• The Korean Journal of Zoology
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• v.33 no.3
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• pp.354-364
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• 1990

The ultrastructure and silk formational process of the flagelliform glands, one of the capture thread producing organs in the orb web spider (Nephila clavata L. Koch), have been studied with electron microscope. A pair of flagelliform glands consist of three distinct regions: excretory duct, storage sac and convoluted tail. This gland is connected to the large spinning tube (spigot) of the posterior spinnerets with two pairs of aggregate glands, and showed a characteristic spigot structure called "triad". The excretory duct consists of three long segments surrounded by the same sheath of connective tissue. The distal duct near the spinning tube bears the electron lucent subcuticles which have the functions of water removal and orientation of the silk fiber, whereas the proximal duct near the sac contains the cuticule precursor transported through the intercellular space. Cytoplasms of the sac and tail regions have well developed rough endoplasmic reticulum and contain the round secretory granules commonly, but the electron densities and internal textures of the granules do not coincided. Adjacent epithelial cells are connected with the specialized septate junctions, and secretory granules accumulated at the apical pole are released to the lumen by the apocrine secretion.secretion.

• The Korean Journal of Zoology
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• v.32 no.3
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• pp.211-220
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• 1989

The fine structure of the aggregate glands-one of the capture thread producing organs-in the orb web spider, Nephila clavata L.Koch, is studied with light and electron microscopes. Gluey capture threads or sticky spirals of the orb web are originated from the silks of two flagelliform glands and four aggregate glands which are connected to the posterior spinnerets, and the arrangement fo their spigots(large spinning tubes) shows a charaterstic form called "triad". The aggregate galnd is composed of large and multilobed secretory portion and thick excretory duct surrounded by large irregular nodules. The excretory duct of the aggregate galnds basically consists of three superposed types of cells which are inner columnar epithelium, nodule-forming cells and outer connestives. The cuticles of the proximal duct near the secretory portion are composed of endocuticle and exocuticle, whereas ghe distal duct near the spinning tubes has a electron lucent subcuticle which had the functions of water removal and orientation of silk fibers. In the cytoplasmic process of the large and irregular nodule-forming cells surrounded by invaginations of the plasma membranes, numerous mitochondria and glycogen particles are contained. The maturational level of the nodule cells is perceived from the appearence of these cell inclusions. The secretory portion of the glands which porduce the secretory silk material shows two layers of the cells which are simple cuboidal epithelium and several connective layers. In the cytoplasm of the glandular epithelial cell, rough endoplasmic reticulums are well developed, and two types of secretory granules are observed. Between the adjacent epithelial cells, specialized septate junctions are formed along the plasma membranes.membranes.

• Applied Microscopy
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• v.40 no.2
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• pp.109-116
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• 2010

Morphology and microstructure of the suction trap in aquatic Utricularia japonica were examined using scanning electron microscopy. Branched stems bear numerous suction traps without root formation. The traps are derived axillary from the node, and their antennae and appendages extend in a peculiar fashion. The trap walls are thin, two-celled, parenchyma tissue and simple, small glands are scattered in both internal and external surface of the trap. The entrance of the trap is surrounded by one pair of dorsal antennae and ventral appendages, where the former guides the prey to the entrance. Trap door is situated below the entrance and numerous sessile and stalked capitate trichomes cover the entrance and even on the door surface. The capitate trichomes are secretory, but four trigger hairs formed on the central areas of the door are not. They are believed to function in activating and tripping the trap door. A specialized region of the threshold come in contact with the lower portion of the door upon closing. The secretory capitate trichomes near this region are responsible for producing and secreting a mucilage-like substance which composes the velum. Two-armed bifid glands are located in the interior side of the threshold, while four-armed quadrifid glands are considerably numerous occurring over the entire inner trap wall. Bifid and quadrifid glands develop semi-spherical basal cells that connect them to the inner wall surface. Antennae, trigger hairs, capitate trichomes, bifid and quadrifid glands are more important structures in the carnivory of U. japonica.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.75-75
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• 2009

반도체 및 전자기기 산업에 있어 비활성메모리 (NVM)는 중요한 부운을 차지한다. NVM은 디스플레이 분야에 많은 기여를 하고 있으며, 특히 AMOLED에 적용이 가능하여 온도에 따라 변하는 구동 전류, 휘도, color balance에 따른 문제를 해결하는데 큰 역할을 한다. 본 연구는 NNN 구조에서 터널 층을 $SiN_X$ 박막에서 $SiO_XN_Y$ 박막으로 대체하기위한 $SiO_XN_Y$ 박막을 이용한 NNO구조의 NVM에 관한 연구이다. 이로 인하여 보다 얇으면서 우수한 절연 특성을 가지는 박막을 사용함으로써 실리콘 층으로부터 전하의 터널링 효과를 높여 전하 저장 정도를 높이고, 메모리 retention 특성을 향상시키는 터널 박막을 성장 시킬 수 있다. 최적의 NNO 구조의 메모리 소자를 제작하기 위하여 MIS 상태로 다양한 조건의 실험을 진행하였다. 처음으로 블로킹 박막의 두께를 조절하는 실험을 진행하여 최적 두께의 블로킹 박막을 찾았으며, 다음으로 전하 저장 박막의 band gap을 조절하여 최적의 band gap을 갖는 $SiN_X$ 박막을 찾았다. 마지막으로 최적두께의 $SiO_XN_Y$박막을 찾는 실험을 진행하였다. MIS 상태에서의 최적의 NNO 구조를 이용하여 유리 기판 상에 NNO 구조의 NVM 소자를 제작하였다. 제작된 메모리 소자는 문턱전압이 -1.48 V로 낮은 구동전압을 보였으며, I-V의 slope 값 역시 약 0.3 V/decade로 낮은 값을 보인다. 전류 점멸비($I_{ON}/I_{OFF}$)는 약 $5\times10^6$로 무수하였다. $SiN_X$의 band gap을 다양하게 조절하여 band gap 차이에 의한 밴드 저장 방식을 사용하였다. 또한 $SiN_X$은 전하를 전하 포획(trap) 방식으로 저장하기 때문에 본 연구에서의 메모리 소자는 밴드 저장 방식과 전하 포획 방식을 동시에 사용하여 우수한 메모리 특성을 갖게 될 것으로 기대된다. 우수한 비휘발성 메모리 소자를 제작하기 위해 메모리 특성에 많은 영향을 주는 터널 박막과 전하 저장 층을 다양화하여 소자를 제작하였다. 터널 박막은 터널링이 일어나기 쉽도록 최대한 얇으며, 전하 저장 층으로부터 기판으로 전하가 쉽게 빠져나오지 못하도록 절연 특성이 우수한 박막을 사용하였다. 전하 저장 층은 band gap이 작으며 trap 공간이 많은 박막을 사용하였다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• v.18 no.1
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• pp.63-70
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• 1993

Double ionization of the K- shell accompanying K- shell electron capture of the 0.035 MeV transition of $^{125}I$ has been studied by counting coincidences between $K_{\alpha}$ hypersatellite X-rays and Ka satellite X-rays emitted when double vacancies are filled. The $^{125}I\;and\;^{125}Te^m$ source materials were used in the measurement. We obtained the coincidence spectrum using two NaI(T1) detectors and a Ge(Li) detector and TAC(Time-to-Amplitude Converter), and then analysed the measured coincidence number $N(K_{\alpha}^{II},\;K_{\alpha}^s)$, the total number $N(K_{\alpha})$ of K X-ray. The probability per K-shell electron capture that a double vacancy is formed, $P_{KK}$ is formed, $P_{KK}$ is found to be $2.15{\times}10^{-4}$.

• Nuclear Engineering and Technology
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• v.25 no.1
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• pp.71-79
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• 1993

Positron annihilation characteristics and microhardness of 25% cold worked and isochronally annealed hafnium specimens were measured to study recovery and recrystallization stages of hafnium specimens. The annihilation lifetime of positrons in hafnium has been measured for the distinct cases of annihilation in the annealed lattice and annihilation after trapping at lattice defects generated by cold deformation at room temperature. The annihilation lifetime in the annealed lattice was 187 $\pm$3.7 psec, whereas it was 217 $\pm$ 4.2 psec for positrons trapped at deformation-induced defects (mostly dislocations). The changes in Doppler broadening and hardness showed similar trend in the recrystallization range, however, the measured value of Doppler broadening variation were quite sensitive to changes in the recovery region in which the variation in hardness value was completely insensitive. Recovery of cold worked hafnium initiated at about 623 K and recrystallization occurred at around 1023 K.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.06a
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• pp.90-90
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• 2009

박막 태양전지의 단락전류를 증가시키기 위해서는 투명전도 산화막의 표면 식각을 통한 광포획 특성 극대화가 중요하며, 일반적으로 스퍼터링법으로 제작된 투명전도 산화막의 표면 식각은 HCl solution을 이용한다. 본 연구는 투면전도 산화막 증착시 seed로 작용할 수 있는 colloidal 형태의 nanoparticle을 유리기판에 형성한 뒤 rf-magnetron sputtering 법을 이용하여 ZnO:Al(AZO) 투명전도 산화막을 증착하여 광학 전기적 특성 변화를 분석하였다. Nanoparticle을 사용하여 제조된 AZO 박막은 nanoparticle의 확산에 의한 전자농도의 향상이 보였으나, 이동도의 감소로 인해 전기적 특성에 큰 변화는 없었다. 반면 AZO 박막의 표면형상이 nanoparticle로 인해 변하여 박막의 광 포획을 위한 안개도가 향상됨을 확인 할 수 있었으며, 이로 인해 표면 형상 제어를 통한 박막 태양전지 적용을 위한 투명전도 산화막을 제작할 수 있었다.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.14 no.1
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• pp.52-57
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• 2001

옥천대의 탄질 흑색 점파암에 최대 1000 ppm까지 부화되어 있는 몰리브덴의 광물학적 존재형태를 밝히기 위하여 충청북도 괴산군 덕평지역 흑색점판암에 대하여 박편제작, X선회절분석, 중성자활성화학분석, 주사전자현미경관찰, 에너지분산 X선분석, 파장분산 X선분석 등을 실시하였다. 그결과 몰리브덴은 두께 $1~2\mu$m 정도의 극미립 엽상 휘수연석($MoS_2$)으로 존재함이 판명되었다. 휘수연석은 흔히나이트의 포획물로 산출된다. 탄질흑색 점판암에 우라늄 및 바다듐과 함께 다량의 몰리브덴이 함유되어 있음에도 과거의 연구에서 그 존재형태가 규명되지 않은원인은, 극미립 휘수연석이 불투명한 세립 탄질기질에 분산 분포하기 때문이다.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.13 no.1
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• pp.15-21
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• 2000

이 연구에서는 대동층군 탄질 점판암내에 산출하는 탄질물의 미세구조를 고분해능 투과전자현미경(HRTEM)을 이용하여 조사하였다. 관찰된 탄질물은 구조가 부분적으로 흑연화된 흑연화과정의 초기단계 물질로서$ 100\AA$ 이하의 매우 얇은 크기로 일라이트 결정들의 경계면 사이나 일라이트 결정내에 협재되어 나타난다. 탄질물의 층상구조는 휘어있거나 불연속적이며, 부분적으로 원형조직을 보이는 "지문" 조직을 이루고 있다. 이러한 특징은 많은 결함구조를 가지고 구조적으로 충분히 흑연화되지 않은 물질에서 볼 수 있는 전형적인 구조다. 미세한 규모로 협재된 조직을 보이는 탄질물은 퇴적물의 속성작용과 저변성작용시 일라이트가 성장하는 동안에 포획되었거나, 또는 일라이트 이전의 점토광물내에 흡착되었던 물질들로부터 유래된 것으로 보인다. 이처럼 탄질물과 일라이트가 미세한 규모로 협재되어 산출하는 특징은 저변성암에서 일어나는 흑연화작용시 복잡한 미세구조의 변화가 수반되었음을 지시한다. 다양한 미세구조를 보여주는 흑연질 물질의 산출은 탄질물이 고온에서 균질한 흑연으로 생성되기까지 불연속적인 단계를 거쳐 반응할 가능성을 지시한다. 끝으로, 이 연구는 이온 빔을 이용하여 제작한 시료를 관찰함으로써 암석내에 함유된 탄질물들의 조직을 훼손하지 않고 관찰할 수 있음을 보여준다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.415-416
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• 2009

The tunnel barrier engineered charge trap flash (TBE-CTF) non-volatile memory using CRESTED tunneling barrier was fabricated by stacking thin $Si_3N_4$ and $SiO_2$ dielectric layers. Moreover, high-k based $HfO_2$ charge trap layer and $Al_2O_3$ blocking layer were used for further improvement of the NVM (non-volatile memory) performances. The programming/erasing speed, endurance and data retention of TBE-CTF memory was evaluated.