A Study on New High Density DRAM Cell

고밀도 DRAM Cell의 새로운 구조에 관한 연구

For the higher density DRAM'S, innovations in fabrication process and circuit design which have led to dramatic density improvement are discussed from the desinger's perspective. A new dynamic RAM cell called Trench Epitaxial Transistor Cell(TETC) using trench technics and SEG have been developed for use in future megabit DRAMS. Storge electrode with $n^+$-polysilicon and $n^+$-source electrode are self-contacted in TETC. With keeping the storage capacitance large enough to prevent soft errors, the cell size reduced to 30% compare with existing BSE cell by utilizing the vertical capacitor made along the isolation region.

ITIC를 중심으로 고밀도 DRAM을 위한 획기적인 밀도 향상을 기할 수 있는 공정과정과 회로디자인의 기술 혁신에 대하여 지다이너 입장에서 논의하였다. 여기서 개발한 TETC라 부르는 DRAM은 trench 기술과 SEG기술을 이용하였는데 $n^+-polysilycon$인 storage 전극과 $n^+-source$ 전극이 self-con-tact되고 soft error 를 극복할 만큼 충분히 큰 정전용량을 갖으므로 절연 영역을 따라서 만든 수직의 캐패시터를 이용함으로써 셀 크기를 기존의 BSE cell구조에 비하여 약 30% 감소되었다.