Kim, Ju-Youn;Park, Sang-Jin;Choi, Gi-Woon;Choi, Ho-Young
Restorative Dentistry and Endodontics
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v.25
no.3
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pp.407-420
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2000
삼차신경절의 뉴런이 구강악안면영역에서의 촉각, 입각, 온도각 및 통각 등 다양한 감각을 중추신경계로 전달하는 역할을 하는 것은 주지의 사실이다. 이러한 신경전달에 있어서 이온통로는 감각정보를 전달하는데 핵심적인 역할을 수행하며 특히 소디움 통로는 활동전위의 발생에 중요하다. 소디움 통로는 tetrodotoxin-sensitive(TTX-s) 및 tetrodotoxin-resistant(TTX-r) 통로로 나누어지는 데 이 중 TTX-r 통로에 발생되는 tetrodotoxin-resistant sodium current(TTX-r $I_{Na}$)는 capsaicin에 민감한 일차구심신경세포에서 유해자극에 의해 통각신호를 발생시키고 전달하는데 중요하다. 또한 칼슘 통로는 시냅스 전도에 있어서 필수적인 역할을 수행하고 있다 한편 치과영역에서 치수의 진정 목적으로 eugenol이 흔히 사용되고 있다. 그러나 eugenol의 그 작용 기전에 대해서 현재까지 이온 통로에 대한 상세한 결과가 없는 실정이며 최근의 보고에 의하면 eugenol이 capsaicin 수용기를 통하여 감각신경에 대한 억제작용을 나타낸다고 한다. 따라서 본 실험은 eugenol과 capsaicin이 흰쥐의 삼차신경절의 TTX-r $I_{Na}$와 칼슘통로에 어떠한 영향을 미치는지를 알아보고 eugenol이 capsaicin 수용기를 통하여 작용하는지를 검증하고자 시행되었다. 삼차신경절 뉴런은 100~150g의 흰쥐의 삼차신경절로부터 외과적으로 절제하여 통법의 화학적 및 기계적 처리를 통해 단일세포로 분리하였고 이를 whole-cell patch clamp 방법을 이용하여 시행한 바 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 1mM의 dugenol은 흰쥐 삼차신경절 뉴런의 TTX-r $I_{Na}$와 HVA $I_{Ca}$를 억제하였다. 2. $1{\mu}m$의 capsaicin은 흰쥐 삼차신경절 뉴런의 TTX-r $I_{Na}$와 HVA $I_{Ca}$를 억제하였다. 3. Capsazepine은 capsaicin의 HVA $I_{Ca}$에 대한 억제작용을 차단하였다. 4. Capsazepine은 capsaicin의 HVA $I_{Ca}$에 대한 억제작용을 차단하지 못하였다. 결론적으로 eugenol과 capsaicin은 tetrodotoxin-resistant sodium current(TTX-r $I_{Na}$)와 high voltage-activated calcium current(HVA $I_{Ca}$)를 모두 억제하는 것으로 나타났으며, 이러한 작용이 통각의 발생과 시냅스 전달과정을 차단하여 치수 진정 목적으로 많이 사용하는 eugenol의 작용기전으로 판단된다. 한편 capsaicin의 길항제인 capsazepine을 전처치하였을 때에도 eugenol의 HVA $I_{Ca}$에 대한 억제효과는 변화가 없었다. 이와같은 결과로 보아 HVA $I_{Ca}$에 관한 한 eugenol은 capsaicin 수용기를 통하여 나타나지 않는 것으로 사료된다.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.52
no.5
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pp.74-82
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2015
As the complexity of an electronic device and the reduction of its operating voltage is progressing, susceptibility test of the chip and module for internal or external noises is essential. Although the immunity compliance of the chip was served with IEC 62132-4 Direct Power Injection method as an industry standard, in fact, EM immunity of the chip is influenced by their Power Domain Network (PDN). This paper evaluates the EM noise tolerance of a PLL and compares their noise transfer characteristics to the PLL on various PCB boards. To make differences of the PDNs of PCBs, various PCBs with or without LDO and with several types of capacitors are tested. For evaluation of discrepancies between EM characteristics of an IC only and the IC on real boards, the analysis of the noise transfer characteristics according to the PDNs shows that it gives important information for the design having robust EM characteristics. DPI measurement results show that greatly improved immunity of the PLL in the low-frequency region according to using the LDO and a frequency change of the PLL according to the DPI could also check with TEM cell measurement spectrum.
We investigated the possibility of introducing functional groups without damaging surface polymeric chains through the treatment of a polypropylene(PP) film immersed in liquid phase using an atmospheric pressure plasma with large area. The ionic liquid of 1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate: $[BMIM]^{+}[BF_{4}]^{-}$- was successfully applied for generating stable plasmas in the plasma-solution system. We successfully treated the film surface using the plasma-solution system and confirmed various oxygen-containing functional groups formed on the surface of PP film. The surface free energy of PP film was increased with increasing plasma treatment time and power. It also showed a maximum value at the PP sample treated in the ionic liquid solution of 1.5 M. ATR-FTIR analyses revealed the increase of various carbonyl groups(1,726 $cm^{-1}$, 1,643 $cm^{-1}$) and OH groups$(3,100{\sim}3,500\;cm^{-1})$ after plasma treatment of PP film, and XPS also supported the ATR-FTIR result.
Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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2009.05a
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pp.88-92
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2009
Total pressure recovery ratio in intake is crucial factor to the operational characteristics of supersonic propulsion system because it does not compress inlet air mechanically by compressor, but does compress inlet air by ram compression. As the result of that the dynamic characteristic analysis of engine was performed before the controller was designed, it could be ascertained when the AoA of flight vehicle increases, the buzz margin decreases so that the shock wave produced outside intake in the specified area according to flight operation's characteristics. Therefore the PID control algorithm was designed to be controlled buzz margin that the characteristic of shock wave could meet the requirement of performance in intake. The PID controller was designed that the buzz margin value is being positive number using the control variables; fuel flow and nozzle throat area.
Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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v.9
no.1
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pp.54-61
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2008
This paper presents a new TIQ based CMOS flash 6-bit ADC to process digital signal in real time. In order to improve the conversion speed of ADC by designing new logic or layout of ADC circuits, a new design method is proposed in encoding logic circuits. The proposed encoding circuits convert analog input into digitally encoded double base number system(DBNS), which uses two bases unlike the normal binary representation scheme. The DBNS adopts binary and ternary radix to enhance digital arithmetic processing capability. In the DBNS, the addition and multiplication can be processed with just shift operations only. Finding near canonical representation is the most important work in general DBNS. But the main disadvantage of DBNS representation in ADC is the fan-in problem. Thus, an equal distribution algorithm is developed to solve the fan-in problem after assignment the prime numbers first. The conversion speed of simulation result was 1.6 GSPS, at 1.8V power with the Magna $0.18{\mu}m$ CMOS process, and the maximum power consumption was 38.71mW.
Kim, Hyun-Ki;Roh, Joon-Wan;Chun, Young-Hyun;Kwon, Kee-Won;Chun, Jung-Hoon
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.48
no.12
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pp.37-44
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2011
This paper presents the method of improving the data rate and BER in the inductive coupling link using a BPM signaling method. A complementary switching transmitter is used to remove invalid glitches at transmitted data, and the concept of pre-distortion is introduced to optimize received data. Also, an integrating receiver is used to increase the sampling margin and equalizing transistors are added in the pre-charge path of the integrator and comparator for high frequency operation. The transceiver designed with a 0.13 um CMOS technology operates at 2.4 Gb/s and consumes 5.99 mW from 1.2 V power supply.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.282-282
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2013
그래핀(Graphene)은 열 전도도가 높고 전자 이동도(200 000 cm2V-1s-1)가 우수한 전기적 특성을 가지고 있어 차세대 전자재료로써 유망한 후보로 간주되어 왔다. 최근에는 아크 방출(Arc discharge method), 화학적 기상 증착법(Chemical vapor deposition; CVD), 이온-조사법(Ion-irradiation) 등을 이용한 이종원자(Hetero atom)도핑과 화학적 처리를 이용한 기능화(Functionalization)등의 방법으로 그래핀의 전도도를 향상시킬 수 있었다. 그러나 이러한 방법들은 기판의 표면을 거칠게 하며, 그래핀에 많은 결함들이 발생한다는 단점이 있다. 이러한 단점을 극복하기 위해 자가 조립 단층막법(Self-Assembled Monolayers; SAMs)을 이용하여 기판을 기능화한 후 그 위에 그래핀을 전사하면, 자가 조립 단층막의 기능기에 따라 그래핀의 일함수를 조절 가능하고 운반자 농도나 도핑 유형을 변화시켜 소자의 전기적 특성을 최적화 할 수 있다 [1-3]. 본 연구에서는 PET(polyethylene terephthalate) 기판에 SAMs를 이용하여 유연하고 투명한 그래핀 전극을 제작하였다. 자외선 오존처리 (UV ozone treatment)를 이용하여 PET 기판 표면 위에 하이드록실 기(Hydroxyl group; -OH)를 기능화 화였고 이를 접촉각 측정(Contact angle measurement)을 통해 확인하였다. 또한 3-Aminopropyltriethoxysilane(APTES)와 톨루엔 (toluene)을 이용하여 PET 기판 표면 위의 하이드록실 기 위에 아민 기(Amine group; -NH2)를 기능화 하였고 이를 X-선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectroscopy: XPS)으로 분석하였다. 이렇게 만들어진 PET기판 표면 위에 화학적 기상 증착법을 이용하여 합성한 대면적의 균일한 그래핀을 전사하였다. NH2그룹에 의해 그래핀에 도핑 효과가 나타난 것을 라만 분광법(Raman spectroscopy)과 전류-전압 특성곡선(I-V characteristic curve)을 이용하여 확인하였다. 본 연구 결과는 유연하고 투명한 기판 위에 안정적이면서 패턴이 가능하기 때문에 그래핀을 기반으로 하는 반도체 소자에 적용 가능할 것이라 예상된다.
Ground systems flow fault currents into the ground, and suppress Ground Potential Rise (GPR) by the current. In this paper, we designed and fabricated a surge impedance meter to analyze the ground impedance in wide frequency ranges. The meter consists of a surge generator, a high speed sample/hold (S/H) circuit and an associated electronics. The surge generator produces surge voltage up to 5kV in ranges of $50\sim500ns$. Field tests were carried out to evaluate the surge impedance meter at a driven-rod ground system. The results showed that surge impedance of ground systems should be measured by various fast surge waveforms, since the impedance increases as the rise time of applied voltage increases.
In order to study on the bleaching efficiency of flex fabrics, ozone which has been produced by an ozone generator, has been contacted with flex fabrics in water at various conditions. The equipments used for the ozone reatment of flex fabrics were the ozone generator and a liquor/ozone contactor. For the study of the bleaching efficiency on flex fabrics, the Hunter's whiteness, tensile strength, microscopic properties of the ozone treated flex fabrics were measured. The concentration of generated ozone was increased, as the voltage increase, flow ratio decrease and oxygen amount increase. The bleaching efficiency of ozone treated fabrics was increased with increasing the net concentration of ozone. The whiteness ozone of treated fabrics was found to be best when treated temperature was $0-15^{\circ}C$ and treated time was 20 min. The tensile strength of treated fabrics decreased as the treating time increased, and as the temperature raised.
O, Se-Ung;Yang, Chang-Jae;Sin, Geon-Uk;Jeon, Dong-Hwan;Kim, Chang-Ju;Park, Won-Gyu;Go, Cheol-Gi;Yun, Ui-Jun
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.210-210
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2012
Ge 기판을 이용한 GaInP/GaAs/Ge 삼중접합 태양전지는 43.5%의 높은 광전효율을 기록하고 있으며, 이를 지상용 태양광 발전시스템에 이용하려는 연구가 진행 중이다[1]. 그러나, 이러한 다중접합 태양전지는 셀 제작 비용에 있어 Ge기판의 가격이 차지하는 비중이 높고 대면적 기판을 이용하기 힘든 단점이 있다. 한편, 무게, 기계적 강도와 열전도도 측면에서 Si 기판은 Ge 기판에 비해 장점이 있다. 아울러, 상대적으로 낮은 가격의 대면적 기판을 사용할 수 있기 때문에 Si 기판으로 Ge 기판을 대체할 경우 다중접합 태양전지의 높은 제작 비용을 낮추는 효과도 기대할 수 있다. Si 기판의 장점을 취하며 고효율 태양전지를 제작하기 위해, 이번 실험에서 우리는 Ge 에피층이 성장된 Si 기판 위에 GaAs 태양전지를 제작하였다. GaAs, GaInP와 비슷한 격자상수를 갖고 있는 Ge과 달리, Si은 이들 물질(GaAs, GaInP)과 4%의 격자상수 차이를 갖고 있으며 이로 인해 성장과정에서 관통전위가 발생하게 된다. 이러한 관통전위는 소자의 개방전압을 감소시키는 원인으로 작용한다. 실제로 Si 기판 위에 제작된 GaAs/Ge 이중접합 태양전지에서 관통전위 밀도에 따른 개방전압 감소를 확인할 수 있었다. 관통전위로 인한 영향 이외에, Si 기판위에 제작된 태양전지에서는Ge 기판 위에 제작된 태양전지에 비하여 낮은 fill factor가 관찰되었다. 이것은 Si 기판 위에 제작된 GaAs/Ge 이중접합 태양전지가 높은 직렬저항을 가지고 있기 때문이다. 따라서 이번 실험에서는 Si 기판 위에 제작한 GeAs/Ge 이중접합 태양전지의 직렬저항의 원인을 전산모사와 실험을 통하여 규명하였다. TCAD (APSYS-2010)를 이용한 전산모사 결과, Si 기판의 낮은 불순물 농도 ($1{\times}10^{15}/cm^3$)에 따른 직렬저항의 원인으로 파악되었으며, 전류-전압 특성을 측정하여 실험적으로 이를 확인하였다. 이러한 직렬저항 성분을 줄이기 위하여 Si 기판의 p형 불순물 농도가 전류 전압 특성 곡선에 미치는 영향을 전산모사를 통하여 알아보았으며, Si 기판의 불순물 농도가 $1{\times}10^{17}/cm^3$ 이상으로 증가할 경우, 직렬저항 성분이 크게 감소 하는 것을 전산모사 결과로 예상할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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