연속추출시 그 상의 분리가 용이한 spray column 에서 역미셀을 이용한 추출에 영향을 미치는 pH, 접촉횟수, 유속, 수용상과 유기상의 비 등 추출에 영향을 미치는 여러 인자들을 조사해 보았다. 그 결과 lipase는 등전점보다 낮은 3.6-4.5 사이에서 추출이 잘되었으며 역추출시에는 그와 반대로 등전점보다 높은 pH인 8.0-9.0에서 잘 추출되었다. 수용상과 유기상 사이의 접촉횟수가 증가함에 따라 추출량이 증가되었으며 추출시 계면활성제의 손실 때문에 유기상의 계속적인 공급이 필요하다. 유속의 효과는 접촉면적과 유기상 사이의 물의 함량의 반대효과로 0 0.068ml/sec과 0.101ml/sec사이에서 최적의 값을 갖는다. 수용상과 유기상간의 비에 따른 추출량은 예측했던데로 수용상의 양이 많을수록 그 추출량이 급격히 증가하는 경 향을 보였다. 각각에서 활성도는 추출전에 비해 70%의 회수율을 보였다.
도플러 효과를 이용해 피부의 혈류 속도 분포를 측정하였다. 고속 CMOS 이미지 센서를 사용하여 $256{\times}256$ 픽셀의 크기를 갖는 혈류 속도 영상을 측정하였다. 많은 의학 치료 분야에서 혈류 흐름에 대한 영상, 특히 모세혈관에서의 혈류 흐름에 대한 영상을 필요로 한다. 레이저 도플러 기술은 물체의 속도를 물체에 접촉하지 않고 측정할 수 있는 대표적인 기술로, 레이저 광의 코헤런트한 특성과 비접촉성 특성은 인체 피부의 혈류 속도를 측정하는데 좋은 특성을 제공한다.
본 연구에서는 매우 작은 틈새를 갖는 미세 크랙을 초음파가 투과할 때, 크랙 면의 부분 접촉의 의한 새로운 음향 비선형성의 발생 구조를 제안하고 그 정당성을 검증하는데 목적을 두고 있다. 이를 위하여, 초음파가 미세 크랙을 투과할 때 부분 접촉 효과에 의해 나타나게 되는 파형을 반파 모델로 모델링하고 이를 통해 고주파 조화 성분(Harmonics)이 발생하는 원인을 제시하였으며 틈새의 크기와 음향 비선형성의 크기와의 상관 관계를 시뮬레이션과 실험을 통하여 확인하였다. 이를 통해 미세 틈새와 음향 비선형성과의 상관 관계를 밝히고 틈새의 크기가 증가해 감에 따라 음향 비선형성이 증가함을 확인할 수 있었다.
자외선 램프를 이용한 살균기는 고전압 방전과 달리 오존의 발생을 최소화 하면서 짧은 시간에 원하는 물체를 살균할 수 있는 장점이 있다. 본 연구에서는 인체의 피부에 직접 접촉하는 티슈들의 포장 상태에서 세균의 밀도를 조사하고 그 결과 살균이 필요한 수준이라는 것을 파악한 다음, 공중 화장실용 공동 티슈 공급기에 적합한 살균기를 설계, 제작하고 그 효과를 세균 배양 실험을 통하여 확인하였다.
본 연구는 어린이가 일상에서 노인과의 접촉을 통해 노인에 대한 차별적 태도(Ageist attitude)를 완화할 수 있는지, 해당 태도의 개선방안을 탐색하였다. 명시적 태도(Explicit attitude)의 측정에 사용되는 자기보고식(Self-reported) 척도가 의식에서 여과된 수준의 편견만 반영하는 한계를 고려해, 내면의 차별적 인식을 나타내는 '암묵적 태도(Implicit attitude)'를 측정하였다. 명시적 태도 측정에는 웃는 얼굴 5점 척도를, 암묵적 태도 측정에는 어린이용 암묵적 연령 연합검사(Children Implicit Age-association Test)를 사용하였다. 서울 및 수도권 초등학교 4~6학년 초등학생 503명의 자료를 수집했으며 기술통계, 다항 및 서열 로지스틱 회귀분석 방법으로 분석하였다. 분석결과는 크게 세 가지로 요약된다. 첫째, 노인에 대한 어린이의 명시적 태도와 암묵적 태도의 예측요인이 달랐다. 이는 편견의 '표출'을 완화하는 요소를 이용해 '내적 편견'을 예측하고 개선하는 데는 한계가 있으며 따라서 암묵적 편견에 대한 별도의 접근이 필요함을 보여준다. 둘째, 어린이의 연령차별적 태도와 노인 접촉경험의 관계는 어린이와 노인의 관계특성, 그리고 접촉의 양적 측면과 질적 측면에 따라 다소 복잡한 관계를 보였다. 종합적으로 요약하면 노인을 많이 그리고 긴밀하게 만나는 아이들이 표면적으로 또는 내면적으로 연령차별적일 가능성이 낮았다. 마지막으로, 접촉질이 중요한 명시적 태도와 달리 암묵적 태도는 접촉량과 약한 관련을 보였으며, 접촉질과는 관계가 없었다. 이는 편견 완화에 접촉량보다는 질의 효과를 강조해온 집단 간 접촉이론(Intergroup contact theory)으로 설명되지 않는 결과로, 접촉의 암묵적 태도에 대한 영향을 전반적으로 검토하고 이론을 보완할 필요가 있다.
CMOS 소자가 서브마이크론($0.1\;{\mu}m$) 이하로 스케일다운 되면서 단채널 효과(short channel effect), 게이트 산화막(gate oxide)의 누설전류(leakage current)의 증가와 높은 직렬저항(series resistance) 등의 문제가 발생한다. CMOS 소자의 구동전류(drive current)를 높이고, 단채널 효과를 줄이기 위한 가장 효율적인 방법은 소스 및 드레인의 얕은 접합(shallow junction) 형성과 직렬 저항을 줄이는 것이다. 플라즈마 도핑 방법은 플라즈마 밀도 컨트롤, 주입 바이어스 전압 조절 등을 통해 저 에너지 이온주입법보다 기판 손상 및 표면 결함의 생성을 억제하면서 고농도로 얕은 접합을 형성할 수 있다. 그리고 얕은 접합을 형성하기 위해 주입된 불순물의 활성화와 확산을 위해 후속 열처리 공정은 높은 온도에서 짧은 시간 열처리하여 불순물 물질의 활성화를 높여주면서 열처리로 인한 접합 깊이를 얕게 해야 한다. 그러나 접합의 깊이가 줄어듦에 따라서 소스 및 드레인의 표면 저항(sheet resistance)과 접촉저항(contact resistance)이 급격하게 증가하는 문제점이 있다. 이러한 표면저항과 접촉저항을 줄이기 위한 방안으로 실리사이드 박막(silicide thin film)을 형성하는 방법이 사용되고 있다. 본 논문에서는 (100) p-type 웨이퍼 He(90 %) 가스로 희석된 $PH_3$(10 %) 가스를 사용하여 플라즈마 도핑을 실시하였다. 10 mTorr의 압력에서 200 W RF 파워를 인가하여 플라즈마를 생성하였고 도핑은 바이어스 전압 -1 kV에서 60 초 동안 실시하였다. 얕은 접합을 형성하기 위한 불순물의 활성화는 ArF(193 nm) excimer laser를 통해 $460\;mJ/cm^2$의 에니지로 열처리를 실시하였다. 그리고 낮은 접촉비저항과 표면저항을 얻기 위해 metal sputter를 통해 TiN/Ti를 $800/400\;{\AA}$ 증착하고 metal RTP를 사용하여 실리사이드 형성 온도를 $650{\sim}800^{\circ}C$까지 60 초 동안 열처리를 실시하여 $TiSi_2$ 박막을 형성하였다. 그리고 $TiSi_2$의 두께를 측정하기 위해 TEM(Transmission Electron Microscopy)을 측정하였다. 화학적 결합상태를 분석하기 위해 XPS(X-ray photoelectronic)와 XRD(X-ray diffraction)를 측정하였다. 접촉비저항, 접촉저항과 표면저항을 분석하기 위해 TLM(Transfer Length Method) 패턴을 제작하여 I-V 특성을 측정하였다. TEM 측정결과 $TiSi_2$의 두께는 약 $580{\AA}$ 정도이고 morphology는 안정적이고 실리사이드 집괴 현상은 발견되지 않았다. XPS와 XRD 분석결과 실리사이드 형성 온도가 $700^{\circ}C$에서 C54 형태의 $TiSi_2$ 박막이 형성되었고 가장 낮은 접촉비저항과 접촉저항 값을 가진다.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제16권4호
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pp.31-37
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1992
조성조절한 박막금속합금에서 supermodulus효과가 관찰되었음을 소개하였다. 이 현상을 Fermi표면과 Brillouin 대의 접촉, 그리고 정합변형효과에 의해 설명하였으나 합금계에 따라 어느 한쪽으로만 설명이 가능하며 아직도 명쾌한 해석은 어려운 상황이다. Fermi표면으로 해석한 측면에서 보면 조성조절한 박막에서 측정되는 supermodulus 현상으로 그 합금계의 Fermi표면의 구조와 크기를 예측할 수 있고, 또는 그 반대로, Fermi표면의 조성에 따른 구조와 크기를 알면 supermodulus 효과를 나타내는 합금계를 설계할 수도 있을 것이다. 지금까지는 강성계수의 향상에 대해서만 관찰되었으나 그 반대로 강성계수가 급격히 감소하는 현상도 관찰될 가능성은 남아있어 앞으로의 연구가 기대된다.
본 논문에서는 과거와 현재지도를 자연스럽게 융합하여 살펴볼 수 있는 열 적외선 영상 기반 지도 조작 인터페이스 시스템을 제안한다. 이 시스템은 두 지도의 융합과 손가락 터치 검출로 구성되어 있다. 두 지도의 융합은 호모그래피 방법을 사용하여 과거지도를 워핑하고 이를 현재지도 위에 중첩하였다. 손가락 터치 검출은 열 적외선 카메라를 사용하여 손가락 접촉 후 생기는 잔류 열을 검출하였다. 손가락 접촉 위치는 검출된 잔류열을 이용하여 계산하였다. 현재 위성지도에서 특정 위치에 손가락을 터치하면 접촉한 위치를 계산하고 과거지도를 프로젝터로 투사하여 지도 조작이 가능하게 하였다. 제안하는 방법을 통해 구현된 인터페이스 시스템은 손가락 터치로 과거지도와 현재지도를 이해하는데 효과적으로 활용 될 수 있을 것으로 예상된다.
Contact pressure occurs whenever two surfaces contact between cam and roller. Especially excessive pressure peaks occur at the ends of the contact region. Such as scuffing or pitting will be induced when these operating conditions continuously occur on the surface. Camber effect is given to reduce damage by changing the shape of roller. The objective of this paper is to calculate contact pressure distribution by using a contact analysis considering camber and tilting angle. These results predict that camber effect of all machine components have influence on contact pressure distribution.
2차원 반도체 소재의 경우 물질종류마다 내포하고 있는 고유결함에 의해서 Fermi-Level Pinning 이 발생하여 이로 인한 Schottky Barrier transistor로 동작을 하게 되며, 이는 접합부에 Carrier Injection 정도와 Schottky Barrier을 통과하는 Tunneling 정도에 의해서 소자의 특성이 결정 된다. 본 연구에서는 시뮬레이션을 통하여 2차원 반도체인 $MoS_2$소자를 설계하고, S/D Doping에 따라 접촉 저항 개선 효과와 소자의 동작특성이 어떠한 영향을 미치는지 연구하여 최대 $250cm^2/V{\cdot}sec$의 field effect mobility 의 결과를 얻었다. 또한 S/D doping 에 따라 각 저항 성분의 영향을 분석하였으며 면저항 및 접촉 저항 둘 다 doping 농도가 증가함에 따라 감소하는 결과를 나타내며, S/D doping의 영향은 접촉저항에서 더 크게 나타났다. 더불어 2차원 반도체의 Resistance network model 을 제안하여 subthreshold 영역에서는 $R_{ic}$, saturation 영역에서는 $R_{ish}$ 가 전체저항에서 주요한 변수로 전체저항식에 포함되어야 한다는 것을 시뮬레이션을 통해서 검증하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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