없다가 저장 4주에서는 대조구의 경우 열처리구에 비해서 a값은 높아지고 b값은 낮아진 결과를 볼 때 저장 4주가 되면 대조구의 경우 열처리구에 비해서 표면색도가 초록색이 옅어짐을 알 수 있었다. 중량감소는 대조구와 열처리구 사이에 유의한 차이를 나타내지 못하였으나, 대조구의 경도와 생균수는 저장 3주까지는 차이가 없다가 4주에서 경도는 낮아지고 생균수는 높게 나타났다. 매운맛 성분인 capsaicin과 dihydrocapsaicin은 열처리 유무에 관계없이 저장 중 감소하는 경향을 나타내었으며, 대조구의 경우가 약간 높게 나타났다. 풋고추의 관능적 품질은 55$^{\circ}C$ 온수에서 10초 동안 열처리한 경우가 가장 우수하게 나타나 이 조건이 풋고추의 저장성 향상을 위한 저장전 열처리 조건으로 구명되었다. 풋고추를 3, 10, 17$^{\circ}C$에서 저장한 결과 대조구의 경우는 3$^{\circ}C$에서 저온장해를 받았으나 열처리구의 경우는 3$^{\circ}C$에서도 우수한 품질을 나타내어 열처리가 풋고추의 저온장해를 억제하는 효과가 있는 것으로 추정할 수 있었다.
p형 Si (100)기판 위에 reactive DC magnetron sputtering으로 증착한 $ZrO_2$박막에 대하여 증착 조건과 열처리 조건에 따른 미세구조의 변화 및 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 증착 및 열처리 온도가 증가하고 power 증가할수록 $ZrO_2$의 굴절율은 증가되어 이상적인 2.0~2.2에 근접하였다. 상온에서 증착된 $ZrO_2$ 박막은 비정질이며 $300^{\circ}C$에서 증착한 경우 $ZrO_2$박막은 다결정이었다. 산소 분위기에서 열처리를 수행한 박막의 RMS 값은 증착직후보다 높아지고 계면 산화막은 산소의 확산에 의해 두께가 증가하였다. A1/$ZrO_2$/p-type Si(100)의 C-V과 I-V 특성을 관찰하였고, 그 결과 산소분위기에서 열처리하는 경우 계면 산화막의 두께증가로 Cmax 및 누설전류가 감소함을 알 수 있었다.
열처리가 절단 감자의 품질에 미치는 영향을 조사하고자, 원형감자를 건열 및 습열처리하거나, 박피절단한 후 습열처리 하였다. 감자의 열처리조건은 원형감자의 경우 각각 $45^{\circ}C$에서 60분이었으며, 절단후 열처리한 감자의 경우$55^{\circ}C$의 열수에 45초간 침지하였다. 각각 열처리하여 제조된 감자절편은 표면의 물기를 제거한 다음, 필름봉지(LDPE, $30{\mu}m$, 15 cm x 20 cm)에 약 200 g씩 포장하여 $5^{\circ}C$에 저장하면서 품질변화를 조사하였다. 열처리는 전반적으로 호흡률을 저하시켰으며, hunter L값의 변화도 대조구에 비하여 낮았다. 건열처리는 대조구에 비하여 호흡률이 $20\%$ 정도 낮았으며, hunter L값은 다른 처리구와 비교하여 가장 높은 값을 유지하였다. 경도와 유리형 페놀화합물 함량의 변화는 시료구간 유의적인 차이를 나타내지 않았다. Vitamin C 함량은 대조구가 처리 직후 가장 높았으나, 그 감소율은 절단 후 열처리한 구가 대조구보다 낮았다. 관능적 품질 면에서 경도와 냄새는 처리구간에 유의적인 차이를 나타내지 않았지만, 표면색에 있어서 열처리구가 대조구에 비하여 유의적으로 우수한 것으로 나타내었으며, 특히 CH구에서 가장 우수하였다. 결과적으로 열처리는 감자 절단면의 갈변발생을 억제시켜 품질유지에 효과가 있는 것으로 나타나고 있으며, 절단 후 열처리(CH)가 보다 효과적이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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