• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권4호
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• pp.385-395
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• 1996

이 논문은 금속성 돌기물에 의한 불평등전계중에서의 비진동성과 진동성 임펄스전압에 의한 SF$_{6}$ 가스의 절연파괴 특성에 대해 기술하였다. 절연파괴전압-시간특성을 가스압 0.1-0.5MPa의 범위에서 정.부 극성의 전압을 인가하여 측정하였으며, 그리고 50.ohm.분류기를 통해서 전구방전 전류를 관측하였다. 가스압력에 의한 리이더 진전시간의 의존성도 측정하였다. 스트리머 코로나에 의해 발생하는 공간전하에 의한 국부전계강화는 시험갭의 전기적 절연파괴에 영향을 미치는 것으로 판명되었다. 절연파괴는 초기 스트리머 코로나로부터 발단되어, 국부전계강화에 의한 리이더진전으로 이루어진다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제12권2호
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• pp.85-90
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• 1998

본 논문에서는 AC 전압 하에서 자유 도전성 금속이물 혼입에 의한 SF6 가스로 압축된 GIS의 절연특성에 관하여 연구하였다. GIS 내에서 자유 도전성 금속이물이 혼입되면 절연파괴 전압을 낮추는 결정적인 역할을 할 수 있으므로, 금속이물의 재질과 크기에 따른 부상전계 및 절연파괴전압을 측정하였다. 구리, 철, 알루미늄의 선형 금속이물에서의 부상전계 계산값과 측정값을 비교, 분석하였다. 압축된 $SF_6$ 가스로 절연된 동축원통전극간에 금속이물의 혼입될 경우의 절연파괴전압은 금속이물의 없을 때보다 낮게 나타났으며, 금속이물의 재질과 크기에 상당히 의존하였다. 따라서 자유도전성 금속이물은 GIS의 절연파괴 특성에 매우 중요한 요소로 작용함을 알 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1480-1481
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• 2007

본 연구는 SF6를 대체하기 위한 건조공기(Dry-Air)의 특성을 연구할 목적으로 교류전압 인가 시 압력(P)변화 및 갭길이의 변화에 따른 절연파괴특성을 연구하였다. 본 연구를 통해 챔버 내의 P가 증가 할수록 절연파괴특성은 증가하는 것을 확인했다. 그리고 불평등전계 보다 평등전계에서 절연파괴특성이 더 증가하고 전극간거리(d)가 증가 할수록 절연파괴특성이 증가하는 것을 확인했다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.217-219
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• 2006

본 논문은 초고압용 XLPE 케이블의 절연/단도전의 계면특성 향상을 위해 계면활성제 부가를 통한 절연파괴전압 향상에 관한 것으로, 계면구조의 변화와 이에 따른 절연파괴전압의 상관성을 밝히고자 하였다. 이를 위해, 계면확성제의 함량에 따른 절연/반도전 계면에서의 결정 미세구조(라멜라 밀도와 분자배향)를 스침각 X-ray와 TEM분석을 통해 밝히고, 이를 절연파괴 특성과의 상관성을 밝혔다. 연구결과, 사용되는 기저고분자와 첨가제 간의 정합성과 최적의 첨가제 함량이 절연재료의 파괴강도에 큰 영향이 있음을 알 수 있었다. 즉, 과도한 첨가제의 부가로 인하여 계면으로 이동한 계면활성제 간에 인력으로 뭉치게 되고(aggregation), 결국 국부적인 도메인을 형성하여 절연파괴 개시부로 작용할 수 있게 된다. 이를 스침각 X-ray (Gl-SAXS)를 통하여 라멜라 밀도 및 배향을 정량화 할 수 있으며, 이는 XLPE 전력케이블의 반도전 재료의 처방 및 계면특성 정량화 기법으로 유효하게 사용될 수 있을 것이다.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제11권6호
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• pp.50-56
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• 1997

전극들과 절연재료 사이의 결합과 고분자 절연체 내부에서 여러 가지 결함에 의한 부분 방전이 발생함으로 일어날 수 있는 절연 재료의 트리 열화를 파괴 예지할 목적으로 하였다. 부분 방전에 기인한 트리잉은 절연 재료의 파괴를 일으킬 수 있는 중요한 원인 가운데 하나다. 최근에는 절연 파괴 예지와 절연 재료의 열화 진단을 하는 방법이 중요하게 되었다. 연구 목적은 자동 계측 시스템을 사용하여 인가전압 11[kV], 인공적인 침상보이드(1.5[mm])을 지닌 고분자 절연체 내부에서 음향 방출시스템과 프랙탈 차원을 사용하여 트리 현상을 관찰하였다. 따라서 본 논문에는 최소자승법에 의한 회귀분석을 사용하여 위상각-음향방출 펄스크기-열화시간 양상과 위상각-음향방출 펄스수-열화시간과 프랙탈 차원의 관계를 통하여 파괴가 발생하기 전의 파괴 예지법으로 사용하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1968-1970
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• 2005

송전 용량 증대 및 초고압 케이블 컴펙트화를 위해, 최근 고내력 케이블에 관한 연구가 전세계적으로 활발히 진행되고 있으며, 이러한 추세에 대응코자 당사에서는 고내력 케이블 개발에 있어서 첨가제 투입에 따른 절연 능력 향상에 관한 연구를 진행하여왔다. 본 연구에서는 케이블 절연 능력 향상을 위하여 반도전 컴파운드에 첨가제를 투입하여 반도전과 절연의 계면 특성을 향상시킴으로 절연체의 절연파괴능력 향상시키고자 하였으며, 계면 특성의 향상은 절연 파괴능력 향상으로 이어짐을 확인 할 수 있었다. 또한 상기의 연구결과에 따라 제조된 케이블은 기존 케이블과 비교하였을 때 매우 우수한 절연파괴 특성을 나타냄을 확인하였으며, 그 결과 절연 두께를 비약적으로 감소시킬 수 있었다. 본 논문은 상기 절연 성능 향상에 관한 메커니즘 및 IEC 62067에 따라 진행된 초고압 XLPE 케이블의 type test 결과를 중심으로 기술하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제5권1호
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• pp.43-51
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• 1992

최근 에너지 절약면에서 초전도 케이블에 관심을 모으고 있다. 그러나 케이블의 수명과 신뢰성을 보장하기 위해서는 극저온 절연기술이 반드시 필요하다. 본 논문에서는 극적은 기체 질소의 절연파괴특성과 기구에 대해 보고한다. 극저온 기체 질소(300K-93K)의 절연파괴전압은 액체 질소(77K)의 경우의 1/4~1/6배정도 낮으며 온도와 기체밀도에 의존한다. 또한 비등점근처의 온도영역을 제외하고는 Paschen의 법칙이 성립한다.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제5권2호
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• pp.77-83
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• 1991

비스페놀 A형 에폭시 수지에 $SiO_2$를 충진한 에폭시 복합재료의 단시간 절연파괴 특성을 충진제 첨가 함량의 변화, 주위온도(상온~[$190^{\circ}C$])의 변화 및 인가 전원의 종류별로 연구, 검토하였다. 연구결과, 절연파괴강도는 충진제 함량의 증가에 대해 일반적으로 감소하는 경향을 보였으며, 입자간 중심거리 d가 충진제함량이 증가함에 따라 감소하여 평균입자간격이 [$7.5\mu\textrm{m}$]이하가 되면 절연파괴 강도가 거의 일정한 값이 됨을 확인하였다. 또한, 교류전압을 인가하는 경우는 고온영역 ([$130^{\circ}C$]) 이상에서 충진된 에폭시수지가 무충진 에폭시수지보다 절연파괴강도가 증가하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1546-1547
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• 2011

본 논문은 절연성 악화의 원인이 되는 연면방전에 착안하여 고체절연물의 종류, 크기에 따른 연면방전특성을 친환경 가스중에서 연구하였다. 위의 조건들은 모두 연면절연파괴전압 변화에 영향을 주었으며, 그 중 고체절연물의 크기가 연면절연파괴전압 차이에 가장 큰 영향을 주었다. 그리고 고체절연물 크기의 변화로 연면방전을 촉진 시키는 약점이 존재 하였고, 그 약점에 대한 대책이 강구되어야 한다. 이러한 연구의 결과는 차후, 친환경 절연재를 활용한 절연설계에 유용한 자료가 될 것이다.

• 한국진공학회지
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• 제4권1호
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• pp.18-25
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• 1995

건식, 습식, 건식/습식 산화분위기로 성장한 게이트 산화막 위에 AI, 인 도핑된 다결정시리콘, 비정질 실리콘/인 도핑된 다결정 실리콘을 증착하여 제작한 금속-산화물-반도체(metal-oxide-semiconductor:MOS)의 전기적 특성을 순간 절연파괴(TZDB), 정전용량-전압(C-V)과 경시절연파괴(TDDB)로 평가하였다. AI 게이트에서 습식산화막과 건식산화막의 평균 파괴전계는 각각 9.0MV/cm, 7.7MV/cm이였고, 습식산화막의 평균 파괴전계가 8.4MV/cm 이였으며, AI 게이트보다 0.6MV/cm 정도 낮았다. 이것은 다결정 실리콘/습식산화막 계면에서 인(phosphorus) 확산으로 다결정 실리콘의 grain 성장과 산화막의 migration에 의한 roughness 증가에 기인한다. 그러나 다결정 실리콘/건식산화막 계면에서 roughness 증가는 없었다. 다결정 실리콘 게이트에서는 건식/습식 산화막이 건식산화막과 습식산화막보다 평균 파괴전계와 절연파괴전하(QBD)가 높았다. 또한 다결정/비정질 실리콘 게이트에서는 습식산화막의 평균 파괴전계가 8.8MV/cm이였으며, 다결정 실리콘 게이트에서보다 0.4MV/cm 정도 높았다. 다결정/비정질 실리콘 구조는 앞으로 VLSI 적용에 있어서 게이트 전극으로 매우 유용할 것이다.