• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.14 no.1
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• pp.15-21
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• 2014

Due to the development of manufacturing technology scaling, more transistors can be placed on a cache memories of a processor. However, processors become more vulnerable to the soft errors because of highly integrated transistors, the reliability of cache memory must consider seriously at the design level. Various researches are proposed to overcome the vulnerability of soft error, but researches of tag bit are proposed very rarely. In this paper, we revaluate the reliability improvement technique for tag bit, and analyse the protection rate of write-back operation, which is a typical case of not satisfying temporal locality. We also propose the methodology to improve the protection rate of write-back operation. The experiments of the proposed scheme shows up to 76.8% protection rate without performance degradations.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2002.11a
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• pp.373-377
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• 2002

Unlike desktop systems, embedded systems usually meet a strict restriction on using memory. It is required to allocate several class files on memory to run a Java program. A Java class file contains such data including a constant pool, class overview, fields information, and methods information. Some of them are used merely for a debugging purpose, others for a program execution. This paper analyzes the internal structure, or format of the class files used for embedded Java systems. We also investigate how much memory will be necessary for each part of the class files when the files are allocated in memory. The experiment was performed on the simpleRTJ, an open-source commercial embedded Java system.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.47 no.2
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• pp.1-6
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• 2010

We proposed a highly integrated 3-dimensional NOR Flash memory array by using vertical 4-bit SONOS NOR flash memory. This structure has a vertical channel, so it is possible to have a long enough channel without extra cell area. Therefore, we can avoid second-bit effect, short channel effect, and redistribution of injected charges. And the proposed array structure is based on three-dimensional integration. Thus, we can obtain a NOR flash memory having $1.5F^2$/bit cell size.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.218.1-218.1
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• 2013

GeSbTe 삼원계 칼코겐화물 합금은 광디스크 및 상변화 메모리에서 활성물질로 사용되는 대표적인 재료이다. GeSbTe 합금은 결정질 상과 비정질 상의 두 종류의 상을 갖는데 그 상에 따라 반사율 및 전기저항이 서로 다르기 때문에 활성물질로서 작용한다. GeSbTe 합금 구성원소의 일부를 포함하는 두 종류의 물질로 접합을 형성하고 열처리 공정을 수행함으로써 GeSbTe 합금을 국부적으로 생성하는 방법이 최근에 보고되었다. 이러한 방법을 상변화 메모리 소자 제조에 이용하면 GeSbTe 합금을 제한된 영역에 나노 스케일로 만드는 것이 가능해져서 GeSbTe 합금의 상변화를 유도하는데 필요한 프로그래밍 전류를 낮추는 효과를 얻을 수 있다. 상변화 메모리 소자 내에서의 GeSbTe 합금의 두께 또는 크기는 상변화 메모리 소자의 동작 특성을 좌우하는 중요한 파라미터이며 이것은 열처리 공정 조건에 따라 결정되므로 열처리 공정 조건에 따라 GeSbTe 합금이 생성되는 양상이 어떻게 변화하는지를 밝힐 필요가 있다. 따라서 본 연구에서는 다양한 열처리 온도 조건에서 Ge-Sb-Te 삼성 분계에서의 구성 원소들의 상호확산 거동을 조사하였다. 순수한 Ge 박막과 조성이 다른 SbTe 박막의 접합을 형성하고 773K까지의 온도 범위에서 열처리를 실시하였다. Auger 수직 분석을 이용하여 Ge, Sb, 및 Te 원소의 깊이 방향의 확산 정도를 조사하였으며 그 결과로서 열처리 온도가 증가함에 따라 상호확산 정도가 심해지고 Te 원소가 상호확산에 있어서 중요한 역할을 한다는 사실을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.156-157
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• 2012

단일 셀에서 비휘발성 및 고속의 휘발성 메모리를 모두 구동할 수 있는 다기능 메모리는 모바일 기기 및 embedded 장치의 폭발적인 성장에 있어 그 중요성이 커지고 있다. 따라서 최근 이러한 fusion기술을 응용한 unified RAM (URAM)과 같은 다기능 메모리의 연구가 주목 받고 있다. 이러한 다목적 메모리는 주로 silicon on insulator (SOI)기반의 1T-DRAM과 SONOS기술 기반의 비휘발성 메모리의 조합으로 이루어진다. 하지만 이런 다기능 메모리는 주로 단결정기반의 SOI wafer 위에서 구현되기 때문에 값이 비싸고 사용범위도 제한되어 있다. 따라서 이러한 다기능메모리를 다결정 실리콘을 이용하여 제작한다면 기판에 자유롭게 메모리 적용이 가능하고 추후 3차원 적층형 소자의 구현도 가능하기 때문에 다결정실리콘 기반의 메모리 구현은 필수적이라고 할 수 있겠다. 본 연구에서는 다결정실리콘을 이용한 channel recessed구조의 다기능메모리를 제작하였으며 각 1T-DRAM 및 NVM동작에 따른 memory 특성을 살펴보았다. 실험에 사용된 기판은 상부 비정질실리콘 100 nm, 매몰산화층 200 nm의 SOI구조의 기판을 이용하였으며 고상결정화 방법을 이용하여 $600^{\circ}C$ 24시간 열처리를 통해 결정화 시켰다. N+ poly Si을 이용하여 source/drain을 제작하였으며 RIE시스템을 이용하여 recessed channel을 형성하였다. 상부 ONO게이트 절연막은 rf sputter를 이용하여 각각 5/10/5 nm 증착하였다. $950^{\circ}C$ N2/O2 분위기에서 30초간 급속열처리를 진행하여 source/drain을 활성화 하였다. 계면상태 개선을 위해 $450^{\circ}C$ 2% H2/N2 분위기에서 30분간 열처리를 진행하였다. 제작된 Poly Si MFM에서 2.3V, 350mV/dec의 문턱전압과 subthreshold swing을 확인할 수 있었다. Nonvolatile memory mode는 FN tunneling, high-speed 1T-DRAM mode에서는 impact ionization을 이용하여 쓰기/소거 작업을 실시하였다. NVM 모드의 경우 약 2V의 memory window를 확보할 수 있었으며 $85^{\circ}C$에서의 retention 측정시에도 10년 후 약 0.9V의 memory window를 확보할 수 있었다. 1T-DRAM 모드의 경우에는 약 $30{\mu}s$의 retention과 $5{\mu}A$의 sensing margin을 확보할 수 있었다. 차후 engineered tunnel barrier기술이나 엑시머레이저를 이용한 결정화 방법을 적용한다면 device의 특성향상을 기대할 수 있을 것이다. 본 논문에서는 다결정실리콘을 이용한 다기능메모리를 제작 및 메모리 특성을 평가하였다. 제작된 소자의 단일 셀 내에서 NVM동작과 1T-DRAM동작이 모두 가능한 것을 확인할 수 있었다. 다결정실리콘의 특성상 단결정 SOI기반의 다기능 메모리에 비해 낮은 특성을 보여주었으나 이는 결정화방법, high-k절연막 적용 및 engineered tunnel barrier를 적용함으로써 해결 가능하다고 생각된다. 또한 sputter를 이용하여 저온증착된 O/N/O layer에서의 P/E특성을 확인함으로써 glass위에서의 MFM구현의 가능성도 확인할 수 있었으며, 차후 system on panel (SOP)적용도 가능할 것이라고 생각된다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2001.04a
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• pp.160-162
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• 2001

본 연구에서는 제한된 자원과 메모리를 가지는 개인휴대단말에서 지리 정보 데이터를 저장하고 이를 분석 가공하여 제공하는 최소한의 기능을 가지는 GIS Engine를 정의하고 이를 구현하였다. 이를 위해 개인휴대단말의 구조와 특징을 파악하고 분석, 비교하였으며 상용화되고 있는 휴대단말을 위한 GIS tool의 문제점을 분석하여 개선된 최소규모의 GIS API를 설계하였다.

• Journal of Broadcast Engineering
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• v.16 no.2
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• pp.339-349
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• 2011

IBDI (Internal Bit Depth Increase) is able to significantly improve the coding efficiency of high definition video compression by increasing the bit depth (or precision) of internal arithmetic operation. However the scheme also increases required internal memory for storing decoded reference frames and this can be significant for higher definition of video contents. So, the reference frame memory compression method is proposed to reduce such internal memory requirement. The reference memory compression is performed on 4x4 block called the processing unit to compress the decoded image using the correlation of nearby pixel values. This method has successively reduced the reference frame memory while preserving the coding efficiency of IBDI. However, additional information of each processing unit has to be stored also in internal memory, the amount of additional information could be a limitation of the effectiveness of memory compression scheme. To relax this limitation of previous memory compression scheme, we propose a selective merging-based reference frame memory compression algorithm, dramatically reducing the amount of additional information. Simulation results show that the proposed algorithm provides much smaller overhead than that of the previous algorithm while keeping the coding efficiency of IBDI.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2013.05a
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• pp.653-655
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• 2013

This paper is the study of Multiple External Storage Configuration for the Android based Set-top Box system. Because of Mobile OS, Android has limitation in media streaming, recording and playing for Set-top box function with only support external storage device Micro-SD card. In this paper, we research for the Multiple External Storage configuration for external disk drive, USB Memory, SD card. in Android System with Multi-Volume Management system implementation.

• Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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• v.27 no.6
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• pp.592-598
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• 2000

The locality of data references at the distributed shared memory systems affects the performance significantly. Data allocation methods by considering the locality of data references can improve the performance of DSM systems. This paper evaluates the performance for the dynamic limited directory scheme which data allocation methods can apply very effectively. The information of the data allocation is used by the dynamic limited directory scheme to set the presence bit effectively. And the proper use of the presence bit improves the performance by reducing memory overhead and using directory pool efficiently. Simulations are conducted using three application programs which have various data sharing. The results show that the optimal data allocation method improves the performance up to 3.6 times in the proposed scheme.

• Journal of KIISE:Computing Practices and Letters
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• v.14 no.1
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• pp.91-95
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• 2008

Flash memory is widely used in embedded systems because of its benefits such as non-volatile, shock resistant, and low power consumption. But NAND flash memory suffers from out-place-update, limited erase cycles, and page based read/write operations. To solve these problems, log-structured filesystem was proposed such as YAFFS. However, YAFFS sequentially retrieves an array of all block information to allocate free block for a write operation. Also before the write operation, YAFPS read the array of block information to find invalid block for erase. These could reduce the performance of the filesystem. This paper suggests fast operation method for NAND flash filesystem that solves the above-mentioned problems. We implemented the proposed methods in YAFFS. And we measured the performance compared with the original technique.