• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.1599_1600
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• 2009

ZnS:Mn 나노입자가 포함된 PVP 고분자 하이브리드 나노사를 전기방사법으로 제작하였다. 하이브리드 나노사의 표면 특성은 주사 전자 현미경으로 관측하였으며, 형광분광광도계와 공초점 주사현미경 (CLSM)을 이용하여 하이브리드 나노사의 발광특성을 조사하였다. 순수한 PVP 나노사와 하이브리드 나노사의 photoluminescence (PL) 스펙트럼 비교를 통하여, 586 nm에서 관찰된 PL 피크는 ZnS:Mn 나노입자에서 기인되었음을 알 수 있었으며, CLSM을 이용하여 ZnS:Mn 나노입자의 발광을 이미지화 하였다.

• Transactions of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering
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• v.15 no.6 s.99
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• pp.667-673
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• 2005

This paper shows a method for design of the nano-positioning planar scanner used in the scanning probe microscope. The planar scanner is composed of flexure guides, piezoelectric actuators and feedback sensors. In the design of flexure guides, the Castigliano's theorem was used to find the stiffness of the guide. The motion amplifying mechanism was used in the piezoelectric actuator to achieve a large travel range. We found theoretically the travel range of the total system and verified using the commercial FEM(finite element method) program. The maximum travel range of the planar scanner is above than 140 $\mu$m. The 3 axis positioning capability was verified by the mode analysis using the FEM program.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.169-169
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• 2004

현미경을 이용한 자동화된 검사 공정에 있어서 무엇보다 중요한 과정은 초점조절이며, 피 측정물의 선명한 현미경 영상을 얻기 위한 빠르고 신뢰도가 높은 자동초점조절 방법들은 일련의 검사공정에 있어서 필수 불가결한 요소로 자리매김 하고 있다. 일반적으로 널리 사용되고 있는 수동형 자동초점조절 방법들은 측정물체 표면의 영상대비 정보를 이용하는 방법으로 구성이 비교적 간단하지만, 최대대비 위치를 찾기 위한 주사과정이 필요하므로 시간 소요가 크고, 시편에 대한 의존도가 높다는 단점이 있다.(중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.302-303
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• 2003

원자간력-현미경(Atomic Force Microscope)은 비파괴적인 방법으로 광소자의 단면 형상과 거칠기에 관한 정보를 원자단위의 해상도로 얻어낼 수 있다. 그러나 탐침의 형상에 의해서 공간분해능에 제한을 받는다. 이 문제를 해결하기 위해, 원자간력-현미경 탐침의 끝부분에 나노튜브를 부착하였다. 주사형 전자현미경에 설치한 나노조작기를 사용하여 나노튜브를 탐침에 밀착하도록 이동시킨 후에, 탄화물 증착으로 접착시키는 방법을 사용하였다.

• Journal of Energy Engineering
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• v.25 no.1
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• pp.192-197
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• 2016

We have surveyed on technical method of fault analysis of semiconductor device. Fault analysis of semiconductor should first be found the places of fault spots. For this process they are generally used the testers; EB(emission beam tester), EM(emission microscope), OBIRCH(optical beam induced resistance change method) and LVP(laser voltage probing) etc. Therefore we have described about physical interpretation and technical method in using scanning electron microscope, transmission electron microscope, focused ion beam tester and Nano prober.

• Journal of the KSME
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• v.46 no.7 s.308
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• pp.53-56
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• 2006

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 1998.10a
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• pp.17-17
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• 1998

• Electrical & Electronic Materials
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• v.30 no.1
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• pp.22-29
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• 2017

• Ceramist
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• v.20 no.1
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• pp.32-38
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• 2017

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 1999.04a
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• pp.10-10
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• 1999