Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.9
no.4
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pp.7-16
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1972
A prototype of photoelectric photometer has been developed by all solid state operational amplifiers. The amplification of low-level anode currents from photomultiplier tube corresponding to a given incident light intensity and logarithmic transfer for star's magnitude nleasurements are achieved by the same operational amplifier. It is important to select low input bias currents for stable performance because the resolution is primarily limited by the bias currents. As such, they offer a higher reliable and economical for a large number of electrometer amplifier applications which have traditionaly been fulfilled by vacuum electrometer tubes or vibrating reed electrometers.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.17
no.9
s.112
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pp.852-859
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2006
This paper suggests a developing approach of EHF TWTA for satellite communications. In order to improve RF performance and gain, we design and realize an EHF TWTA using a linearizer and drive amplifiers. Through the embodiment and experiment of 80 W EHF TWTA, this method satisfies the design specifications. Therefore, this approach is very useful and can be used to develop the similar equipments.
Kim, Do-Gyun;Jung, In-Il;Hong, Nam-Pyo;Kim, Kwang-Jin;Choi, Young-Wan
한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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2007.08a
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pp.11-14
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2007
CMOS technology 기반의 고주파 직접회로에서는 충분한 이득과 안정성을 얻기 위하여 inductor, capacitor와 같은 수동 소자를 적절히 사용하여 설계하여야 한다. 이와 같은 수동 소자는 CMOS 집적회로에서 넓은 면적을 차지하는 단점이 있다. 고주파 증폭기의 부하를 능동 소자로 대체하게 되면 작은 크기로 회로의 제작이 가능하게 되나, 능동 소자는 수동 소자에 비하여 선형 특성이 좋지 않기 때문에 실제로 고주파 증폭기 설계에 사용하지 않는다. 본 논문에서는 이와 같은 능동 소자의 비선형성을 억제하면서, 동시에 회로의 크기를 줄일 수 있는 기능성 능동 부하를 적용한 고주파 증폭기를 설계하였다. 기능성 능동 부하는 2개의 MOSFET은 대칭으로 연결된 구조를 가지며, 하나의 MOSFET은 일반적인 load로 동작하며, 다른 MOSFET은 gate에 가변 전압을 인가함으로써, 증폭기의 전달함수를 변화시킬 수 있다. 이와 같은 특성을 이용하여 고주파 증폭기의 선형성을 보상할 수가 있다.
Kim, Seul-Gi;Kim, In-Dong;Nho, Eui-Cheol;Moon, Won-Kyu;Kim, Won-Ho
Proceedings of the KIPE Conference
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2011.07a
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pp.232-233
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2011
수중에서는 대기와는 달리 매질의 차이로 인하여 통신의 제약이 따르므로 초음파를 이용하여 정보를 송 수신한다. 수중통신을 하기 위해서는 초음파를 발생시키는 트랜스듀서와 신호를 증폭시키는 전력증폭기가 필요하다. 전력증폭기는 선형적인 출력이 보장되어야 하며, 수중에서의 연료문제로 인하여 높은 효율로 동작하여야한다. 하지만 출력의 선형성과 시스템의 효율은 Trade off의 관계이기 때문에 두 가지 모두를 만족시키는 연구가 요구된다. 그러므로 본 논문에서는 Class B push-pull 증폭기를 사용하여 선형 출력 특성을 보장하며, 신호의 크기에 따라 증폭기의 인가전압을 가변하는 ET(Envelope Tracking) 기술을 적용하여 향상된 효율 특성을 갖는 넓은 대역폭의 전력증폭기를 설계하고 실험을 통해 특성을 확인하였다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.9
no.7
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pp.1529-1533
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2005
In this paper designed available pre-amplifier to Intrabroadband power amplifier. Designed pre-amplifier used WJ company's AMI which frequency characteristic and noise characteristic are superior. Designed to have superior VSWR characteristic and frequency characteristic covering broadband of 100MHz ${\~}$ 3GHz using feedback. Designed ye-amp broadband special qualify such as EMC measurement equipment roll important position do to utilize to power amplifier of equipment that how consider.
Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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v.2
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pp.65-67
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2006
광통신이 발달하면서 보다 빠른 정보전송을 할 수 있지만 다른 전송매체와 마찬가지로 장거리 전송 시 손실이 발생하고 이러한 문제의 해결책으로 광 증폭기의 필요성이 대두 되었다. 기존의 광신호 증폭기에서는 광 신호를 전기신호 변환한 후 증폭하고 다시 증폭된 전기신호를 광신호로 변환하는 과정과 복잡한 구조는 전송시스템의 병목 문제를 유발하였다. 이러한 문제점을 해결할 수 있는 순수 광신호 증폭시스템인 어븀첨가광섬유증폭기 (EDFA)를 제작하고 EDFA의 이득평탄화를 위하여 이득평탄화 필터로 MLPFG를 제작하여 적용하였다. 제작된 EDFA는 20dB 이상의 신호 증폭을 보였다.
본 논문에서는 통신해양기상위성의 지상국에 구축된 고 출력증폭기에 대한 특성 모델링 및 이에 따른 입력신호에 따른 출력 신호의 상호 간섭에 대한 결과가 정리되어 있다. 고 출력증폭기는 지상국에서 위성으로 신호를 전송할 때 필요한 장비로써 비선형 특성으로 인해 입력된 신호에 대한 다양한 하모닉 성분이 발생된다. 특히 통신해양 기상위성의 지상국의 경우에는 하나의 고 출력증폭기에 대해 두개의 서로 다른 주파수의 신호를 입력해야 하는 것을 고려해야 하기 때문에 이에 대한 영향은 사전에 반드시 분석되어야 한다. 본 논문에서는 고출력증폭기의 P1dB 특성곡선에 의해 특성 모델링을 수행한 결과 및 이러한 모델을 검증하기 위해 이미 정의된 두 신호에 대한 간섭의 양을 확인하였다. 특히 고 출력 증폭기의 전단에 속하는 상향 주파수 변환기의 특성을 고려한 신호를 사용하여 실제의 통신해양기상위성으로 데이터를 전송할 때의 결과를 얻는데 중점을 두었다. 그 결과 상호간의 간섭에 의해 발생되는 신호는 실제 보내고자 하는 신호의 대역과 매우 가깝게 있으며 그 크기는 보내고자 하는 신호의 특성에 따라 달라지는 것을 확인 할 수 있었다.
GaN(Gallium Nitride)는 3.4eV의 넓은 에너지 갭으로 인하여 고전압에서 동작이 가능하고, 분극전하를 이용한 캐리어 농도가 높아 높은 전류밀도와 전력밀도를 얻을 수 있으며, 높은 전자 이동도와 포화 속도로부터 고속 동작이 가능하여 고주파 고출력 고효율 소형의 전력증폭기 소자의 재료로 적합하다. 본고에서는 민수 및 군수 겸용 Ku-대역 및 Ka-대역 GaN 고출력 전력증폭기(SSPA: Solid-State Power Amplifier)와 관련된 GaN 전력증폭 소자, GaN 전력증폭기 MMIC(Microwave Monolithic Integrated Circuit), 내부정합 패키지형 GaN 전력증폭기 및 GaN SSPA에 대하여, 국내외 특허 기술동향과 연구개발 기술동향을 중심으로 고찰하고자 한다. 국외의 GaN 고주파 고출력 전력증폭기 기술의 연구동향이나 특허동향을 심층분석하여 연구개발에 활용하고자 한다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.42
no.2
s.332
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pp.87-92
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2005
In this paper, adaptive bias circuit and PBG structure have been employed to suppress IMD and improve PAE (Power Added Efficiency) of the power amplifier. It is controlling the gate 'dc' bias voltage with the envelope of the input RF signal. and The PBG structure has been employed on the output port of power amplifier . The proposed power amplifier using adaptive bias circuit and PBG has been improved the IMG by 3 dBc, and the average PAE by $35.54\%$, respectively.
초고주파/밀리미터파 대역에서 전력증폭기의 효율을 향상시키기 위해 MEMS 튜닝회로를 설계하였다. MEMS 튜닝회로의 효과를 확인하기 위해 2차 및 3차 고조파를 억제할 수 있도록 3-stub Class-E 증폭기를 설계하였으며 또한 설계된 증폭기에 대해 시뮬레이션을 실시하였다. 시뮬레이션의 결과로서 8GHz에서 14dBm입력에 대해 MEMS가 적용된 증폭기의 성능은 PAE=66 9%, drain efficiency=75.89%, 그리고 출력 P=23.37 dBm을 얻었다. 또한 FET의 기생리액턴스의 변화에 대해서 MEMS 튜닝회로의 효율증대효과를 확인하였다. 결론적으로 이 연구에서 제안된 새로운 방법을 통해 증폭기의 효율향상을 위한 효과적인 방법이 될 수 있음 보여 주었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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