• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.43 no.5 s.347
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• pp.176-181
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• 2006

We have built the close range Dicke type radiometer with 35GHz of frequency, which consists of two stage low noise amplifier and diode detector to calibrate temperatures of materials. We have present thermal calibration methods using millimeter-wave radiometer. Output voltages linearly increase with temperatures between 299K and 309K. We are able to measure lower temperature using the liquid nitrogen although results are somewhat unstable.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.6 no.5
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• pp.717-722
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• 2011

This paper presents that the electronic controller is developed for controlling the setting temperature and water in the ceramic pipe system. The heating water system is designed for controlling the temperature to supply the heat through the ceramic pipe heater to input the water, also for controlling quantity of water using the water sensor and impeller. The control method of the heating water system is applied the mathematic modeling of the ceramic pipe heater on the suppling the heat at coming water, and the test result of the electronic controller is present to smartly control the setting temperature, therefore the ceramic pipe heater is proposed to be able to apply the heating structure and the control methods as a product.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.3
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• pp.121-129
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• 2012

RF biased inductively coupled plasma (ICP) is widely used in semiconductor and display etch processes which are based on vacuum science. Up to now, researches on how rf-bias power affects have been focused on the controls of dc self-bias voltages. But, effect of RF bias on plasma parameters which give a crucial role in the processing result and device performance has been little studied. In this work, we studied the correlation between the RF bias and plasma parameters and the recent published results were included in this paper. Plasma density was changed with the RF bias power and this variation can be explained by simple global model. As the RF bias was applied to the ICP, increase in the electron temperature from the electron energy distribution was measured indicating electron heating. Plasma density uniformity was enhanced with the RF bias power. This study can be helpful for the control of the optimum discharge condition, as well as the basic understanding for correlation between the RF bias and plasma parameters.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.335-335
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• 2012

III-V 족 반도체 물질 중, GaN는 넓은 밴드갭을 가지고 있어 발광 다이오드나 레이저 다이오드, 트랜지스터, 스핀트로닉스 등의 응용에 유용한 물질이다 [1]. 실시간 성장 제어 및 최적화된 특정 소자 응용을 위해서는 GaN의 다양한 온도에 대한 유전율 함수 정보가 필수적이다. 편광분석법을 이용한 상온에서의 hexagonal GaN 유전율 함수는 이미 여러 연구에서 보고되었고, 80~650 K 사이의 온도 범위에 대한 언구도 수행되었다 [2,3]. 그러나, 온도변화에 대한 GaN 유전율 함수와 $E_0$ 전이점에 대한 해석은 부정확하다. 따라서 본 연구에서는 사파이어 기판 위에 분자살박막증착장치를 이용하여 c-축 방향 (0001)으로 성장 시킨 hexagonal GaN를 0.74~6.42 eV 에너지 구간에서 보다 확장된 온도 영역(26~693 K)의 유전율 함수를 편광분석법을 이용하여 측정하였다. 측정된 GaN의 유전율 함수를 회기분석법을 통한 2차 미분 표준해석법을 이용해 분석 하였고, 그 결과 $E_0$와 excitonic $E_0$ 전이점을 명확히 얻을 수 있었다. 온도가 감소함에 따라 격자상수 및 전자-포논 상호작용이 감소하여 전자 전이점이 청색천이 하고, 그 구조가 명확해 지는 결과를 얻었다. 본 연구의 결과는 GaN 유전율 함수의 온도 의존성에 대한 데이터베이스를 제공함은 물론, 실시간 모니터링과 GaN를 기반으로 하는 광소자 제작 등에 유용할 것이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.08a
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• pp.41-46
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• 2002

본 논문은 냉, 난방 디지털 온도 조절계(SPC 50)의 Etl의 편차 정 동작에 관한 구현장치 제작과 비례 미.적분기가 At 및 비 At기능에서 설정온도를 $100^{\circ}C$를 유지하는데 기인된 전압전류 및 전력데이터 획득의 요인과 비례미적분 정수 및 노 개선점을 연구하였다. 설정온도를 유지하는 온도변화는 At기능에서 $96.7^{\circ}C\sim102^{\circ}C$ 이며, 비At 기능에서는 $97.6^{\circ}C\sim100.2^{\circ}C$이었다. 온도유지 전압변동은 At기능에서 2V~217V이며, 비 At기능에서 20V~217V 이었다. At와 비 At 기능에서 설정온도 $100^{\circ}C$을 유지하는데 온도를 냉각시키는 환풍기가 온. 오프 되는 시간차는 20초 정도 발생하였다. 온도차 및 전압차는 두 기능간에 비례 미. 적분값 설정이 자동 및 수동이냐에 따라서 차이를 보여주었다. 두 기능에서 설정된 온도값 유지에 따른 전압전류의 승압과 하강의 변동된 변환 데이터는 설정된 온도가 성취되어지는 시간차 및 설정값 유지의 특성을 요인으로 한 PID값과 노의 개선점에 길잡이가 된다.

• The Science & Technology
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• v.28 no.8 s.315
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• pp.14-15
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• 1995

온도가 영하로 계속 내려가는 우리들의 주변엔 신비로운 현상들이 나타난다. 온도가 더 이상 내려갈 수 없다는 극저절대온도는 영하 273.15도 그러나 온도가 영하 148도만 돼도 초전도 현상이 일어나 컴퓨터 성능이 수천배 올라가고 전자제품의 잡음이 없어진다. 이렇게 신비로운 극저온의 세계를 열어본다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.5
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• pp.338-346
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• 2001

An infrared imaging method in which direct measurement of energy gap variations can be achieved by digital image processing is proposed. This method allows economic and easy evaluation of the temperature coefficients of a semiconductor energy gap. The key components of the method are a polychromator, a computer equipped with a frame grabber and a variable temperature cryostat. Tentative experimentation conducted on LEC grown semi-insulating GaAs has resulted in a fairly good agreement with the theoretical model. This proposed method could be applicable for most compound semiconductors.

• 전자공학회논문지 IE
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• v.49 no.2
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• pp.40-45
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• 2012

In this paper, cooling system of power transformers is proposed for temperature optimized control. We predict the peak temperature of power transformer coils using load factors and construct a cooling system using weighting function. For the optimized temperature control for power transformer, a correlation function based on the load factor of a load current and the each temperatures for winding coils, for air and for oil is presented to predict the winding-coil peak temperature. Also, the results controlled by applying the power transformer is presented.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1993.02a
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• pp.84-86
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• 1993

전자빔증착기를 이용하여 적외선영역에서 직접천이형 에너지갭을 갖는 III-V족 2원화합물반도체인 InSb박막을 제작하여 전기-자기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 증착된 박막의 X-선회절법으로 분석한 결과, 열처리온도 5$25^{\circ}C$, 열처리시간 30분 열처리한 박막에서 In2O3피크가 없어지고, InSb피크만 나타났으며, 이때의 격자상수 a0=6.49$\AA$이었다. 기판온도가 증가할수록 InSb박막의 결정화가 일어나 전자이동도는 증가하고 비저항은 감소하였다. 온도 100~300K, 자계 500~9000 gauss범위에서 van der ppauw법에 의한 홀효과를 측정한 결과 증착된 박막의 전도형은 n형이었고, 상온에서 캐리어농도는 2.5$\times$10-16cm-3이었으며, 캐리어농도는 2.83$\times$104$\textrm{cm}^2$/V-sec이었다. 적외선 분광기로 측정한 InSb박막의 광학적 에너지갭은 기판온도가 증가할수록 InSb의 에너지갭에 해당하는 값으로 이동하였으며, 기판온도 30$0^{\circ}C$, 열처리온도 5$25^{\circ}C$일 때 측정한 값은 0.173eV였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.07a
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• pp.474-475
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• 2018

본 논문은 충 방전 실험을 통해 온도와 C-rate에 따른 24S1P 배터리팩 내부 저항 변화와 용량을 비교분석하였다. 충전 및 방전 전류의 크기와 온도의 변화에 따라 변하는 내부 저항과 용량의 변화를 비교분석하기 위해 다양한 온도 조건($-5^{\circ}C$, $25^{\circ}C$, $55^{\circ}C$)에서 SOC별(0.04C, 1/3C) HPPC 테스트를 진행하였다. 실험을 통해 얻은 데이터로 1차 RC 등가모델을 통하여 온도와 C-rate에 따른 저항, 용량 변화를 분석하였다.