• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.26 no.6
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• pp.124-130
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• 1989

For the higher density DRAM'S, innovations in fabrication process and circuit design which have led to dramatic density improvement are discussed from the desinger's perspective. A new dynamic RAM cell called Trench Epitaxial Transistor Cell(TETC) using trench technics and SEG have been developed for use in future megabit DRAMS. Storge electrode with $n^+$-polysilicon and $n^+$-source electrode are self-contacted in TETC. With keeping the storage capacitance large enough to prevent soft errors, the cell size reduced to 30% compare with existing BSE cell by utilizing the vertical capacitor made along the isolation region.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.1 no.4
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• pp.303-310
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• 1988

본 논문에서는 Langmuir-Blodgett법으로 유기초박막을 제작하기 위하여 시료인 (N-docosyl pyridinium)-TCNQ(1:2) 작제를 합성하고 이를 초박막으로 제작한 다음, U.V측정, capacitance측정, 그리고 기판과 수직한 방향의 도전율등을 측정하여 막이 잘 이루어지고 있음을 확인하였다. 한편, 하부 전극을 Al로 할 경우 전극표면에 생기는 자연 산화막(Al$_{2}$O$_{3}$)의 두께는 37.1.angs.정도이었으며 기관과 수직한 방향의 도전율은 약 $10^{-14}$S/cm로 양호한 절연성이었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.1
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• pp.99-108
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• 1993

저압화학증착법에 의해 제조된 hemispheircal 및 rugged Si 박막들은 64 Mbit DRAM 이상의 캐패시터에 사용하기 위해 개발되었다. 이 공정을 사용하므로써 종래에 사용되던 Si 전극의 평평한 표면이 hemispherical 혹은 rugged 박막 형태의 표면으로 변한다. 위와 같은 박막은 비정질 Si 표면에서 핵생성되며 Si 원자 확산에 의해 결정립들이 결정체로 성장한다. 화학증착의 변수, 열처리 및 in-situ doping process들은 hemispherical 및 rugged Si 박막의 미세구조에 영향을 준다. 동일 두께에서는 고온에서 이루어질 때 혹은 동일 온도일 경우에는 얇은 박막층일 때에 하부전극의 표면들이 rugged poly Si 형상을 나타내며 이렇게 됨으로써 유효면적은 2.1배로 증가한다. 이와 같은 캐패시터 유효면적 증가는 대체로 높은 신뢰성을 갖는 두꺼운 절연막을 사용하면서 stack 캐패시터 구조의 높이를 감소시킬 수 있다. 따라서 이러한 제조기술은 차세대 캐패시터에 적용될 수 있다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.21 no.2
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• pp.28-33
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• 2007

In this paper, we are studied on the direction and formation of carbonized conductive path according to surface leakage current between electrodes. The characteristics of the tracking as surface is broken down between exposed live parts. Using the HSIS(high speed imaging system. 100,000[fps], redlake ltd., USA), it took photographs by arc growth mechanism occurred in on/off surge, ground fault and discharge between electrodes. Then the results was analyzed. Hereafter, it expected effects that application of energy utility technology through the arc control.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2007.07a
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• pp.359-361
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• 2007

본 논문은 CNT(Carbon Nano Tube) FEL(Field Emission Lamp)에서 애노드(Anode)-캐소드(Cathode) 구동용 고전압 구동 회로 구현에 관한 것이다. 본 논문에서 제안하는 고전압 DC 전원 회로는 턴비가 높은 고전압 트랜스포머의 Leakage 인덕턴스를 이용하는 Series-Resonant 형태의 Full Bridge 컨버터를 적용하고 고전압 트랜스포머와 Voltage Multiplier를 이용한다. 고전압 트랜스의 절연전압을 줄이기 위해서 두개의 트랜스포머와 Voltage Multiplier를 이용하여 애노드 전극에는 Positive 고전압, 캐소드 전극에는 Negative 고전압을 인가한다. 이 경우 애노드와 캐소드 사이의 아크 방전 시에도 구동 IC 및 스위칭 소자를 보호할 수 있는 장점이 있다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.13 no.3
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• pp.101-108
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• 1999

Ths paper describes the transient response characteristics of the grounding systems for electric power facilities against impluse currents. In this work, when the impulse current was injected through the grounding conductor for arrester, the investigations treasuring and analyzing potential rises induced at the cormron cormection trint and other grounding conductors were conducted. The lightning impulse current was awliErl so as to simulate the on-set of arrester due to lightning surges. Measured results of impulse response characteristics from the present experinrrits are as follows;

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.1 no.2
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• pp.62-69
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• 1987

In the thesis research on the C.T.I for the borne by tracking phenolic resin, electolytic errosion appearance of electrode materials causes the part of electrode to increase the failure of tracking. $\circled1$ In the material of insulation in which C.T.I has 350 degree or so, We can obtain the constant value by Cu.Zn electrode than Pt electrode. $\circled2$ C.T.I value has noting to do with resistance rate of electrolyte. $\circled3$ As the contact angle of interface grow, the starting electric stress of corona and the value of C.T.I increase.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.1336_1337
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• 2009

본 논문에서는 유기 박막 트랜지스터의 전극을 잉크젯 프린팅과 스크린 프린팅 방법을 이용하여 유기 박막 트랜지스터를 제작하였다. 전극으로 PEDOT:PSS와 Ag 잉크를 사용하였고, 게이트 절연막으로 polymethyl methacrylate (PMMA)와 poly(4-vinylphenol) (PVP)를 사용하였다. 유기물 활성층으로 pentacene을 진공 증착하였다. 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 제작한 유기 박막 트랜지스터는 전계이동도 (${\mu}_{FET}$) $0.068\;cm^2$/Vs, 문턱전압 ($V_{th}$) -15 V, 전류 점멸비 ($I_{on}/I_{off}$ current ratio) >$10^4$의 전기적 특성을 보였고, 스크린 인쇄 방법을 이용하여 제작한 유기 박막 트랜지스터는 전계이동도 (${\mu}_{FET}$) $0.016\;cm^2$/Vs, 문턱전압 ($V_{th}$) 6 V, 전류 점멸비 ($I_{on}/I_{off}$ current ratio) >$10^4$의 전기적 특성을 보였다. 이를 통하여 프린팅 방법을 이용한 유기 박막 트랜지스터 단일 소자 및 유기 전자 회로 제작의 가능성을 확인 하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.9-9
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• 2010

최근들어 디스플레이 산업의 연구 방향이 3-any (any-time, any-where, any-position)에 대응하기 위해 고품위 디스플레이 디바이스에 집중되고 있는 상황이다. 이로 인해 flexible 기판에 다양한 소자기술을 접목하는 연구가 중요 기술로 각광을 받고 있다. 본 연구에서는 flexible 기판상에 전극층, 채널층, 절연층, 및 보호막층을 형성하는 방법으로 적용되고 있는 박막 형성기술 중 물리증착기술을 적용한 진공박막 권취 장비(roll-to-roll vacuum coating system)의 핵심 기술과 투명전극의 대표적인 물질인 인듐주석산화물 박막의 특성에 대해서 심도 깊게 살펴보고자 한다. 먼저, 다양한 권취장비를 기준으로 물리증착 기술 중 적용이 가능한 공법을 간락히 설명한 후 다양한 박막 형성 기술을 소개하고자 한다. 진공증착 기술을 적용한 다양한 시스템과 스퍼터링 기술의 핵심인 다양한 캐소드의 장단점을 시스템 사례를 기준으로 설명을 하고자 한다. 또한, flexible 기판 적용시 박막층과 기판층간의 계면 특성을 향상시키기 위해 적용되는 플라즈마 표면처리 기술을 핵심 단위 기술의 연구 사례를 기준으로 기술 동향을 설명하고자 한다. 물리증착법의 대표적인 예인 스퍼터링 법으로 제조한 인듐주석산화물 박막의 특성을 제어한 연구 결과를 보고하고자 한다. 투명전극 박막의 대표물질인 인듐주석산화물 박막을 물리증착공법으로 제조하였을 때 발생하는 표면 조도의 문제를 해결하는 방안으로 초저압 스퍼터링 기술을 소개하였고, 스퍼터링 공정시 공정압력의 변화가 인듐주석산화물 박막의 표면조도, 결정구조, 및 전기적 성질에 미치는 영향과 상관관계를 살펴보았다.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.8 no.2
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• pp.46-53
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• 1994

This paper presents a diagnosis teclmique using ultrasonic sensors for monitoring the growth of partial discharge in power transformers. This teclmique counts the ultrasonic pulses generated from partial discharge over a threshold leveL In experiments, a ultrasonic generator and the point to plane electrodes generated ultrasonic pulses. With a constant voltage between the electrodes, the ultrasonic pulses over a threshold were a fairly constant. When the voltage increased or insulation paper was inserted between the electrodes, the partial discharge increased. In this case the number of ultrasonic pulses also increased and therefore the proposed teclmiques successfully diagnosed the growth of partial discharge.