• 센서학회지
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• 제1권2호
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• pp.165-172
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• 1992

3가와 5가 이온의 첨가가 전기전도도 및 감응도에 어떤 영향을 미치는가를 확인하기 위하여, In와 Sb를 Tin Oxide에 공침법으로 첨가하였다. Sb는 5가 이온으로 cassiterite 구조에 들어가서 열에너지에 의하여 이들 이온을 여기시켜 전도대로 밀어올리리라고 여겨진다. In 이온은 결정격자 속에 $In^{3+}$로 들어가서 원자가대로 부터 전자를 받게 되고 그러므로써 1가나 2가가 되리라 생각한다. 그러나, 이러한 현상들이 $SnO_{2}$에 존재하는 전위장벽을 2종의 이온첨가에 의하여 일어나는 resistivity에 끼치는 영향과 비교해 볼 때 감응도에는 어떤 영향을 보이는지 고찰하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.196-197
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• 2010

NAND형 charge trap flash (CTF) non-volatile memory (NVM) 소자가 30nm node 이하로 고집적화 되면서, 기존의 SONOS형 CTF NVM의 tunnel barrier로 쓰이는 SiO2는 direct tunneling과 stress induced leakage current (SILC)등의 효과로 인해 data retention의 감소 등 물리적인 한계에 이르렀다. 이에 따라 개선된 retention과 빠른 쓰기/지우기 속도를 만족시키기 위해서 tunnel barrier engineering (TBE)가 제안되었다. TBE NVM은 tunnel layer의 전위장벽을 엔지니어드함으로써 낮은 전압에서 전계의 민감도를 향상 시켜 동일한 두께의 단일 SiO2 터널베리어 보다 빠른 쓰기/지우기 속도를 확보할 수 있다. 또한 최근에 각광받는 high-k 물질을 TBE NVM에 적용시키는 연구가 활발히 진행 중이다. 본 연구에서는 Si3N4와 HfAlO (HfO2 : Al2O3 = 1:3)을 적층시켜 staggered의 새로운 구조의 tunnel barrier Capacitor를 제작하여 전기적 특성을 후속 열처리 온도와 방법에 따라 평가하였다. 실험은 n-type Si (100) wafer를 RCA 클리닝 실시한 후 Low pressure chemical vapor deposition (LPCVD)를 이용하여 Si3N4 3 nm 증착 후, Atomic layer deposition (ALD)를 이용하여 HfAlO를 3 nm 증착하였다. 게이트 전극은 e-beam evaporation을 이용하여 Al를 150 nm 증착하였다. 후속 열처리는 수소가 2% 함유된 질소 분위기에서 $300^{\circ}C$와 $450^{\circ}C$에서 Forming gas annealing (FGA) 실시하였고 질소 분위기에서 $600^{\circ}C{\sim}1000^{\circ}C$까지 Rapid thermal annealing (RTA)을 각각 실시하였다. 전기적 특성 분석은 후속 열처리 공정의 온도와 열처리 방법에 따라 Current-voltage와 Capacitance-voltage 특성을 조사하였다.

• 한국진공학회지
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• 제19권5호
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• pp.391-396
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• 2010

실리콘 태양전지의 pn 접합 계면특성을 조사하기 위해서 p형 실리콘 기판 위에 전기로를 이용한 $POCl_3$ 공정을 통하여 n형의 불순물을 주입하여 pn 접합을 만들었다. n형 불순물의 확산되어 들어가는 공정시간이 길고 공정온도가 높을수록 면저항은 줄어들었다. n형 불순물의 주입이 많아질수록 pn 접합 계면에서의 전자친화도가 줄어들면서 면저항은 감소되었다. 면저항이 줄어든 이유는 pn 접합계면에서 전자홀쌍이 생성되면서 이동길이가 길어지고 재결합률이 감소하였기 때문이다. n형의 불순물 확산공정시간이 긴 태양전지 셀에서 F.F. 계수가 높게 나타났으며, 효율도 높게 나타났다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2018년도 추계학술대회
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• pp.193-194
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• 2018

일반적인 실리콘 트랜지스터는 단방향성특성을 갖는다. 도핑 물질에 따라서 p형 혹은 n형 반도체 물질로 케리어가 달라지고 동작 영역도 달라지기 때문에 반도체 소자는 조건에 따라서 한쪽 방향으로만 동작한다. 이러한 특성은 문턱전압에 의해서 구분된다. 반도체소자인 트랜지스터의 안정성은 문턱전압의 의존도가 높아서 문턱전압이 너무 낮을 경우 한쪽방향으로 동작하는 단방향성 반도체소자를 만들기가 어려워진다. 트랜지스터의 안정성은 반도체센서의 감도에 직접적인 영향을 미치게 되며 현재까지 나와 있는 전자센서들의 감도를 높이기 위해서는 다양한 형태의 화합물의 감지를 전기신호로 변환할 때 얼마나 낮은 전기신호를 감지할 수 있는지에 따라서 달라지며 고감도 센서로써 전자소자의 안정성이 결정된다. 트랜지스터의 안정성을 높이기 위하여 ~ nA 수준의 전기신호에 대한 반응성을 조사 분석하여 고감도의 신호 반응을 나타내는 소재 물질의 양방향성 전달특성에 대하여 분석하고 조사하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.349-352
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• 1999

We have investigated the electrical characteristics of arachidic acid($C_{20}$), stearic acid(C_{18} and palmitic acid($C_{16}$) Langmuir-Blodgett(LB) films because the fatty acid systems have a same hydrophilic group and a different hydrophobic one (alkyl chain length). In this work, fatty acid systems were used as LB films and the status of the deposited films were confirmed by evaluating the capacitance and I-V characteristics. The conductivity of $C_{20}$, C_{18} and $C_{16}$ LB films obtained from I-V characteristics were about 5x $10^{15}$, 3x $10^{14}$ and 9x $10^{14}$[S/cm], espectively. These results have shown the insulating materials and could control the conductivity by changing the length of alkyl chain. Also, we have confirmed that the barrier height of fatty acid systems were about 1.32- 1.40[eV] and the relative dielectric constant were about 2.9~4.2. These values were almost the same ones obtained from dielectric characteristics.

• 약학회지
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• 제51권1호
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• pp.1-6
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• 2007

The aim of this study was to examine whether administration of glutamine are able to prevent the methotrexate induced gut barrier damage, bacterial translocation, and weight changes. The animals with glutamine were fed with L-glutamine (1.2 and 2.4 mg/kg/day) for 7 days before methotrexate administration (20 mg/kg orally). 48 hour after methotrexate administration, intestinal permeability were measured for an assessment of the gut barrier dysfunction. Also, enteric aerobic bacterial counts, number of gram-negatives in mesenteric lymph node (MLN), liver spleen, kidney and heart were measured for an assessment of the enteric bacterial number and bacterial translocation. Amounts of food intake, body weight changes and organ weight changes of liver spleen, kidney and heart were measured. Methotrexate administration caused body and liver weight loss regardless amounts of food intakes. Methotrexate induced increasing intestinal permeability, enteric bacterial undergrowth and bacterial translocation to MLN, liver and spleen, but not kidney and heart. The supplements with glutamine reduced the intestinal permeability bacterial translocation, and not influences enteric bacterial number, and body and liver weight changes. This study suggested that glutamine might effectively reduce methotrexate induced intestinal damage and bacterial translocation, but not influence body and organ weight loss.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권7호
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• pp.708-718
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• 1996

The microstructure and electrical properties of the nonlinear ZnO varistor with A1$_{2}$ $O_{3}$ additions is investigated. The variation of nonlinear behavior with A1$_{2}$ $O_{3}$ additions is indicated from J-E and C-V measurement to be a result of the change of the interface defects density $N_{t}$ at the grain boundaries and the donor concentration $N_{d}$ in the ZnO grains. The optimum composition which has the nonlinear coefficients of -57 was observed in the sample with 0.005wt% A1$_{2}$ $O_{3}$ additions. The conduction mechanism at the pre-breakdown region is consistent with a Schottky thermal emission process obeying a relation given by $J^{\var}$exp[-(.psi.-.betha. $E^{1}$2/)kT] and the conduction process at the breakdown region follows a Fowler-Nordheim tunneling mechanism of the form $J^{\var}$exp(-.gamma./E).

• 한국진공학회지
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• 제6권2호
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• pp.136-142
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• 1997

An/n-GaAs(100) Schottky 장벽 diode를 제작하여 변조전압($V_{ac}$) 및 dc 바이어스 전 압($V_{bias}$) 변화에 따른 electroreflectance(ER)를 측정하였다. 관측된 Franz-Keldysh oscillation(FKO) 피크로부터 이 시료의 내부 전기장($E_i$)은 $5.76\times 10^{4}$V/cm였다. $V_{ac}$를 변화시 킴에 따라 ER신호의 모양은 변화가 없고, 진폭만 선형적으로 증가하였다. 순방향 및 역방향 의 $V_{bias}$변화에 따라 ER신호의 진폭은 감소하였으며, $V_{bias}$가 -5.0~0.6V로 증가함에 따라 Ei 는 $19.3\times 10^4\sim4.39\times10^4$V/cm로 감소하였다. 그리고 $V_{bias}$변화에 대한 $E_i^2$의 그래프로부터 built-in 전압(Vbi)은 0.70V였으며, 이 값은 $V_{bias}$변화에 따른 FKO피크의 진폭 관계 그래프 에서 얻은 결과와 잘 일치하였다. 또한 이 시료의 캐리어 농도(N)와 전위장벽($\Phi$)은 300K에 서 각각 $2.4\times 10^{16}\textrm{cm}^{-3}$와 0.78eV의 값을 얻었다.

• 한국자기학회지
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• 제12권5호
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• pp.168-173
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• 2002

본 연구에서는 인체모델(humman body model; HBM)을 터널링 자기저항(tunneling magneto resistance; TMR)소자에 연결하여 정전기에 대한 방전특성을 연구하였다. 이를 위해 제조된 TMR 시편을 전기적 등가회로 바꿔 HBM에 연결하여 PSPICE를 이용해 시뮬레이션 하였다. 이러한 등가회로에서 접합부분의 모델링 요소들의 값을 변화시켜 방전특성을 관찰할 수 있었다. 그 결과 시편의 저항과 정전용량 성분의 값이 다른 요소들에 비해 수배에서 수백 배까지 커서 정전기 방전(electrostatic discharge; ESD) 민감도를 좌우하는 주요한 요소임을 알 수 있었다. 여기에서 ESD현상에 대한 내구성을 향상시키기 위해서는 정전용량을 증가시키는 것 보다 접합면과 도선의 저항값을 줄이는 것이 유리하다. 그리고 직류 전압에 대해 절연층의 전위 장벽이 낮아져 많은 전류가 흐르게 되는 항복(breakdown)전압과 셀의 물리적 구조 및 성질이 변형되어 회복되지 못하는 파괴(failure)전압을 측정하여 DC 상태에서의 내구성을 연구하였다. 이 결과를 HBM 전압에 대한 파괴 전압으로 간주하여 TMR 소자가 견딜 수 있는 HBM 전압을 예측할 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권3호
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• pp.9-19
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• 2002

본 논문에서는 thermionic emission 모델을 이용하여 SCH 양자우물 레이저 다이오드에 대한 L-I-V특성을 해석적으로 도출하였다. SCH의 bulk 캐리어와 양자우물 속박 캐리어의 관계를 도출하였고, 주입된 전류를 각 영역에서의 캐리어 재결합을 고려한 전류 연속 방정식을 만족하도록 하였다. 또한, high level injection과 전하 중성 조건하에 ambipolar 확산 방정식을 이용하여 캐리어 분포를 고찰하였다. 위 해석적인 모델을 이용하여 계산한 결과, 클래딩 영역의 전위장벽 변화가 전류 전압 특성 변화의 주요 원인으로 나타났다. 또한 thermionic emission에 의한 주입 전류의 forward flux 증가가 캐리어 주입을 증가시키고, 레이저 다이오드의 직렬 저항을 감소시키는 것을 보였다.