• 제목/요약/키워드: 직렬회로

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1.5MHz직렬 ATA 물리층 회로 설계 (Design of 1.5MHz Serial ATA Physical Layer)

  • 박상봉;신영호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권2호
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    • pp.39-45
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    • 2004
  • 본 논문에서는 직렬 ATA 물리층에 대한 설계 및 칩 제작 후 테스트 결과와 성능 평가를 서술하였다. 직렬 ATA 의 물리층은 +/-250㎷ 의 전압 레벨과 1.5㎓ 속도를 지니는 차등 NRZ 직렬 데이터 스트림을 송신 및 수신하는 회로와 1.5㎓ 송신 PLL 회로, 수신된 1.5Gbps 직렬 데이터 스트림에서 데이터 및 송신 클럭을 복원하는 회로와 SERDES 회로 및 OOB 신호 발생 및 검파 회로 등으로 구성하였다. 설계된 직렬 ATA 물리층은 UMC 사의 0.18㎛ 표준 CMOS 공정을 이용하여 칩으로 제작 후 성능을 검증하였다. 특성 검토 결과 대부분 사양을 만족하였고, 데이터 전송 속도 1.5Gbps 사양은 실지 측정치가 1.38Gbps 로 목표 사양에 8% 미달되었다.

비선형 inductance를 포함하는 R-L-C회로의 안정성에 관하여

  • 이양수
    • 전기의세계
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    • 제12권
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    • pp.30-34
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    • 1963
  • 비선형자기철심을 사용한 inductance를 그 비선형영역까지 동작하게 할때와 직렬형가포화 reactor에 R-C부하를 직렬로 연결하여 동작시킬 때 어떠한 동작범위에서는 회로의 전류진폭이 불안정한 경우가 있다. 특히 직렬형가포화 reactor에 R-C부하를 연결한 경우는 J.T.Salihi씨 및 H.C.Bourne씨에 의하여 그 동작현상이 설명되었다. 그러나 안정조건은 충분한것이 아니라고 생각되며 이와같은 R-L-C 직렬회로는 정량적으로 해석하는데 수학적인 난점이 있어서 곤란하지만 정성적인 방법 즉 근사계산에 의하여 안정성문제와 그 회로동작상태 등을 고찰할 수 있다. 본 고는 이러한 안정조건을 계산하여 제시코져 한다.

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직렬형 리튬이온 배터리의 선택적 전압 균일화 기법을 이용한 새로운 능동형 셀 밸런싱 회로 (A Novel Active Cell Balancing Circuit using Selective Boost Technique for Series-Connected Lithium-Ion Battery)

  • 박영화;최시영;최영준;김래영
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2016년도 전력전자학술대회 논문집
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    • pp.305-306
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    • 2016
  • 본 논문은 선택적 전압 균일화 기법을 이용하여 직렬 연결된 리튬 이온 배터리의 빠른 전압 균일화를 위한 새로운 능동형 셀 밸런싱 회로를 제안하였다. 제안한 회로는 다권선 변압기를 사용한 전하 균일화 회로에 인덕터 1개, MOSFET 스위치 1개를 추가한 회로 구성을 가지며, 기존의 빠른 밸런싱을 위한 회로 대비 수 배 적은 소자로 구성이 가능하다. 추가된 인덕터는 직렬 연결된 배터리 전압을 통해 빠르게 저장된 에너지를, 낮은 전압의 배터리로 높은 밸런싱 전류를 전달함으로써 배터리 셀 간의 빠른 전압 밸런싱을 구현하였다. 제안한 회로의 밸런싱 속도에 대한 검증을 위해서, PSIM Simulation을 통해 기존 회로와 비교 검증 하였다.

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FET를 이용한 직렬인버어터 회로의 구성에 관한 연구 (A Study on construction of series inverter using FET)

  • 최부귀;김종훈
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제14권3호
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    • pp.18-24
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    • 1977
  • 본 논문은 FET의 핀치오프특성을 이용하여 직렬인버어터회로를 구성하고 그것의 출력특성을 게이트바이어스 주파수 및 부하의 변동에 따라 분석하였다. 상기 회로는 SCR직렬인버어터회로에서 생기기 쉬운 게이트바이어스주파수 및 부하의 변동에 따른 출력의 불안정을 제거하였다. 그러나 FET직렬인버어터의 전류용량이 적어 경부하에 적당하다.

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간단한 구조를 갖는 직렬 반도체 스위치 스태킹 기반 고전압 스위치 및 게이트 구동 회로 설계 (Design of High Voltage Switch Based on Series Stacking of Semiconductor Switches and Gate Drive Circuit with Simple Configuration)

  • 박수미;정우철;류홍제
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2020년도 전력전자학술대회
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    • pp.221-223
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    • 2020
  • 반도체 기반 고전압 펄스 발생장치에 적용 가능한 고전압 스위치는 주로 수 kV 정격의 반도체 스위치를 직렬로 스태킹하여 구성되며, 이때 각 스위치 소자에는 절연과 동기화된 각각의 게이트 신호가 인가되어야 한다. 본 논문에서는 짧은 펄스 폭의 온, 오프 게이트 펄스와, 단일 턴의 고전압 전선을 일차측으로 갖는 게이트 변압기를 통해 직렬로 구성된 반도체 스위치 스택 기반의 펄스 모듈레이터에 적용 가능한 간단한 구조의 게이트 구동회로가 설계되었다. 각 스위치에 게이트 신호를 전달하기 위해 온, 오프 게이트 펄스를 사용함으로써 게이트 변압기의 포화를 방지할 수 있으며, 이때 각 스위치의 게이트 턴-온, 오프 전압은 변압기 이차측의 제너 다이오드와 스토리지 커패시터를 통해 유지된다. Pspice 시뮬레이션을 통해 12개의 IGBT를 직렬로 구성하여 설계된 구조의 게이트 회로를 적용, 최대 10kV 펄스 출력 조건에서 안정적인 동작을 확인하고 설계를 검증하였으며 1200V 급 IGBT를 사용하여 실제 스위치 스택과 게이트 구동회로 모듈을 1리터 이내의 부피로 고밀도화하여 제작하였다.

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직렬연접 길쌈부호를 사용한 다중레벨 부호변조방식 (Multilevel Coded Modulation with Serial Concatenated Convolutional Code)

  • 이상훈;여운동;주언경
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제40권9호
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    • pp.366-372
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    • 2003
  • 본 논문에서는 직렬연접 길쌈부호를 사용한 다중레벨 부호변조방식을 제안하고 그 성능을 분석한다. 다중레벨 부호변조의 첫 번째 레벨에서 직렬연접 길쌈부호를 구성부호로 사용할 경우 높은 부호이득과 대역폭효율성을 얻을 수 있다. 모의실험 결과 Ambroze의 길쌈부호를 사용한 다중레벨 부호변조의 성능은 병렬연접 길쌈부호를 사용한 다중레벨 부호변조의 성능과 같이 성능이 포화된다. 그러나 Benedetto의 직렬연접 길쌈 부호를 사용한 다중레벨부호변조는 성능포화현상을 보이지 않을 뿐만 아니라 성능도 병렬연접 길쌈부호를 사용한 것과 Ambroze의 직렬연접 길쌈부호를 사용한 것보다 우수하다. 따라서 Benedetto의 직렬연접 길쌈부호를 사용한 다중레벨부호변조는 제한된 대역폭에서 고품질을 요구하는 시스템에 적합하다고 할 수 있다.

두 대의 5-레벨 인버터의 직렬 결합을 이용한 멀티레벨 인버터 (Multilevel inverter using two 5-level inverters connected in series)

  • 최원균;홍운택;권철순;현석환;강필순
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.504-505
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    • 2010
  • 본 논문에서는 양방향 스위치를 가지는 기존의 5-레벨 인버터를 직렬 결합하여 보다 많은 출력 전압 레벨을 형성할 수 있는 멀티레벨 인버터 구조를 제안한다. 제안된 회로는 동일한 출력 전압 레벨 형성시 기존의 Cascaded H-bridge cell 방식보다 사용하는 스위칭 소자를 줄일 수 있어 시스템 크기, 비용, 전력 손실을 저감시킬 수 있는 장점을 가진다. 제안된 회로는 입력 전압원의 크기를 5의 배수로 구성함으로서 보다 많은 수의 레벨을 생성시킬 수 있는 특징을 가진다. 본 논문에서는 두 대의 5-레벨 인버터를 직렬 결합함으로써 25-레벨의 출력전압을 생성시킬 수 있는 인버터에 대한 특성을 분석하고 시뮬레이션과 실험을 통해 타당성을 검증한다.

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