플라즈마 내의 전자 에너지 분포는 방전 특성 및 전자 가열 메커니즘에 대한 정보를 줄 수 있을 뿐만 아니라, 소자 생산 공정에서 공정 조건 제어 및 소자 품질 향상에 중요한 역할을 하는 변수이다. 그에 따라서, 반도체공정에서 널리 쓰이는 유도 결합 플라즈마 또는 용량성 결합 플라즈마 장치의 외부 변수에 따른 전자 에너지 분포 변화에 대한 연구가 많이 진행되어왔다. 본 연구에서는, 극판 전극이 인가된 유도 결합 플라즈마 구조에서 낮은 압력의 아르곤과 산소 기체 방전에 대하여 전자 에너지 분포를 측정하였다. 극판 전압만이 인가되었을 경우에는 두 개의 온도를 갖는 전자 에너지 분포를 측정하였으나, 소량의 안테나 전력을 인가할 경우 하나의 온도를 갖는 전자 에너지 분포를 측정할 수 있었다. 이러한 분포함수의 급격한 변화는 유도 결합 전기장과 용량성 결합 전기장의 혼재에 따른 전자 가열 효과이며, 극판에서의 전압, 전류 그리고 위상 측정을 통하여 전자 가열 메커니즘을 확인하였다.
고주파 유도 가열 시스템에서 철과 같은 물체를 가열하게 되면, 가열된 금속이 큐리점 부근에서 전기적인 임피던스가 급격하게 변화하는 특징을 가지는 시변 시스템이 된다. 또한 부하 임피던스가 변화함에 따라 시스템의 부하 공진 주파수가 달라지므로 해서 시스템의 효율이 감소하는 문제점이 있었다. 그리고, 피가열 물체의 용융이나 삽입 상태에 따른 시스템의 단락 현상으로 인해 시스템이 파괴되는 문제점이 있었다. 본 논문에서는 이런 문제점을 해결하기 위한 방법으로 PLL에 의한 부하 공진 주파수를 추종하면서 스위칭 손실을 줄이고, 시변 부하에 대한 유도 가열시 큐리점 부근의 급격한 부하 임피던스 변화에도 안정된 정전력 제어가 가능할 뿐 아니라 대전력용에 적합하고, 단락현상으로부터 시스템을 보호하는 병렬 공진형 인버터 시스템에 적용되는 퍼지논리 제어기를 설계하였다.
대면적 비정질 실리콘 박막의 결정화는 평판 디스플레이 생산에 있어서 핵심 요소로 꼽힌다. 현재 다양한 결정화 기술들이 연구 되고 있으며 그 중 최근에 소개된 줄 가열 유도 결정화는 수십 마이크로초의 짧은 공정 시간, 대면적 결정화 그리고 국부적인 가열로 기판의 열변형 억제 등의 잇점으로 인해 AMOLED 제작에 있어서 기대되는 기술이다. 본 연구에서는 JIC 공정 중 상변화과정에서의 온도를 이론적으로 해석하고 이를 실험과 비교하였다. 이를 통하여 결정화 메커니즘을 결정하는 임계온도를 in-situ 실험과 수치해석을 통해 밝혀내었다.
The anisotropic phonon conductions with varying Joule heating rate of the silicon film in Silicon-on-Insulator devices are examined using the electron-phonon interaction model. It is found that the phonon heat transfer rate at each boundary of Si-layer has a strong dependence on the heating power rate. And the phonon flow decreases when the temperature gradient has a sharp change within extremely short length scales such as phonon mean free path. Thus the heat generated in the hot spot region is removed primarily by heat conduction through Si-layer at the higher Joule heating level and the phonon nonlocality is mainly attributed to lower group velocity phonons as remarkably dissimilar to the case of electrons in laser heated plasmas. To validate these observations the modified phonon nonlocal model considering complete phonon dispersion relations is introduced as a correct form of the conventional theory. We also reveal that the relation between the phonon heat deposition time from the hot spot region and the relaxation time in Si-layer can be used to estimate the intrinsic thermal resistance in the parallel heat flow direction as Joule heating level varies.
갈조류의 주성분인 alginate는 다양한 생리적 기능을 가지고 있으나, 고점성과 난용성으로 인하여 식품에의 광범위한 이용에 제한을 받고 있는 실정이다. Alginate가 가지고 있는 고유의 생리적 기능성을 유지 향상시키면서 점성을 줄이고 용해도를 높혀서 alginate의 이용성을 확대할 목적으로 가열에 의한 저분자화를 시도하였다. 즉, 평균분자량이 약 10,000 (HAG-10), 50,000 (HAG-50) 및 100,000 (HAG-100) 정도의 alginate를 제조하여 각 저분자 atginate의 물리${\cdot}$화학적 특성 변화를 검토하였다. 가열에 의한 점도와 평균분자량은 가열시간이 경과할수록 급격히 저하하였으며, 점도와 평균분자량사이에는 서로 밀접한 상관관계 ($r^2=0.955$)를 나타내었다. 가열에 의한 alginate의 block조성비 및 M/G 비율은 가열시간이 경과함에 따라 MM-block은 변화가 없었으나 GG-block은 급격히 저하하였다. 그리고, MG-block은 오히려 완만히 증가하였으며 M/G 비율은 급격히 증가하는 경향을 보였다. 분자량의 감소에 따른 alginate의 분자구조의 변화를 $FT-IR, ^1H-NMR$ 및 $^(13)C-NMR$로 측정한 결과, 가열에 의해 alginate가 저분자화되어도 분자구조의 특징적인 변화는 관찰할 수 없었다.
최근 이동 정보통신 분야의 발전에 따라 단말기 및 관련 부품들을 소형 경량화 하는 것이 매우 중요한 기술요소로 부각되고 있다. 이를 위해서는 기판의 배선밀도를 높이는 것과 개별 부품 또는 모듈의 크기와 무게를 줄이는 것이 절실히 필요하며, 이러한 요구에 부응하기 위해 기존의 다층 PCB 기술이나 MCM 기술에 비해 우수한 배선밀도와 양호한 전기적 특성을 갖는 저온 동시소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic) 기술이 개발, 적용되고 있다. 본 논문에서는 이러한 LTCC 기판의 소결에 있어 기존의 소결 공정인 전기로 소결 공정과 microwave를 이용한 소결 공정을 이용하여 소결 하였을 때, LTCC 기판의 수축율과 무게감소, 그에 따른 밀도변화, SEM 을 이용한 표면형상 분석을 통해 급속가열을 통한 공정시간의 단축, 낮은 에너지 소비로 인한 제조단가의 절감, 균일한 가열로 인한 소결온도의 저하 등의 장점을 갖는 microwave sintering 을 적용할 수 있는 가능성을 제시하였다.
다래순 묵나물을 찬물에 16시간 불리고, 30분 삶은 후 1시간 찬물에 불리는 재수화 과정을 거친 후 다래순의 라디칼 소거 활성과 알파글루코시데이스 억제활성은 유의하게 감소하였으며 재수화된 다래순을 $180^{\circ}C$에서 10분 또는 20분 동안 가열 조리한 경우 들기름 첨가와 관계없이 라디칼 소거활성은 증가하였으나 알파글루코시데이스 억제 활성은 들기름을 첨가하고 가열 조리한 경우에만 증가하였다. 다래순의 라디칼 소거 활성과 알파글루코시데이스 억제 활성 변화는 색소보다는 산화방지제, 플라보노이드 또는 토코페롤보다는 폴리페놀 화합물 함량 변화와 더 유사한 경향을 보였다. 따라서 본 결과는 다래순 묵나물의 재수화 또는 가열 조리 시 산화 방지, 항당뇨 등 건강기능성 개선을 위해 폴리페놀 화합물의 손실을 줄이는 것이 바람직함을 시사하였다.
본 연구는 염화칼슘6수화물($CaCl_2{\cdot}6H_2O$)을 온돌판넬에 적용하여 가열시간에 따른 잠열재판넬의 축열 및 방열특성을 조사하기 위하여 같은 크기의 실험동($1.8m^L{\times}1.8m^W{\times}1.8m^H$)을 지었다. 잠열재판넬에 적용할 알루미늄 용기는 $1.6cm^T{\times}9cm^W{\times}80cm^H$ 크기로 제작하여 염화칼슘6수화물(1.25kg)을 충진시켰다. 잠열재인 염화칼슘6수화물을 넣은 온돌판넬은 실내공기온의 변화폭을 줄이고, 잠열재의 상변화과정에서 방열되는 시간은 축열에 필요한 가열시간의 $2{\sim}4$배 정도였다.
기존의 무량판 구조와 동일한 이방향 슬래브구조인 TVS(two-way void slab)공법은 구조적 하중지지 성능이 불필요한 슬래브 단면상의 중앙부 콘크리트를 제거하여 슬래브의 자중을 줄이고 무량판 구조의 단점을 보완하여 장점을 극대화시킨 구조형식이다. 그러나 이러한 장점을 보유한 공법을 현장적용하기 위해서는 내화성능평가를 통해 화재안전성을 확보하여야 하므로, 이에 대한 화재 실증실험을 수행하여 현장적용을 위한 최소 요구내화 시간에 따른 내화성능 확보방안의 도출이 제시되어야 한다. 이에 본 연구에서는 TVS공법의 실제 스팬길이로 슬래브 피복두께에 따른 화재거동 영향성 분석을 위하여 화재실험을 수행하였다. 하중조건은 고정하중과 적재하중을 고려하여 실험체에 등분포 조건으로 사전재하하였으며, 표준화재조건으로 재하가열 실험을 수행하였다. 슬래브의 화재가열 노출면으로부터의 깊이별 온도변화와 처짐변형 특성을 측정하였으며, KS F 2257-1 평가기준에 의거하여 슬래브의 내화성능을 평가하였다. 실험결과 피복두께 50 mm를 확보할 경우, EPS중공체로 제작한 실험체의 경우 약 2시간정도의 내화성능을 확보할 수 있는 것으로 나타났다.
시금치의 데치기 조건에 다른 시금치 잎의 색변화를 조사하였다. 시금치 잎의 뒷면의 L값(명도)과 b값(황색도)는 앞면보다 높았으나, a값(적색도)은 낮았다. 시금치 잎의 색이 $60^{\circ}C$에서 뒷면은 상당한 변화를 보였고 $70^{\circ}C$이상에서는 앞뒷면 모두 상당한 변화를 보였다. 시금치 양에 대한 물의 비율을 4~7배로 하여 1~4분간 데치기 했을때 L값, a값과 b값 모두 감소하였으며, 특히 뒷면은 앞면보다 L값이 2~3배, b값은 3~4배 감소하였고 색차도 2배이상 높은 값을 보였다. 물의 비율에 관계없이 L값은 데치기 1분이후부터 앞뒷면에 차이를 보이지 않았다. 시금치와 물을 1 : 5로 하였을때 데치기중 액의 432nm와 662nm에서 흡광도는 가열 2분 후부터 크게 증가되었고, 데치기 15초에서의 잎의 색은 데치기 1분에서의 값과 비슷하였고, 액의 흡광도는 1분까지는 뚜렷한 차이가 없었다. 소금(0.5%와 0.9%)은 데치기중 대조구에 비하여 L값, a값과 b값에 큰 영향을 보이지 않았으나 액의 432nm에서의 흡광도를 약간 감소시켰다. microwave oven에 의한 데치기(2~3.5분)에 따른 시금치 잎의 색변화는 앞면은 가열처리구와 비슷하였으나 뒷면의 L값과 b값의 감소비율은 낮았다. 이상의 결과를 요약하면 시금치의 데치기에는 물의 비율이 4배 또는 5배가 적당하며, 소금은 액의 432nm에서의 흡광도를 감소시키고, microwave oven은 끓는 물에 의한 데치기 보다 잎 뒷면의 색소 변화를 줄이는 효과가 있었다. 시금치의 색은 가열에 의하여 짧은 시간에 변하며 액의 흡광도는 2분이후에 크게 증가하므로 이를 기준으로 하면 데치기 시간은 2분이내가 좋으리라 생각된다. 그러나 적절한 데치기 시간은 궁극적으로 관능적으로 평가되어야 하므로 앞으로 이에 대한 연구가 요구된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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