• 전자통신동향분석
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• 제7권2호
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• pp.63-78
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• 1992

이동통신 및 위성방송등 마이크로웨이브를 이용하는 통신시스팀의 보급이 활발하게 진척됨에 따라 마이크로웨이브 대역에서 동작하는 부품의 산업적 중요성이 부각되고 있다. 여러가지 고주파통신용 부품들 중에서 유전체공진기를 이용한 RF 및 마이크로웨이브 필터와 진동자는 이들 부품의 소형화에 크게 기여하고 있다. 본 분석에서는 유전체 공진기의 소재로 이용되는 마이크로웨이브 세라믹스 및 그 응용부품의 발전과정을 간단히 살펴보았다. 또한 마이크로웨이브 유전체 소재에 대한 특성변수의 중요성을 검토하고, 세라믹 소재기술에 대하여 살펴본 다음 향후 고주파필터 부품개발과 관련한 마이크로웨이브 세라믹스 개발방향을 제시하였다.

• 한국재료학회지
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• 제29권7호
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• pp.456-462
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• 2019

ZnO thin-films are grown on a p-Si(111) substrate by RF sputtering. The effects of growth temperature and $O_2$ mixture ratio on the ZnO films are investigated by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and room-temperature photoluminescence (PL) measurements. All the grown ZnO thin films show a strong preferred orientation along the c-axis, with an intense ultraviolet emission centered at 377 nm. However, when $O_2$ is mixed with the sputtering gas, the half width at half maximum (FWHM) of the XRD peak increases and the deep-level defect-related emission PL band becomes pronounced. In addition, an n-ZnO/p-Si heterojunction diode is fabricated by photolithographic processes and characterized using its current-voltage (I-V) characteristic curve and photoresponsivity. The fabricated n-ZnO/p-Si heterojunction diode exhibits typical rectifying I-V characteristics, with turn-on voltage of about 1.1 V and ideality factor of 1.7. The ratio of current density at ${\pm}3V$ of the reverse and forward bias voltage is about $5.8{\times}10^3$, which demonstrates the switching performance of the fabricated diode. The photoresponse of the diode under illumination of chopped with 40 Hz white light source shows fast response time and recovery time of 0.5 msec and 0.4 msec, respectively.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제24권9호
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• pp.25-34
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• 2011

• 전자공학회지
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• 제29권11호
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• pp.1369-1377
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• 2002

항공기 운용기술이 점차 항공전자 부품에 의존하는 수준이 높아지고 있으며 항공전자부품은 저전력 소모의 기술로 변천하여 외부의 전자장 환경에 취약성이 증대되고 있다. 또한 항공기 기체구조를 형성하는 부분도 일정부분 알루미늄에서 복합소재로 대체됨에 따라 외부 전자장 환경에 취약성 요인이 되고 있다. 따라서 고강도 전자장 환경에서 항공기의 지속적인 안전 비행과 착륙에 대한 대책이 요구되고 있다. 이러한 기술의 변모에 따라 고강도 전자장 환경에 대비한 감항기준이 제정되고 있으며 이에 따른 감항인증 절차도 제정이 되고 있다. 개발 항공기는 항공기의 제작 수준에 맞는 인증 절차를 밟아야 하며 이러한 인증의 수행은 항공기 개발 경험과 신기술에 맞는 인증절차의 개발이 병행되어야 한다.

• 센서학회지
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• 제28권2호
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• pp.113-116
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• 2019

A three-dimensional porous structure was fabricated by pattern transfer printing for applications of electrodes in gas sensors. To form replica patterns, solutions were mixed with acetone, toluene, heptane, and poly(methyl methacrylate). These replica patterns can also be formed on substrates such as polyimide, polydimethylsiloxane, and silicon. The wide range of line widths from 1 to $5{\mu}m$ was derived from the surface grating patterns of master substrates. The cross-bar pattern with 40 layers showed a thickness of 600 nm. The area of platinum transferred patterns with different line widths was enhanced to $20{\times}25mm$, which is applicable to various electrode patterns of gas sensors.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제20권4호
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• pp.26-38
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• 2007

• 제품안전
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• 통권209호
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• pp.52-57
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• 2011

일본 동북지방에서 발생한 대지진으로 일본경제뿐 아니라 세계경제 및 국제금융시장에서의 불확실성이 높아지고 있다. 부품소재 강국인 일본 주력산업에 피해가 발생하면서 글로벌 분업 네트워크에 대한 충격이 우려되는 상황이다. 각종 전자부품, 첨단소재 산업의 겨우 고급차질이 장기화되면 부정적 영향이 확대될 것으로 보이며, 석유화학제품은 수급불안과 가격 상승이 불가피할 것으로 판단된다.

• 제품안전
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• 통권210호
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• pp.46-51
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• 2011

일본 동북지방에 발생한 대지진으로 일본경제뿐아니라 세계경제 및 국제금융시장에서의 불확실성이 높아지고 있다. 부품 소재 강국인 일본 주력산업에 피해가 발생하면서 글로벌 분업 네트워크에 대한 충격이 우려되는 상황이다. 각종 전자부품, 첨단소재 산업의 경우 공급차질이 장기화되면 부정적 경향이 확대될 것으로 보이며, 석유화학 제품은 수급불안과 가격 상승이 불가피할 것으로 판단된다.

• 센서학회지
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• 제28권1호
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• pp.41-46
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• 2019

In order to develop novel thermal imaging materials for microbolometer applications, $[(Ni_{0.3}Mn_{0.7})_{1-x}Cu_x]_3O_4$ ($0.18{\leq}x{\leq}0.26$) thin films were fabricated using metal-organic decomposition. Effects of Cu content on the electrical properties of the annealed films were investigated. Spinel thin films with a thickness of approximately 100 nm were obtained from the $[(Ni_{0.3}Mn_{0.7})_{1-x}Cu_x]_3O_4$ films annealed at $380^{\circ}C$ for five hours. The resistivity (${\rho}$) of the annealed films was analyzed with respect to the small polaron hopping model. Based on the $Mn^{3+}/Mn^{4+}$ ratio values obtained through x-ray photoelectron spectroscopy analysis, the hopping mechanism between $Mn^{3+}$ and $Mn^{4+}$ cations discussed in the proposed study. The effects of $Cu^+$ and $Cu^{2+}$ cations on the hopping mechanism is also discussed. Obtained results indicate that $[(Ni_{0.3}Mn_{0.7})_{1-x}Cu_x]_3O_4$ thin films with low temperature annealing and superior electrical properties (${\rho}{\leq}54.83{\Omega}{\cdot}cm$, temperature coefficient of resistance > -2.62%/K) can be effectively employed in applications involving complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) integrated microbolometer devices.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제26권12호
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• pp.8-14
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• 2013