수 MV급 탄뎀형 가속기와 정전형, 자장형 질량분석기를 결합함으로써 존재비가 극히 작은 동위원소 측정이 가능해진다. 수 MeV로 가속이 되면 분해에 방해가 되는 모든 분자이온들이 제거되며, 탄뎀형 가속기에서는 음이온으로부터 가속이 개시되므로 몇몇 음이온을 형성하지 못하는 동중원소의 간섭으로부터 자유로워지기 때문에 고감도분석이 실현될 수 있다. 이외에 음이온을 형성하는 동중원소들은 주로 이온함인 최종 검출기에서의 유효 전하에 따른 에너지손실 차이를 이용하여 효과적으로 제거할 수 있다. 현재는 주로 장반감기 방사성동위원소인 $^{10}Be$, $^{14}C$, $^{26}Al$, $^{36}Cl$과 $^{129}I$ 등의 측정법이 확립되어 천연시료 중에서 동위원소 존재비 $10^{-12}$에서 $10^{-15}$까지의 정량이 가능하며, 원자수로 환산한 검출하한을 $10^5$개가 된다. 또한 해당 원소를 기준으로 소요 시료량은 대부분 mg 정도로 충분하다. 지금까지는 불가능했던 이러한 특징으로 인해 지난 수년간 AMS(Accelerator Mass Spectrometry)가 활용되어 온 연구분야는 지구과학(기후학, 우주화학, 빙하학, 수문학, 해양학, 퇴적학, 화산학 및 광물탐사), 인류 및 고고학(연대측정), 그리고 물리학(천체물리, 핵 및 입자물리) 등으로 다양하다. 이외에 생의학 및 재료과학 분야에서도 AMS를 활용하고자 하는 노력이 계속되고 있다. 본 해설에서는 가속기질량분석기술의 특징, 원리, 장치 및 활용분야 등을 소개하고자 하며, 이로써 관련 분야의 연구 활성화에 기여하고자 한다.
We report a simple method for determining photovoltaic constant and conductivities of any photorefractive crytals which have no inversion symmetry by utilizing the electric field dependence of non-phase-matched second harmonic generation. New theoretical expression for the electric field dependence of Maker fringes is derived and space charge field can be determined using this from the observed change of intensity of second harmonic wave. The photovoltaic constant, dark conductivity and photoconductivity are easily deduced from an analysis of the measured relaxation behavior of space-charge field at two different light intensities. We demonstrate this method for $LiNbO_3$ at 514.5 nm.4.5 nm.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.481-484
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2004
다중 채널 전극 위에 세포를 성장시켜 전극면을 통해 검출되는 신경 신호의 손실을 줄이고 주파수의 변형을 줄이기 위해서 전극과 전해질의 사이의 impedance를 줄이는 것이 바람직하다. 전하 이동을 증대시키기 위해서는 낮은 impedance가 요구되며 이를 위한 전극의 개선 방안으로 전극면이 증착될 기판의 표면을 거칠게 하여 결과적으로 전극면의 표면적을 넓히는 방법을 모색하였다. 기판으로 사용되는 glass(Pyrex#7740)의 구성 물질 중에서 4%를 차지하는 $N^+$ 이온을 황산 용액으로 표면 처리하여 제거함으로써 매끈한 표면을 거칠게 하여 표면적을 넓힐 수 있다. 기판으로 사용되는 glass (pyrex#7740) $1cm{\times}1cm{\times}0.05cm$를 50%, 95% 농도의 황산 용액 내에서 각각 30분, 60분 동안 상온에서 표면처리를 진행하였다. AFM을 이용하여 표면을 관찰한 결과 황산 용액 95%에서 30분간 표면 처리를 진행한 시편에서 최대 $4000{\AA}$정도의 조도를 얻었다. 이후 동일 시편에 대해 전극으로 사용될 Ti/Au를 각각 $500{\AA}/2500{\AA}$ 증착 후 사진식각 공정으로 MEA(Multi-channel electrode array)를 제작하여 impedance를 측정한 결과, 표면 처리 후 impedance가 70% 개선되었음을 측정하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.324-324
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2010
최근에는 압전체의 환경오염 문제의 해결 및 가격경쟁력을 갖추기 위해서 비납계 압전체에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. (Na,K)$NbO_3$ 계는 페로브스카이트 구조를 가지는 비납계 세라믹스로 현재 가장 많이 연구되고 있는 물질 중의 하나이다. 본 연구에서는 압전성이 우수한 $(Na_{0.44}K_{0.52}Li_{0.04})(Nb_{0.9}Ta_{0.04}Sb_{0.06})O_3$ 조성에 CuO, $Cu_2O$ 등의 Cu 산화물을 첨가하였을 때의 전기기계결합계수, 기계적품질계수, 비유전율, 압전전하상수, 문극-전계 이력곡선 (P-E hysteresis curve) 등을 변화를 평가하고자 하였다.
2008년 글로벌 금융위기 이후 세계 주요 국가들은 이러한 상황의 생존전략으로 창업 및 기업가정신의 부활을 강조하고 있다. 우리나라도 경기침체 및 청년실업률 증가와 같은 장기불황을 극복하기 위해 '국민행복, 희망의 새 시대'라는 국정비전하에 '일자리 중심의 창조경제' 실현을 제1의 국정목표로 설정하였다. 2016년 4년차에 접어드는 창조경제는 수많은 예산과 인력을 투입하여 창업지원사업을 하고 있지만, 그 효과성에 대해서는 의문이 든다. 이에 본 연구는 실제 창업을 하거나 준비 중인 창업가, (예비)창업가, 학생을 중심으로 현 창업생태계의 문제점을 분석하였고, 이 분석결과를 토대로 정부, 지방자치단체 및 민간의 창업지원사업에 바람직한 지원방향을 제시하여 건강한 창업생태계 구축을 위한 방안을 제시하고자 한다. 분석결과, 정부의 창업지원 정책의 문제점은 보겨 주기식 창업지원사업 및 행사라고 응답한 비율이 41.5%로 가장 높은 응답률을 보였고, 국내 창업생태계 조성을 위해 제 역할을 충분히 하지 않은 당사자는 34.1%가 중앙정부, 28.3% 국내 대기업이라고 응답하였다. 창업경험 유무에 따른 창업과정의 애로사항은 자금조달이 46.1%로 가장 높았고, 창업 초기자금 조달방법은 응답자의 절반인 50.4%가 개인자금으로 창업 초기자금을 조달한다고 응답하였다. 창업이 주저되는 주요 이유로는 창업자금 마련 및 기회비용이 40.4%로 가장 높은 응답률을 보였고, 창업 시 가장 필요하고 중요하다고 생각되는 지원정책으로는 자금 및 투자 지원이 26.6%, 사무실공간지원 13.5%, 마케팅 및 판로 지원이 13.5%의 응답률을 보였다.
Park, Kwan Su;Bae, Jun Hyun;Kang, Jun Gil;Kim, Youn Doo
Journal of the Korean Chemical Society
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v.45
no.6
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pp.524-531
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2001
Micro-HPLC/IS/MS after solid phase extraction has been employed to enhance the accu-racy in the determination of toxic microcystins, such as microcystin-LR, -YR and -RR. The absorbance at 238 nm in HPLC/UV and characteristic spectra of 135 m/z and $[M+H]^+$ m/z in MS have been widely monitored to identify those microcystin-LR, -YR and -RR. In this study, new lines at 507 m/z for LR, 520 m/z for RR and 532 m/z for YR have been additionally detected in the micro-HPLC/IS/MS spectrum, corresponding to double charge. The micro-HPLC/IS/MS methodology has been applied to investigate the presence of the toxic microcystins in Taecheong lake.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.18
no.3
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pp.25-34
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1981
Aluminum anodization method has been investigated for fabricating charge coupled device(CCD) with two-level aluminum gate structure. Al2O3 films were formed to a thickness of 400-500A, by anodizing aluminum with 30-35V of anode voltage for 2 hours using 2 % ammonium tartrate solution as an electrolyte. Breakdown voltage of these films were about 30 volts. Using above mentioned Al2O3 film as an insulator between two aluminum electrodes, CCD transversal low pass filter has been fabricated. CCD transversal low pass filter with 17 tap coefficients has shown 22 dB stop-band attenuation. The operating clock frequency range of the fabricated device was from 3 KHz to 100 KHz.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.16
no.3
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pp.579-584
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2012
In this paper, drain induced barrier lowering(DIBL) has been analyzed as one of short channel effects occurred in double gate(DG) MOSFET. The DIBL is very important short channel effects as phenomenon that barrier height becomes lower since drain voltage influences on potential barrier of source in short channel. The analytical potential distribution of Poisson equation, validated in previous papers, has been used to analyze DIBL. Since Gaussian function been used as carrier distribution for solving Poisson's equation to obtain analytical solution of potential distribution, we expect our results using this model agree with experimental results. The change of DIBL has been investigated for device parameters such as channel thickness, oxide thickness and channel doping concentration.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.274-274
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2010
최근 들어 나노선을 이용한 pn 접합 소자 연구 결과가 매우 활발하게 보고되고 있다. 그러나, 서로 다른 두 종류의 나노선으로 pn 접합 어레이 구조의 소자를 제작할 때, 나노선을 원하는 위치에 정렬하는 기술상의 어려움이 큰 걸림돌이 된다. 본 연구에서는 p-CNT와 n-$SnO_2$ 나노선을 이용한 pn 접합 어레이 구조를 제작할 수 있는 독창적인 공정기술을 제안한다. 먼저 $SiO_2$가 300 nm 성장된 Si 기판을 선택적으로 패터닝하여 BOE (6:1) 용액으로 $SiO_2$ 층을 80 nm 정도 선택적으로 에칭한 후, 선택적으로 에칭된 표면에 슬라이딩 장비를 이용하여 화학기상증착법(chemical vapor deposition: CVD)으로 성장된 n-$SnO_2$ 나노선을 전이시킨다. 그 다음 thermal tape를 이용하여 CVD 법으로 성장된 랜덤 네트워크 형태의 CNT를 $SnO_2$ 나노선이 전이된 기판 위에 전이 시킨다. 이때 성장된 CNT 필름 중 금속성 나노선을 통한 전하 이동을 감소시키기 위해, 촉매로 사용되는 페리틴의 농도를 낮춰서 전체적인 CNT의 농도를 줄이는 방법을 이용하였다. 따라서, 성장된 CNT 필름은 별도의 후처리 없이 p-형의 반도체성을 보였다. 제작된 pn-소자는 정류비가 ~103 인 정류특성을 보였으며, 254 nm 파장의 UV lamp를 조사하여 광전류가 발생하는 것을 확인하였다. 연구결과는 이종의 나노선 접합에 의한 다이오드 응용과 UV 센서응용 가능성을 보여준다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.134-134
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2010
KBSI 부산센터에 건설중인 소형의 다중 양전하 중이온 가속기에 사용될 초전도 ECR 이온온은 최대 자기장 3 T, 최소 0.5 T의 자기 Mirror구조를 가지고 있으며 중심 부근의 1 T 자기장에서 28 GHz 전자공명에 의해 마이크로파의 에너지를 플라즈마로 전달한다. 최대 10 kW의 Gyrotron에서 TE02 모드로 발생하는 마이크로파는 모드변환기, 직류차단기 및 진공창을 통하여 플라즈마로 입사된다. 32.5 mm 지름의 원형 도파관에서 자기장 축방향으로 도입된 TE01 모드의 마이크로파를 Altar-Appleton-Hartree 분산관계식을 이용하여 군속도의 관점에서 살펴보았다. 플라즈마 밀도가 Cut-off에 근접하지 않는 한 마이크로파의 바깥 방향으로의 회절은 크지 않았으며, 전자공명 위치로 접근함에 따라 군속도의 방향이 바뀌어 오히려 중심 방향으로 향함을 알 수 있다. 즉 마이크로파가 플라즈마 챔버의 벽을 가열시킬 가능성은 크지 않은 것이다. 또한 뜨거운 전자 플라즈마의 Susceptibility를 이용하여 마이크로파의 플라즈마로의 전자 공명에 의한 흡수를 살펴본 결과, 운전 영역에 속하는 전자밀도가 제공되면 공명 지점에 이르기 전에 충분히 흡수되는 것을 확인하였으며, 이에 따라 챔버를 관통하여 인출부 벽에 충돌하는 마이크로파 에너지는 무시할 수 있을 것으로 보여진다. 이 결과들을 토대로 마이크로파 시스템을 설계 완료하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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