• Journal of Welding and Joining
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• v.28 no.2
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• pp.13-21
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• 2010

• Journal of Welding and Joining
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• v.20 no.5
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• pp.19-28
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• 2002

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.3 no.3
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• pp.45-53
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• 1994

A new type of Si diaphragm was fabricated using Si-wafer direct bonding and two-step electrochemical etch-stopping methods. Using the new diaphragm structure in mechanical sensors, more precise control of cavity depth and diaphragm thickness was achievable. Also, the propagation of the stress, which was generated near the bonding interface, to the surface can be avoided. Finally, a piezoresistive-type Si pressure sensor was fabricated utilizing the diaphragm and a digital pressure gauge, which can display units of pressure, was realized.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.16 no.1
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• pp.27-31
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• 2009

In this paper, the polymer adhesive bonding technology using wafer-level technology was investigated and warpage results were analyzed. Si and glass wafer was bonded after adhesive polymer layer and dam pattern for uniform state was patterned on glass wafer. In this study, warpage result decreased as the low of bonding temperature of Si wafer, bonding pressure and height of adhesive bonding layer. The availability of adhesive polymer bonding was confirmed by TC, HTC, Humidity soak test after dicing. The result is that defect has not found without reference to warpage.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.3 no.1
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• pp.5-11
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• 1994

This paper describes the characteristics of a piezoresistive pressure sensor fabricated on a SOI (Si-on-insulator) structure, in which the SOI structures of Si/$SiO_{2}$/Si and Si/$Al_{2}O_{3}$/Si were formed by SDB (Si-wafer direct bonding) technology and hetero-epitaxial growth, respectively. The SOI pressure sensors using the insulator of a SOI structure as the dielectrical isolation layer of piezoresistors, were operated at higher temperatures up to $300^{\circ}C$. In the case of pressure sensors using the insulator of a SOI structure as an etch-stop layer during the formation of thin Si diaphragms, the pressure sensitivity variation of the SOI pressure sensors was controlled to within a standard deviation of ${\pm}2.3%$ over 200 devices. Moreover, the pressure sensors fabricated on the double SOI ($Si/Al_{2}O_{3}/Si/SiO_{2}/Si$) structures formed by combining SDB technology with epitaxial growth also showed very excellent characteristics with high-temperature operation and high-resolution.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.11a
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• pp.57-59
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• 2002

기존에 연구된 미세 가열기를 이용한 마이크로 시스템 패키징의 문제점을 해결하기 위해 새로운 미세 가열기를 제작하여 접합 실험을 실시하였다. 기존 형상의 미세 가열기와 새로운 미세 가열기의 형상을 각각 제작하여 접합시 미세 가열기에 발생하는 열분포를 IR 카메라를 이용하여 실험하였으며, 기존 형상의 미세 가열기가 불균일하게 가열되는 반면, 새로운 형상의 미세 가열기는 매우 균일하게 가열되는 형상을 나타내었다. 카메라 실험 결과를 바탕으로 접합 실험을 실시하기 위해서 폭 $50{\mu}m$, 두께 $2{\mu}m$의 미세 가열기를 제작하였으며, 0.2 Mpa의 압력을 Pyrex glass cap에 가한 상태에서 150 mA의 전류를 공급함으로서 접합을 완료하였다. 접합이 완료된 시편들에 대해서 IPA를 통한 leak 실험을 실시하였으며, 기존 형상의 미세 가열기를 이용한 시편들은 66%가 테스트를 통과한 반면 새로운 형상의 미세 가열기를 이용한 시편들은 85%이상이 테스트를 통과하였다. Leak 실험을 통과한 각각의 시편들에 대해서 접합력 측정을 실시한 결과, 기존 형상의 미세 가열기를 이용한 시편들은 $15{\sim}21$ Mpa의 접합력을 나타내었고, 새로울 형상의 미세 가열기를 이용한 시편들은 $25{\mu}30$ Mpa의 우수한 접합력을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2008.05a
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• pp.717-722
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• 2008

FED는 잠재적인 평판기술에 따라 현재 탐구를 하였다. 이 프로젝트의 제안은 FED 핵심적인 개발을 위한 진공 패키징 기술 등에 관한 연구 결과를 기술을 보여준다. FED 진공패키징을 위해서는 유리/유리 접합, 진공배기, 게터기술, 그리고 시뮬레이션, 진공중패키징 기술 등을 연구하였다. 유리/유리 접합은 frit glass를 사용하므로 형태에 따르고, 내부압력은 $2{\times}10^{-5}Tott$이며 패널로서 완성을 보여준다. 게터의 결과에 따라 그것은 압력의 증가는 박막 게터에 의해 outgassing이 줄어드는 것을 보여 주었다.

• Journal of Welding and Joining
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• v.20 no.2
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• pp.32-41
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• 2002

• Journal of Welding and Joining
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• v.28 no.2
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• pp.5-12
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• 2010

• Journal of Welding and Joining
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• v.28 no.2
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• pp.22-26
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• 2010