• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07c
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• pp.1562-1565
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• 2002

속중성자 피폭 시 실리콘 다이오드 내부에서 발생되는 변위 손상을 이용한 속중성자 탐지용 PIN 다이오드를 개발하고 중성자장에서 특성변화 및 감도 실험을 통하여 성능을 검증하였다. 시뮬레이션과 다양한 구조로 제작된 소자에 대한 방사선 실험을 거쳐 집합체 형태와 개별 PIN 다이오드를 제작한 다음 중성자 반응 특성과 감도 분석을 위한 중성자 방사선 실험을 수행하였다. 여러 개의 PIN 다이오드 샘플에 대한 중성자 특성변화를 실시간으로 측정하기 위해 디지털 정전류 구동 방식의 온라인 전자적 선량계 모듈을 제작하여 사용한 실험의 결과. 본 연구에서 개발한 PIN 다이오드 소자는 중성자 방사선에 대하여 우수한 감도 특성을 갖는다는 것과 입사 중성자에 대한 방향 의존성이 거의 없다는 사실을 알 수 있었다. 그리고 이어 수행된 300여 시간의 열화실험을 통하여 본 연구에서 제작된 PIN 다이오드 소자는 중성자 탐지소자로서의 사용 가능성이 충분함을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2003.07c
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• pp.2831-2834
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• 2003

본 논문에서는 PWM 방식을 이용한 THERMO-CON 제어 회로를 제안하였다. 제안한 회로는 정전압을 형성하기 위한 레귤레이터, 신호를 처리하기 위한 op-amp, 삼각파를 만들기 위한 OSC, 그리고 부하의 상태를 감지하기 위한 AMC 와 ISC 로 구성된다. 테스트 결과 서지 전압인가 시 PWM 방식으로 동작하여 회로의 P/sub D/(Power Dissipation)을 줄여 소자의 파괴를 막고 중부하 시(여러 개의 릴레이 구동 시) PWM 동작을 하여 소자의 파괴를 막는다는 것을 확인하였으며, 출력 쇼트 시 쇼트보호회로에 의해 출력 트랜지스터의 파괴를 막는다는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.11a
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• pp.57-59
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• 2006

에너지저장소자로 커패시터를 이용하여 순간정전 또는 순간전압강하 방지의 목적으로 사용되는 동적전압보상장치(Dynamic Voltage Restorer)에 울트라커패시터를 적용/시험하였다. 이로부터 울트라커패시터의 적용가능성을 에너지저장소자들 간의 출력특성 관점에서 비교하였다.

• 전기의세계
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• v.25 no.4
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• pp.17-23
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• 1976

세계제2차대전이후, 급속도로 발전해온 전기 및 전자공학으로 말미암아 현재의 시대를 electronic시대라고 불러도 과언이 아니다. 이러한 전자공학의 발전으로 수많은 전자장치소자가 새로이 개발되었다. 그중에서 전기 및 전자회로에서 없어서는 안될 싸이리스터라는 반도체소자가 있다. 싸이리스터의 특성을 응용하여 정지스위치로서 과전압보호회로, 지연회로, 온도조절기, 전자충전용, 조정기, 변압기탭전환, 용접기의 제어회로등에 이용되며 위상제어용으로 조광회로, 전기로의 온도제어, 전동기의 속도제어, 직류전동기의 주전류제어회로에 이용되고 전류기로서 정전압전원, 정정류전원으로 이용하며 쵸퍼, 인버어터로서 직류를 단속시키며 다시 교류로 변환하여 전압을 변화시킬 수 있다. 이밖에 정류자나 부러쉬가 없는 모터를 제조할 수 있다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.206-207
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• 2003

광집적회로의 등장으로 그 설계에 있어서 다양한 구조의 광배선은 필수적 요소가 되었다. 일반적으로 전기적 배선 및 소자간에 전자기파의 간섭으로 인해 신호의 왜곡이 야기될 뿐 아니라 기생정전효과 등에 의해 소자 시간지연이 유발되듯이, 광 집적회로에서도 광배선간 감쇄필드의 겹침으로 인해 원하지 않는 광결합이 발생하게 된다. 이러한 광집적회로내에서의 이러한 불필요한 광결합을 줄이기 위해서 곡선형 구조의 광배선들이 이용되며 대부분의 경우 이러한 곡선형 도파로 부분의 광결합은 무시된다. (중략)

• Journal of Satellite, Information and Communications
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• v.11 no.4
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• pp.21-26
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• 2016

The ESD(electrostatic discharge) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlled rectifier(NSCR_PPS) device with different implant of channel blocking region was discussed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR standard device shows low on-resistance, low snapback holding voltage and low thermal breakdown voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However, our proposed NSCR_PPS devices with modified channel blocking structure demonstrate the improved ESD protection performance as a function of channel implant variation. Therefore, the channel blocking implant was a important parameter. Since the modified device with CPS_PDr+HNF structure satisfied the design window, we confirmed the applicable possibility as a ESD protection device for high voltage operating microchips.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.320-321
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• 2000

전기장 발광현상(Electroluminescence, 이하 EL)은 1936년 Destriau$^{[1]}$ 가 ZnS:Cu 분말에서 처음 전기장 발광현상을 발견한 이래 TFEL(Thin Film EL)소자의 구동전압을 감소시키는 문제는 ACTFEL(Alternating Current Thin Film EL)소자의 개발이후 계속적인 관심의 대상이 되어왔다. TFEL 소자는 전기적으로 용량소자이므로 전기장 인가시 각 층의 정전용량의 역수에 비례하는 전압이 분배되므로 동일한 조건의 형광막 사용시 소자의 구동전압을 낮추기 위해서는 절연박막의 두께를 줄이는 방법과 유전율이 높은 물질을 사용하는 방법이 있으나, 전자의 경우에는 박막의 결함이 생기기 쉬워 한계가 있기 때문에 고유전율 특성을 갖는 새로운 물질을 개발하는 것이 바람직하다. Ta$_2$O$_{5}$ 박막의 경우 작은 누설전류 특성과 고유전율 특성으로 인해 고집적을 요하는 반도체 분야에서 많은 연구가 진행되어 왔다. 또한 EL소자 응용시 효율면에서 우수한 특성이 기대되며, 특히 수분에 강한 특성을 가지고 있어 EL소자의 안정성이 예견되는 바이다. 본 연구에서는 Ta$_2$O$_{5}$ 박막의 산소 결핍에 따른 전기적 특성에 대해 연구하였고 Ta$_2$O$_{5}$ 박막을 이용한 저전압에서 구동가능한 전기장 발광소자를 제작하여 전기광학적 특성에 대해 연구하였다. (중략

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.218-220
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• 2007

유기박막트랜지스터(organic thin film transistor, OTFT)의 게이트 절연막으로 PVP(poly-4-vinylphenol) 물질을 이용하여 MIM (metal-insulator-metal) 구조의 캐패시터 소자를 제작하였다. 유기 절연층의 형성은 ITO/Glass 기판 위에 PVP를 용질로, PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate)를 용매로 사용하였다. 또한 열경화성 수지인 poly(melamine-co-formaldehyde)를 사용하여 cross-linked PVP 절연막을 합성하여 스핀코팅법으로 소자를 형성하였다. 제작된 소자에 대해 절연막 두께에 따른 전기적 특성을 조사한 결과 300 nm 에서 500 nm로 두께가 증가할수록 누설전류는 10.69 nA 에서 0.1 nA 로 크게 감소하였다. 또한 캐패시터 소자의 정전용량은 300 nm 의 두께에서 1.05 nF 으로 500 nm 의 두께에서의 0.65 nF 과 비교하여 보다 양호한 특성이 나타났다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.73.2-73.2
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• 2010

휴대용 전자기기들의 소비전력 증가에 따라 2차전지에 비해 에너지 밀도가 높은 연료전지를 이용한 충전기의 필요성이 부각되고 있다. 대다수의 충전기는 On-Grid 방식으로 벅타입 컨버터를 이용한 감압 방식이었으나, 연료전지를 이용할 경우 승압식 컨버터를 통한 배터리의 충전이 요구된다. 또한 배터리는 일반 저항부하와 달리 큰 커패시턴스 성분을 가지고 있기 때문에 컨버터의 출력단에 인덕터가 없는 경우 큰 출력 리플전류를 유도하게 되어 시스템의 효율과 배터리의 수명에 좋지 않은 영향을 끼치게 된다. 또한 이를 해결하기 위해 절연형 감압 컨버터를 사용하는 경우 변압기 사용에 의한 부피 증가와 부가 소자의 사용에 따른 가격 상승을 피하기 어렵다. Cuk 컨버터는 주스위치의 ON/OFF 동작에 관계없이 출력으로 에너지가 항상 전달되며, 이상적으로 리플이 거의 존재하지 않아 충전용으로 적합하다. 또한, 승압 및 감압이 자유롭기 때문에 배터리의 정격전압에 상관없는 범용 충전기의 설계도 가능하다. 따라서 본 논문에서는 Cuk 컨버터를 이용하여 배터리 충전기를 설계하고, 그의 상태공간 모델링, 주파수 특성 해석 및 제어기 설계에 대해 기술한다. 제안된 제어 방식은 소형 연료전지 스택을 이용하여 실제 배터리를 대상으로 한 정전류 및 정전압 제어를 실행하여 그 성능 및 안정성을 검증한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.7 no.4
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• pp.719-724
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• 2003

In this paper, we have presented the simulation results about threshold voltage of nano scale lightly doped drain (LDD) MOSFET with halo doping profile. Device size is scaled down from 100nm to 40nm using generalized scaling. We have investigated the threshold voltage for constant field scaling and constant voltage scaling using the Van Dort Quantum Correction Model (QM) and direct tunneling current for each gate oxide thickness. We know that threshold voltage is decreasing in the constant field scaling and increasing in the constant voltage scaling when gate length is reducing, and direct tunneling current is increasing when gate oxide thickness is reducing. To minimize the roll off characteristics for threshold voltage of MOSFET with decreasing channel length, we know $\alpha$ value must be nearly 1 in the generalized scaling.