TDEAT precursor를 이용하여 DC-Pulse Plasma MOCVD 방법과 Thermal MOCVD 방법으로 각각 TiN 박막을 증착하였다. 본 논문에서는 DC-Pulse Plasma MOCVD 방 법으로 증착된 TiN 박막과 Therrnal MOCVD 방법으로 증착된 TiN 박막의 전기적 특성에 관하여 비교 분석하였다. 동일한 조건 하에서 각각의 방법으로 증착된 박막은 4-point probe를 이용하여 면저항을 측정하였고, XRD를 이용하여 박막의 성장방향을 관찰하였으며, FE-SEM을 이용하여 박막의 두께와 단면 사진, 표면형상을 관찰하였으며, AES depth profile을 통해 두께에 따른 Ti, N, 잔류 C와 0의 함량을 분석하였으며, XPS를 통해 C의 결합형태를 파악하고자 하였다. 분석결과 DC-Pulse Plasma MOCVD 방법으로 증착된 TiN 박막이 Thermal MOCVD 방법으로 증착된 TiN 박막에 비해 전기적 특성은 매우 우수하였으며, 치밀한 구조의 박막을 가지는 것으로 나타났다. 또한, 잔류 C, O의 함량이 낮은 것으로 나타났다.
결정화된 아나타이즈와 루타일 구조의 $TiO_2$ 박막을 유도결합플라즈마 화학기상증착법 (ICP-CVD)을 이용하여 증착하였다. 기판 온도는 플라즈마에 의한 가열에 의하여 최대 450K까지 증가하였다. 일반적인 플라즈마 화학기상증착법 (PE-CVD)으로 결정화된 $TiO_2$ 박막을 얻기 위해서는 최소 573K까지 가열해야 하기 때문에, 현 실험에서의 $TiO_2$ 박막은 플라즈마 가열에 의한 것이 아니라 높은 플라즈마 밀도에 의하여 증착된 것이다. 증착속도는 외부가열이 없는 상태에서 $5{\sim}50nm$/min이 얻어졌다. ICP 파워 (RF power)는 결정화도, 루타일상의 증착, 증착속도 그리고 광전류 특성에 영향을 끼쳤다.
휴대용 기기의 사용이 증가하면서 배터리의 고용량화와 소형화가 요구되고 있다. 특히 내시경 캡슐과 같은 의료용 센서 기기에서는 소형화가 매우 중요하며 인체에 해로운 액체전해질이 들어가지 않는 것이 바람직하다. 최근 무선센서, RFID 태그, 스마트 카드 등을 위하여 고체전해질을 사용하는 박막 마이크로 배터리가 개발되고 있으나, 에너지 저장용량이 작아 응용분야가 제한적이다. Si wafer 위에 형성된 고단차의 3차원 구조 위에 박막 배터리를 형성한다면 표면적 증가에 의해 에너지 저장용량 역시 크게 증가할 것이며, Si 기반의 반도체, 디스플레이, 태양전지 등과 쉽게 집적이 가능할 것이다. 본 연구에서는 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition)으로 리튬 배터리의 cathode 물질인 $LiCoO_2$를 박막으로 제조하고 그 특성을 연구하였다. 펄스 레이저 증착법은 저온 증착이 가능하고 타겟 물질과 같은 조성의 박막을 증착하는 것이 용이한 장점이 있다. Pt, TiN 등의 기판 위에 $LiCoO_2$ 박막을 증착하고 증착 온도와 산소($O_2$) 분압이 박막의 조성, 미세구조, 결정성, 그리고 전하저장용량에 미치는 영향을 고찰하였다.
박막제조 기술은 과학 기술의 기초가 되는 분야로 양질의 박막을 제조하기 위한 다양한 노력이 경주되고 있다. 박막제조는 표면개질과 함께 표면처리 기술의 한 분야이며 이중 진공증착으로 알려진 물리증착법과 화학증착법은 현대의 과학기술 연구는 물론 산업적으로 폭넓게 이용되는 박막제조 기술 중의 하나이다. 진공증착을 이용한 박막제조 기술은 나노 기술의 등장과 함께 비약적인 발전을 이루었으며 자연모사와 완전화 박막의 제조, 융복합 공정을 이용한 기능성 코팅과 Engineered Structure 구현 그리고 초고속 증착과 원가 저감 기술의 실현이 주요 이슈로 등장하고 있다. 본 논문에서는 물리증착법과 화학증착법을 중심으로 박막제조 기술의 종류와 원리를 설명하고 박막제조 기술의 최신 동향과 기술적 이슈 및 향후 전망에 대해 기술한다.
본 연구에서는 fiexible 기판에 e-beam으로 sio2를 증착 한 후 R.F 스퍼터링으로 ito 박막을 증착한 경우와 polyimide를 스핀 코팅한 후 ito를 증착한 경우로 나누어서 실험 하였다. SIO2 박막은 ITO증착을 위해 증착온도 $100^{\circ}C$에서 증착 하였으며 ITO 박막은 투과율을 향상 시키기 위해서 Ar/O2 혼합가스를 이용하였다. SIO2 와 ITO 박막의 두께는 각각 500nm, 200nm로 증착하였다. Stress 분포는 bending test를 통해 발생하는 island의 crackt 수로 측정 하였다. 그 결과 crack 분포는 buffer layer의 young's modulus 크기와 island density 영향이 지배적임을 확인 하였다.
OLED 소자 제작 과정에서는 증착 과정이 필요하다. 따라서 증착 과정에서의 변화도가 소자의 성능 및 수명에 큰 영향을 미친다. 이와 관련하여 소자 증착시 조건을 다르게 하여 OLED의 특성이 변함을 관찰하였다. OLED는 전자수송층, 정공수송층, 발광층과 이들을 중심으로 이들의 역할을 도와주는 보조층들로 이루어져 있다. 각각의 유기층들이 증착조건의 변화에 따라 어떤 변화가 있는지 캐패시턴스 측정을 통해 분석해 보았다. OLED에 전압을 걸고 측정한 캐피시턴스에 따라 구동 전압, 해당 전압에서의 변화 등을 분석하였다.
LPCVD를 이용하여 증착한 SiN과 ECR plasma CVD를 이용하여 증착한 SiC의 물 성과 적용가능성을 시험하였다. LPCVD로 증착된 SiN은 열처리 없이 저 응력의 박막형성이 가능했으며 가시광투과도 표면 평활도 역시 우수하였다. 탄성계수 값이 크지 않아 자성센서 의 지지구조로 사용할 경우 자기공명에 의한 진동을 크게 구속하지 않아 유리할것으로 기대 된다. 반면 ECR plasma CVD로 증착된 SiC는 SiN보다는 못하지만 다른 방법에 의해 증착 된 SiC에 비해서는 가시광 투과도 및 표면 평활도가 후수하므로 X-선 조사에 대한 안정성 과 더불어 X-선 마스크용 membrane으로서 사용이 적절할 것으로생각된다.
최근 진공증착을 이용한 후막제조 기술의 수요증가와 더불어 코팅 생산성 향상과 자원절감을 위해 진공증착용 고속 증발원에 대한 요구가 점증하고 있다. 본 논문에서는 진공증착 특히, 물리증착에서 사용하는 각종 증발원에 대해 기술하고 최신 고속 증발원에 대한 기술 동향을 설명한다.
반도체 소자공정에서 균일한 두께의 금속박막을 증착하는 것은 매우 중요하다. sputtering 방법의 경우, 증착조건을 조절하기 쉽고, 특히 대형 기판을 사용하여 제조할 경우 박막의 두께 등 박막 특성의 균일화를 기하는데 용이한 장점을 가지고 있다. 하지만, 기존의 기판고정식 sputtering 장비로 증착한 Al 박막은 증착 시에 가해지는 전력의 크기에 따라 그 특성의 변화를 생긴다. 이런 전력의 크기에 따른 Al 박막의 reflectance, sheet resistance 그리고 uniformity 등을 분석하여 Al 박막의 우수한 증착 조건을 알 수 있었다.
간섭필터 제작시 고굴절률 박막으로 많이 사용되는 TiO2 박막을 이온빔 보조증착 방법으로 제작하여 광학적, 기계적 특성을 연구하였다. 보조증착용 이온초으로는 End-Hall 형 이온총을 자체제작하여 사용하였다. 증착속도, 이온빔의 전류빌도, 산소 주입량 등을 주요 증착변수로 하여 TiO2 박막의 광학상수와, 기계적 성질에 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과 박막의 조밀도와 굴절률이 증가하여, 대기중에 노출시 파장이동이 없는 고품질의 간섭필터 제작에 사용할 수 있음을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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