• Polymer(Korea)
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• v.36 no.4
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• pp.519-524
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• 2012

Capacitance measurements of the polymer light-emitting diodes (PLEDs) with conjugated polyelectrolyte (CPE) electron transporting layers (ETLs) provide important information of device physics for understanding the function of CPEs as ETLs, together with current density-voltage-luminescence measurements. We investigated the counterion-dependent capacitance behaviors that present a highly negative or positive capacitance at the low frequency, and suggested different carrier injection mechanisms. Capacitance model study reveals that the electron injection mechanism can be described either by the dipole alignment scheme or by electronic charge carrier accumulation at the cathode/ETL/emission layer interfaces.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.482.2-482.2
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• 2014

최근 고효율 실리콘 태양전지 제작을 위해 다양한 연구가 진행되고 있다. 이온주입법을 이용한 PN 접합 형성은 기존의 확산법에 비해 표면과 실리콘 기판 내부에서 도펀트 조절이 용이하다는 장점에 의해 주목 받고 있다. 하지만, 이온주입법으로 도펀트를 주입할 경우, 도펀트와 기판의 충격으로 비정질 상과 결정 결함이 형성된다. 결정 결함은 생성된 전자와 정공의 재결합 준위로 작용하기 때문에 적절한 이온주입 조건과 후 열처리를 통해 높은 특성을 갖는 PN접합층을 형성하여야 한다. 본 실험에서는 보론 도핑된 p형 실리콘 기판에 인을 주입하였다. 인 이온 주입 시 가속전압과 열처리 조건을 달리하여 전기적 특성을 관찰하였으며, 태양전지 에미터층으로의 적용 가능성을 조사해 보았다.

• KIPE Magazine
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• v.6 no.1
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• pp.30-36
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• 2001

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.11
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• pp.25-35
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• 2000

A simple two-terminal cyclic current0voltage(I-V) technique was used to measure the current-transients in metal-oxide-semiconductor capacitors. Distinct charging/discharging currents were measured and analyzed as a function of the hold time, the delay time, the gate polarity during the FNT electron injection, the injection fluence and the annealing time after the injection had stopped. The charge-exchange current was distinguished from total current-transients containing the displacement current components. Charging/discharging current caused by the charge exchange was strongly dependent not only on the density of positive charges in the $SiO_2$, but also on the density of interface traps generated during the FNT electron injection. Several tentative mechanisms were suggested.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.47 no.4
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• pp.13-19
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• 2010

MOSFET with deuterium-incorporated gate oxide shows enhanced reliability compared to conventional MOSFET. We present an alternative process whereby deuterium is delivered to the location where the gate oxide reside by an implantation process. Deuterium ions were implanted using two different energies to account for the topography of the overlaying layers and placing the D peak at the top of gate oxide. A short anneal at forming gas was performed to remove the D-implantation damage. We have observed that deuterium ion implantation into the gate oxide region can successfully remove the interface states and the bulk defects. But the energy and the dose of the deuterium implant need to be optimized to maintain the Si substrates dopant activation, while generating deuterium bonds inside gate oxide. CV and IV characteristics studies also determined that the deuterium implant dose not degrade the transistor performance.

• ETRI Journal
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• v.10 no.4
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• pp.140-145
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• 1988

엘립소메츠리를 이용하여 $B^+$ 및 $As^+$ 이온이 주입된 실리콘층의 굴절률과 소멸계수를 도우즈 및 열처리 조건의 함수로 조사하였다. $B^+$ 이온주입된 실리콘의 경우 n은 $10^13$ 도우즈 이상에서 증가하고, k는 도우즈 증가에 따라 단조 증가를 나타내었다. RTA 열처리가 furnace 열처리 보다 결정성 회복이 우수하였으며, 등온 열처리 시 약 30분이상에서 거의 완전하게 재결정됨을 볼 수 있었다. $As^+$ 이온주입의 경우 $10^15$이상에서 복소굴절률의 변화를 나타내었으며, 열처리에 대해 k가 n보다 민감하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2016.07a
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• pp.119-120
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• 2016

회전자 자속기준 벡터제어(FOC)의 센서리스의 기법은 다양하지만, 크게 역기전력을 이용하는 방식과 인덕턴스를 기반으로 하는 방식으로 나눌 수 있다. 역기전력을 기반으로 하는 기법은 중속이상의 영역에서는 뛰어난 성능을 보이지만, 저속영역에서 역기전력이 작기 때문에 저속에서 불리함이 있다. 반면, 인덕턴스를 기반으로 하는 기법 중 캐리어 신호를 주입하는 기법은 전동기의 자기적 돌극성(Magnetic saliency)을 이용하므로 저속에서도 사용가능하지만, 고속에서는 전압제한으로 인하여 전압주입에 불리함이 있으며, 고주파잡음의 문제가 있다. 따라서 본 논문은 저속영역에서 사각파 형태의 고주파 주입 센서리스기법을 사용하고, 중속이상의 영역에서 역기전력 센서리스기법으로 절환(Crossover)하는 방식을 제안한다. 기존의 속도추정 기법과 제안하는 기법을 시뮬레이션을 통해 비교한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2009.11a
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• pp.102-104
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• 2009

매입형 영구자석 동기 전동기는 높은 효율과 빠른 동특성, 넓은 정출력 운전 영역 등의 장점 때문에 다양한 산업 분야에서 각광을 받고 있다. 특히 최대 효율 운전을 위해서 매입형 영구자석 동기기의 단위전류당 최대 토크(Maximum Torque Per Ampere, MTPA) 운전 방법에 대한 많은 연구들이 수행되어져 왔다. 이론적인 MTPA 운전점은 전동기의 제 정수에 의해 결정되는데, 매입형 영구자석 동기 전동기는 온도와 운전 영역에 따라 전동기제 정수의 변화가 극심하여 정확한 MTPA 운전을 하기 위해서는 전동기의 전 운전 영역에 대한 전동기 제정수를 미리 알고 있어야 한다. 실시간으로 전동기 제 정수를 추정하여 MTPA 운전점을 알아내는 방법도 제안되었으나 대부분 복잡한 비선형 방법이 적용되고 있다. 본 논문에서는 신호 주입 개념을 도입한 새로운 MTPA 운전 방법을 제안한다. 전류에 높은 주파수의 신호를 주입하여 그 주입된 신호에 의한 반응을 확인함으로 MTPA 운전점을 판별하게 된다. 이 방법은 전동기 제 정수 변동에 강인하며, 간단한 신호처리 과정만으로 MTPA 운전을 할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.11a
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• pp.99-100
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• 2006

$BF_2$ molecule 이온주입은 ULSI기술에 있어서 ultra shallow 정합형성을 위해고 P-MOS를 제작하는데 매우 유용한 기술이다. 주입된 boron 이온의 분포를 위해서 $0.05{\mu}m$ 나노스케일의 마스크사이즈의 패턴에 이온 주입한 결과를 일차원적인 분포해석을 위해서 UT-Marlowe tool을 사용하여 gauss 및 pearson 모델의 도핑분포를 나타내었다. 또한 이 데이터를 TSUPREM4에 적용하여 이차원적인 도핑분포와 열처리 후에 boron의 gauss 및 pearson의 모델의 도핑분포를 본 논문에 나타내었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.11a
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• pp.231-232
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• 2012

본 논문에서는 회전자 인버터 내장형 동기 전동기에 고주파 신호 주입 센서리스 알고리즘을 적용하는 방법을 제안한다. 고주파 신호주입 센서리스는 자기적인 돌극성을 활용하여 자속축을 찾기 때문에, 자기적인 돌극성이 뚜렷하지 않은 회전자 인버터 내장형 동기 전동기에서는 이를 적용할 수 없는 문제가 존재 한다. 이를 해결하기 위해 회전자 인버터를 이용하여 가상의 돌극성을 생성하고, 이 가상의 돌극성을 이용한 고주파 신호주입 센서리스 알고리즘을 제안한다. 제안된 방법은 실험을 통하여 검증되었으며, 추가적인 손실이나 하드웨어 없이 센서리스 운전이 가능함을 확인하였다.