저속 에너지 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 $Nb_3Ge$ 시료내의 원자 크기 정도 고체 구조 특성에 대하여 조사하였다. A15 화합물 구조로 된 $Nb_3Ge$ 시료를 상온에서 초전도 특성을 갖는 상전이 온도 근처의 S-변수를 측정하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511 keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 상전이 근처 온도에서 박막의 구조 변화를 측정하였다. 양전자의 입사 에너지에 따른 S-변수는 0.598에서 0.594로 온도의 변화에 의하여 감소하였으며 이때 초전도 전이와는 무관함을 나타낸다. 고온으로 갈수록 일반적인 트랩핑 비율은 커지고 양전자 흐름은 공공(voids) 근처에서 소멸하는 것이 보였다. 이 결과로부터 양전자가 초전자와 소멸하기 보다는 상전자와 소멸하는 것으로 판단된다.
본 논문은 원격탐사 기법을 활용하여 제주도 주변 해역에서 발생하는 해저 용천수 분포 지역을 탐지하는 것이다. 연구지역인 김녕항을 대상으로 열화상카메라를 탑재한 무인비행선을 이용하여 해수면 온도 분포를 파악한 후, 해저 용천수 발생 온도 분포 범위와 비교하여 용천수 발생 위치를 탐지하였다. 일반적으로 해저 용천수의 온도 범위는 지하수 온도와 비슷하여 약 $15{\sim}17^{\circ}C$ 사이에 분포하고 있다. 열화상카메라로 감지된 김녕항의 해수면 온도 분포를 파악한 결과 연구 대상지역의 남서쪽 지역이 해저 용천수 발생 지역으로 탐지하였다.
Back gate가 있는 $SiO_2$ 기판에 SWCNT(Single Walled Carbon Nanotube) 분산액을 도포하여 SWCNT 네트워크를 형성하였다. 금선을 shadow mask로 사용하여 $10{\mu}m$ 간격의 2단자 금 전극을 열 증착을 통해 형성하였다. 현미경 포토리소그래피를 통하여 시료의 가장자리를 Photoresist로 남겨두어 시료 가장자리의 나노튜브를 통한 단락을 방지하였다. 전류-전압 특성, 게이트 특성과 온도 의존성은 DAQ(Data Aquisition) 보드와 Keithley 2400을 사용하여 측정하였고, Labview 기반 프로그램을 통해 제어하였다. 음의 게이트 전압에서의 저항 감소를 관측함으로써 네트워크 상태에서의 게이트 의존성이 P 형 반도체 성질을 보여줌을 알 수 있었으며, 온도가 올라감에 따라 저항이 지수 함수적으로 증가하는 것으로부터 네트워크의 온도 의존성이 금속성 온도 의존성을 가지는 것을 확인하였다.
대부분의 고압송전선은 알루미늄도체와 강심코어로 구성된 ACSR(Aluminum Conductor Steel Reinforced) 계통으로 건설되었다. 강심코어는 고탄소강으로 전선의 하중을 담당하며 알루미늄은 도체로 사용되고 있다. ACSR $410mm^2$ 가공송전의 온도와 전류량, 외기조건(온도, 풍속, 풍향각)과의 관계를 규명하는 것은 송전용량과 승전효율을 증진하는데 필수적이다. 전선온도는 전류량에 따라 직선적으로 변화하며 풍속 0.5 m/s와 태양열의 흡수가 없다고 가정하면 "전선온도($^{\circ}C$) = -0.3143 + 0.077$\times$전류랑(A)"의 관계를 가진다. 전류랑 852A에서 풍속에 따라 전선의 표면부와 강심부의 망사온도차는 감소하였다. 풍속 20m/s에서의 방사온도차는 약 $1.4^{\circ}C$로 나타났다.
본 논문에서는 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ (300nm)박막과 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ (300nm)/Ag(20nm)박막에 홀로그래피 격자를 형성시킨 후 Tg 온도$(240^{\circ}C)$를 기준으로 하여 유리질 천이온도(Tg) 온도 이하 $(190^{\circ}C)$와 이상$(270^{\circ}C)$에서 열처리 시킨 후의 회절효율 변화를 알아보았다. $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ (300nm) 박막의 경우 $190^{\circ}C$ : 50%, $240^{\circ}C$ : 약80%, $270^{\circ}C$ : 약 98%의 회절효율 감소가 일어났으며 $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$(300nm)/Ag(20nm)박막에서는 Tg 온도 이하 즉 $190^{\circ}C$, $240^{\circ}C$ 에서는 회절효율의 변화가 없었으나 Tg온도 이상인 $270^{\circ}C$에서는 약 1.5배 증가한 회절효율을 나타내었다.
일반적인 LCD의 색 재현 특성은 입력 디지털 값이 낮을수록 gray scale의 상관색온도가 상승하여 정확한 색 재현이 불가능하다. 본 논문에서는 LCD의 입력 디지털 값의 변화에 따른 특성을 조사하고, luminance, contrast 비 등의 특성에 열화없이 gray scale의 입력 잘 변화에 따른 상관색온도의 변화를 보정하기 위해서 입력 디지털 값을 조정하는 새로운 LUT를 제안하였다.
Zn 산화물을 산과 공기 그리고 헬륨 각각의 분위기에서 열처리 한 후 그 각각에 대한 열광성을 $83^{\circ}~300^{\circ}K$의 온도 범위에서 연구하였다. Zn 산화물의 열광성은 90$0^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 산소의 부분압에 의존하며 그 최대강도는 1/T에 비례하였다. 이 성질을 유발한다고 믿어지고 있는 비화학양론적인 결함으 주 요인은 2개의 전자를 trap 하는 산호 이온의 vacancy라고 믿어지고 있다. Trap된 전자의 활성화에너지는 0.13ev였다.
본 연구에서는 유기절연재료의 재방사선 재료개발을 위한다는 측면에서 두께 15[.mu.m]의 이축 연신 폴리프로필렌 필름을 시료로 선정하여 Co$^{60}$-.gamma.으로 조사시켜 온도 25-55[.deg.C], 전계 10-250[MV/m]사이에서 방사선 조사량 변화에 따른 전기전도현상을 연구하였다. 조사된 시료의 전기전도는 온도에 크게 의존하여 전계의 증가와 더불어 각기 다른 전도기구 특성을 갖는 4개의 영역으로 구분되었는데 각 영역별로 조사선량 변화에 따른 하전입자들의 거동상황을 규명하고 기초적인 제 물성정수를 결정하였다.
두께 30[.mu.m]의 코로나 대전된 포리비닐후로라이드 박막에 전압 -3~-6[kV]를 인가한 후, 온도범위 -100~200[.deg.C]에서 열자격 전류를 측정하였다. 결과로 .betha., .alpha. 그리고 .delta. 피크가 온도 -40, 40 그리고 90[.deg.C] 부근에서 각각 나타났다. 이들 피크의 기원으로 첫째 .betha. 피크는 카보닐기의 기여로 둘째로 .alpha. 피크는 주쇄와 비정질 영역의 측쇄에 트랩된 캐리어의 탈트랩의 기여로 나타났고 끝으로 .delta. 피크는 비정질 영역 또는 비정질과 결정질 영역 사이의 경계에 트랩된 캐리어의 탈트랩에 기여로 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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