• Journal of the Korean Data and Information Science Society
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• 제23권6호
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• pp.1183-1194
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• 2012

설문조사를 실시할 경우 무응답이 발생하지 않는 경우는 매우 드문일이며 무응답이 발생할 경우 무응답처리에 대해서는 다양한 방법이 적용되고 있다. 본 논문에서는 무응답의 두 가지 유형인 단위무응답과 항목무응답의 발생비율을 기존에 조사된 실제 사례를 이용하여 파악하였으며, 무응답률에 따른 분석결과의 차이를 비교하였다. 또한, 대학생들을 대상으로 집단면접조사를 통해 직접 자료를 수집하였고 이 자료를 바탕으로 무응답률과 무응답이 발생하는 이유를 제시하였다.

• 대한기계학회논문집
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• 제14권1호
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• pp.79-86
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• 1990

본 연구에서는 균열 길이의 별도 측정없이, 하중변위 곡선에서 직접 $J_{IC}$를 결정하는 방법을 제안하고 그 타당성을 조사한다. 또한 키이 곡선(key curve)을 이용하여 $J_{IC}$를 좀더 간단하게 구하는 방법에 대해서도 알아본다. 위의 방법으 로 결정된 $J_{IC}$의 값은 ASTM에 의해 제안된 R-곡선 방법으로 고한 $J_{IC}$의 값 과 비교된다. 본 연구의 타당성을 조사하기 위하여 기계 구조용합금강인 SCM4를 사 용한 파괴 실험을 수행한다.

• ETRI Journal
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• 제14권1호
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• pp.40-51
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• 1992

$0.25{\mu} m$ 급 pMOSFET소자를 구현하기 위해, $P^+$ 폴리실리콘을 적용한 pMOS를 제작하였으며, $p^+$ 폴리실리콘 게이트 소자에서 심각하게 문제가 되고 있는 붕소이온 침투현상을 조사하고 붕소이온 침투가 일어나지 않는 최적열처리온도를 조사하였다. 소자제조 공정중 게이트 공정만 전자선 (EBML300)을 이용하여 직접묘사하고 그 이외의 공정은 stepper(gline) 을 사용하는 Mix & Match 방법을 사용하였다. 또한 붕소이온 침투현상을 억제하기 위한 한가지 예로서, 실리콘산화막과 실리콘질화막을 적층한 ONO(Oxide/Nitride/Oxide) 구조를 게이트 유전체로 적용한 소자를 제작하여 그 가능성을 조사하였다. 그 결과 $850^{\circ}C$의 온도와 $N_2$ 분위기에서 30분동안 열처리 하였을 경우, 붕소이온의 침투현상이 일어나지 않음을 SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometer) 분석 및 C-V(Capacitance-Voltage) 측정으로 확인할 수 있었으며 그 이상의 온도에서는 붕소이온이 침투되어 flat band전압(Vfb)을 변화시킴을 알았다. 6nm의 얇은 게이트 산화막 및 $0.1{\mu} m$ 이하의 LDD(Lightly Doped Drain) $p^-$의 얇은 접합을 형성함으로써 소자의 채널길이가 $0.2 {\mu} m$까지 짧은 채널효과가 거의 없는 소자제작이 가능하였으며, 전류구동능력은 $0.26\muA$/$\mu$m(L=0.2$\mu$m, V$_DS$=2.5V)이었고, subthreshold 기울기는 89-85mV/dec.를 얻었다. 붕소이온의 침투현상을 억제하기 위한 한가지 방법으로 ONO 유전체를 소자에 적용한 결과, $900^{\circ}C$에서 30분의 열처리조건에서도 붕소이온 침투현상이 일어나지 않음으로 미루어 , $SiO_2$ 게이트 유전체보다 ONO 게이트 유전체가 boron 침투에 대해서 좋은 장벽 역활을 함을 알았다. ONO 게이트 유전체를 적용한 소자의 경우, subthreshold특성은 84mV/dec로서 좋은 turn on,off 특성을 얻었으나, ONO 게이트 유전체는 막자체의 누설전류와 실리콘과 유전체 계면의 고정전하량인 Qss의 양이 공정조건에 따라 변화가 심해서 문턱전압 조절이 어려워 소자적용시 문제가 된다. 최근 바닥 산화막(bottom oxide) 두께가 최적화된 ONO 게이트 유전체에 대하 연구가 활발히 진행됨을 미루어, 바닥 산화막 최적화가 된다면 더 좋은 결과가 예상된다.

• 문화기술의 융합
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• 제6권2호
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• pp.467-472
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• 2020

일반적인 보통 등급의 지반(ground) 상 구조물의 안정성 확보를 위한 설계입력정수(input-parameters) 도출방법들은 보편적으로 잘 알려져 있다. 연구지역과 같은 습곡된(folded) 변성암(metamorphic rocks) 지반은 엽리가(foliation) 촘촘히 발달해 있고, 엽리에 평행한 소규모 단층들(faults)이 분포하고 있어 설계입력정수 도출을 위한 특별한 조사방법 및 시험, 등이 요구된다. 수 mm 간격의 엽리가 발달한 변성암 지반은 엽리면 직접전단강도시험(direct shear test), 엽리의 배향(strike/dip)과 맵핑(mapping), 엽리의 지하 연속성 파악을 위한 시추조사, 변성암반의 암반분류(rock mass rating), 등이 필요하다. 특정 엽리면을 따라 발달한 소규모의 엽리평행단층(foliation-parallel faults)이 다수 발달한 지반은 선구조선 분석, 단층 추적을 위한 지표지질맵핑, 단층면 직접전단강도시험, 등이 필수적이다. 습곡지반은 지질구조구(structural domain) 분석, 불연속면의 평사투영(stereonet)해석, 습곡축을 따른 전기비저항탐사, 등의 추가조사로 설계입력정수 도출이 합리적이다.

• 전자공학회논문지B
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• 제31B권11호
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• pp.53-62
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• 1994

본 논문에서는 湖光立體視法(Photometric Stereo Method : PSM)을 적용하여 3차원 물체의 표면 방향정보를 추정할 때 조명원이 이상적인 평행광이 아닌 범용 조명환경인데서 기인한 표면 방향추정 오차의 해석 방법을 제시하였다. 제시한 방법에서는 원반 형태의 조사 대상 면을 포함한 조명환경에 대한 구체적인 모델링과 오차분포에 대한 직접적인 시뮬레이션을 통하여 오차해석을 하도록 하였다. 범용조명원은 beam angle을 갖는 점광원으로 가정하고, 조사 대상면에서의 밝기분포는 분산값이 변하는 가우스함수 형태로 모델링하였다. 설정된 조명 모델에서 분산을 여러값으로 변화시켜서 이에따라 PSM에서 나타나는 오차분포를 얻기 위한 목적으로, 임의의 세 방향으로 위치한 조사 대상면의 평균 밝기값을 계산하여 고정된 조명원의 위치벡터를 얻는 시뮬레이션 알고리듬을 제시하였다. PSM과 제안된 조명원의 위치추정 알고리듬 사이에는 상사관계(analogy)가 성립하기 때문에, PSM 적용시 비이상적인 조명모델에 의해 나타나는 물체표면방향 추정오차는 제시한 조명원 위치추정 시뮬레이션으로부터 직접적으로 구할 수 있다. 또한 설정된 조사대상면 모델과 같은 원방형태의 계측기구를 제작하여 임의의 방향벡터를 제공하도록 하고, 이를 측정과 시뮬레이션에 사용함으로써 오차해석과 보정을 체계적으로 수행할 수 있도록 하였다. 제시한 방법에 따라 방향 벡터를 제공하도록 하고, 이를 측정과 시뮬레이션에 사용함으로써 오차해석과 보정을 체계적으로 수행할 수 있도록 하였다. 제시한 방법에 따라 방향 벡터값들의 조합을 공간상에서 다양하게 변화시키면서, PSM에서 나타나는 방향추정 오차분포를 구하는 컴퓨터 시뮬레이션을 수행하였다. 시뮬레이션과 같은 방법으로 실측에 의한 방향추정 오차를 구하고 시뮬레이션에서 얻은 결과와 비교 검토하였다. 그 결과, 실제 측정실험에서 얻은 복합적인 오차중 상당부분은 비이상적인 범용조명원 모델로부터 기인한 것임을 확인할 수 있었다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제32권4호
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• pp.168-177
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• 2007

본 논문에서는 노심설계 단계에서 선정된 다양한 노심 장전모형 중에서 압력용기 중성자 조사취화 관점에서 가장 최적의 노심 장전모형을 선정할 수 있도록 신속하게 압력용기 취약위치에 대한 속중성자속을 예측할 수 있는 방법을 제시하였다. 인공신경회로망 기법을 통해 노심 반경방향 및 축방향 출력분포만을 이용하여 압력용기내벽 취약위치에서의 중성자 스펙트럼을 신속하게 평가할 수 있도록 중성자속 가중치를 생산하였고 데이터베이스를 구축하였다. 이 방법은 중성자 수송코드를 이용한 수송계산을 직접 수행하지 않고도 신속하게 압력용기 위치에서의 중성자 조사환경을 평가할 수 있으며 소송코드 결과와 비교하여 상대오차 3.4%이내의 정확도를 보였다.

• 디자인학연구
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• 제11권1호
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• pp.73-80
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• 1998

최근 들어 그 중요성이 더욱 증대되기 시작한 문화적 디자인은 주로 형태나 색채 등의 현상적 연구에만 머물고 있는 형편이다. 보다 본질적인 문화적 디자인을 이루기 위해서는 이러한 현상적 연구와 함께 제품과의 상호작용의 특성과 같은 문화적 사용자-인터페이스 디자인에 대한 연구가 이루어져야 할 것이다. 이에 본 연구는 이러한 문화적 사용자 인터페이스 디자인을 위한 방법론 개발이 일환으로 웹 브라우저를 통한 사용 성 연구를 제안한다. 본 연구는 우선 문화의 정의, 깊이, 문화 변수 등을 살펴봄으로써 문화의 본질적 성격을 이해하고, 이를 바탕으로 타 문화권 사용자들이 제품을 사용할 때 나타나는 행위 특성을 연구할 수 있는 방법의 구조를 설정하였다. 이어서 이 구조를 근거로 하여 타 문화권의 사용자들이 직접 WWW 상에서 접근하여 제품을 사용하게 한 후 이를 분석할 수 있는 사용 성 평가 프로그램을 개발하였다. 이는 사용자의 인구 통계적 사항을 조사하는 모듈, 사용자의 문화변수별 특성을 파악하는 모듈, 사용자의 스테리오타잎을 조사하는 모듈, 제품을 직접 사용하여 사용 성을 평가하는 모듈, 마지막으로 모든 인터랙션 데이터를 기록하고 문자로 저장하여 다양한 통계를 이룰 수 있는 분석 모듈 등으로 나뉘어 구성되었다. 끝으로 본 연구이 한계를 지적하고 이의 향후 연구방향을 제시하였다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2003년도 하계학술연구발표회 및 한.일 공동심포지엄
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• pp.34-35
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• 2003

고에너지적 Nd-Fe-B계 소결자석 제조를 위한 펄스자장 성형시, 금형 및 다양한 성형조건이 자석의 이방화율 향상에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 일반적으로 butterfly, disk or coin 형태의 자석을 제조하는 방법으로는, 종축자장성형법(Axial Die Press, ADP)을 이용하여 최종제품의 near-net shape으로 성형 및 소결하는 방법과, 횡축자장성형법(Transverse Die Press, TDP)을 이용하여 blick or cylinder 형태로 제조한 후 여러 단계의 가공공정을 거쳐 최종제품으로 제조하는 방법이 적용되고 있다. 그러나, ADP의 경우 분말의 자장정렬 후 성형단계에서 성형밀도가 증가함에 따라 배향의 틀어짐 현상이 증가하므로 이방화율 향상의 한계가 있어 (BH)$_{MAX}$+iHc=54 이상의 자석은 제조되기 어렵고, TDP의 경우 고이방화 자석의 제조가 가능하나 복잡한 형상의 제품을 직접 성형할 수 없어 성형/소결 후 복잡한 가공공정을 거쳐야 하므로 재료의 손실뿐만 아니라 고가의 가공비용이 소요되므로 경제적인 문제점을 갖게 된다. 반면에, 펄스자장 종축성형방법(PDP)은 3T~5T의 펄스자장을 이용하여 분말의 정렬 및 성형을 동시에 수행함으로써 TDP보다 향상된 배향율이 얻어질 수 있으며, ADP으로만 실현 가능한 복잡한 형성의 자석을 near-net shape으로 제조가 가능한 잇점이 있다.다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제5권4호
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• pp.411-420
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• 1992

C$_{2+}$-Quinolium(TCNQ) 유기 초박막을 Langmuir-Blodgett 방법을 이용하여 유리기판 위에 누적하였다. 이의 최적 누적조건을 알아보기 위하여 .pi.-A isotherm특성을 온도, pH, 압축 속도, 분산량 등을 변화시키면서 조사하였다. 누적 과정은 전이비를 통하여 고체 기판에 누적되는 정도를 살펴볼 수 있었으며 누적된 박막은 다음과 같은 방법으로 확인하였다. 광학적인 방법으로 광흡수도, 전기적인 방법으로 전기 용량, 그리고 기계적인 방법으로 두께를 직접 측정하여 누적된 박막의 상태를 관찰하였다. 상온에서 이방성 전기 전도도를 측정하였는데 수평 방향으로 ~1 x $10^{-7}$S/cm, 수직 방향으로 ~1 x $10^{-14}$S/cm의 값을 얻었다.

• 한국HCI학회:학술대회논문집
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• 한국HCI학회 2007년도 학술대회 2부
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• pp.345-352
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• 2007

오늘날 휴대폰은 20~30대의 젊은 사용자 층뿐 아니라, 고령사용자 및 아동사용자들로 확대되면서 다양한 사용자층을 포함하게 되었다. 이렇게 사용자층은 다양해지고 있으나, 휴대폰 제조사들은 다양한 사용자 계층의 인지능력과 요구사항을 반영하진 못한 채, 20~30대의 젊은 주 사용자 층을 기준으로 디자인하고 있다. 특히, 하드웨어적인 디자인 측면에서는 다각화가 이루어지고 있는 편이나, 소프트웨어 측면에서의 시도는 거의 미비하다. 따라서, 본 연구에서는 다양한 사용자 계층에 따른 유동적 인지능력 및 요구사항, 감성에 맞는 맞춤형 My메뉴(Menu)를 설정할 수 있는 휴대폰 UI 디자인을 제안하고자 한다. 특히, 주 사용자 층과는 다른 사용패턴을 보이는 어린이들을 위한 개인화된 My메뉴를 설정하는 인터랙션 UI 디자인 개발하여 제안하였다. 본 논문은 먼저, 문헌과 사례분석으로 통해 기존 휴대폰 제조사와 서비스 사업자들의 메뉴 개인화를 위한 다양한 시도를 조사하였다. 또한, 어린이들의 사용 패턴과 메뉴의 사용 빈도 등을 파악하기 위하여 사용자 조사 방법을 두가지 방법으로 진행하였다. 우선 2006년 7월말부터 8월 10일까지 2주에 걸쳐, 만 9세~12세의 초등학교 아동사용자 남여 10명을 대상으로 휴대폰 사용의 전반적인 특성과 사용행태을 파악하고, 환경설정 및 주 사용메뉴를 조사하기 위한 심층인터뷰를 시행하였다. 그리고 1차 인터뷰 내용을 바탕으로 설문지를 작성하였다. 이번 설문에서는 주 사용메뉴가 무엇이며 사용빈도는 어느 정도 되는지 선호하는 메뉴형식과 용어의 어려움은 없었는지를 파악했다. 또한 사용자가 자주 사용하는 메뉴를 대기화면에 가져다 놓고 싶은지를 물어 직접적인 휴대폰 대기화면의 사용여부를 파악하였다. 2006년 12월 일주일동안, 1차 인터뷰의 아동사용자와 동일한 연령대의 아동사용자 남여 총46명을 대상으로 설문조사를 실시하여 더욱 정량화된 데이터를 얻을 수 있었다. 이를 바탕으로 사용자 연령과 성별에 따라 기본 디폴트 My메뉴(Menu)를 제공하는 방법, My메뉴의 항목과 우선순위, 테마를 설정하여 개인화하는 UI 디자인을 도출하였다. 본 연구는 아동사용자를 대상으로 휴대폰의 소프트웨어 UI 중 메뉴를 사용자 맞춤형으로 설정할 수 있는 방법과 인터랙션을 디자인하여 제시하였다. 이러한 소프트웨어적인 UI 개인화 시도는 다양한 사용자 계층의 요구사항을 반영하는 보다 효율적인 방법으로써 사용자 만족과 사용성을 높이는 효과를 가져올 수 있을 것이다.