어구의 모형실험을 위한 회유수조를 제작하여 시험한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 동력 50 H.P.의 D.C. Motor에 의하여 생기는 최대 유속은 약 2.3m/sec로서 지시전압 200 V, 지시전류 185 A에서 나타났다. 2. 유속과 전압과의 관계는 $0{\sim}1.0m/sec$까지는 비선형적으로 비례하나 1.0m/sec 이상에서 직선적으로 비례하였다. 3. 공칭 유속의 범위는 0.4m/sec에서 1.8m/sec까지이다. 그 이상으로 부터 최대 2.3m/sec까지는 수십분 이상 사용하며 모터의 과열현상이 나타났다 4. 수유 횡단면을 따르는 수직 유속분포는 수로중앙을 중심으로 좌우 약 70 cm까지는 0.2m/sec 이내의 차이를 나타냈다. 그러나 그 외부는 프로펠러의 크기, 벽과의 마찰로 인하여 급격히 감소한다. 5. 수심 중앙면을 따르는 수평적 유속 분포를 보면 유입부로 부터 관측부의 중앙까지는 수류변화가 거의 없으나 그 이후는 수로의 만곡에 따라 편향되었다.
진공증착 및 이온플레이팅 방법을 이용하여 냉간 압연된 강판상에 알루미늄피막을 형성시킨 후, 증발율 및 증기분포 변화를 측정하고 각 증착방법에서의 증발율에 따른 증기분포 변화를 비교 및 검토하였다. 본 실험에서의 이온플레이팅은 증발원 근처에 이온화 전극을 설치하는 방법으로 고전류 아크방전을 유도하여 $10^{-4}$ Torr 이하에서도 기존의 이온플레이팅에 비해 높은 이온화율을 얻을 수 있는 아크방전 유도형 이온플레이팅(Arc-induced ion Plating; AIIP) 방법을 이용하였다. 전자빔을 이용하면서 알루미나 크루시블을 사용하여 알루미늄을 증발시킬 경우 분당 2.0 $\mu\textrm{m}$이상의 높은 증발율을 얻을 수 있었으며, 이온플레이팅의 경우 이온화된 증기의 상호작용에 따른 산란 효과로 증발율이 다소 낮아짐을 알 수 있었다. $cos^{n/\phi}$로 이루어지는 증기분포의 결정인자(n)의 값이 진공증착의 경우는 1에 근접하는 것으로 나타났고 AIIP의 경우는 2 또는 그보다 더 큰 값으로 이루어지는 것을 확인하였다. 이로부터 이온플레이팅의 경우 이온화율 또는 기판 바이어스 전압의 효과가 다른 조건에 비해 증기분포에 더 크게 영향을 미치는 것을 확인할 수 있었다.
고전압 전원공급기를 고 밀도로 제작하기 위하여 고 주파수 동작을 시켜야 한다. 이에 따라 전원 공급기에서 최대의 부피를 차지하는 부품인 변압기는 원하는 주파수에서 최소의 부피로 충분한 전력을 수용하면서 완벽한 펄스재현을 하여야 한다. 고전압 전원공급기는 풀-브릿지 DC/DC 컨버트로 구성되어 있으며 스윗칭 주파수는 100 kHz 이다. 변압기는 일차권선이 1개이며 이차 권선은 4개로 구성된다 일차전압은 250 Vdc, 이차 권선 각각의 출력은 520 Vrms이다. 변압의 이차 권선은 배 전압 회로를 이용하여 승압 후 각각을 직렬로 연결하여 -4,100 VDC와 -2,050 VDC를 만들어 TWT(Travel Wave Tube)의 케소드 및 콜렉트에 공급한다. 이 변압기는 100 kHz 펄스로 동작하고 최대부피가 400$cm^3$이하가 되어야 한다. 본 논문에서는 이러한 변압기의 설계 방법 및 최소 온도상승을 위한 적절한 동작 자속밀도의 선택에 대하여 기술하고 변압기의 누설 인덕턴스, 분포 케페시턴스, 공진 주파수에 대하여 설계치 및 실험치를 비교 평가하였다.
최근 전력설비의 품질 향상과 시스템 운영기술의 발전으로 전력설비 자체의 고장은 낮은 수준으로 억제되고 있어, 상대적으로 바람이나 낙뢰와 같은 자연재해에 의한 고장이 차지하는 비중이 증가하는 추세이다. 특히, 낙뢰에 의한 고장을 억제하기 위해서는 효과적인 절연설계가 필요하며, 이를 위해서는 여러 가지 과전압해석이 필수적이다. 낙뢰에 의한 과전압해석을 위해서는 낙뢰특성에 대한 기본데이터와 이의 분석된 결과가 필요하다. 본 논문에서는 체계적인 낙뢰대책 수립을 위해 도입된 한국전력공사의 낙뢰관측시스템인 KLDNet(Kepco Lightning Detection Network)의 낙뢰관측 정보를 이용하여 낙뢰발생분포, 낙뢰의 다중도, 연간낙뢰일수, 대지낙뢰밀도, 낙뢰전류의 크기 등 절연설계에 필요한 기본 자료에 대해서 통계 처리하여 분석하였다.
기존의 홀추력기 개념 설계는 비용이 많이 소요되며 과거의 데이터에 기반한 실험적 방법에 근거하고 있다. 본 연구에서는 이러한 홀추력기의 설계 과정을 향상시키기 위해 최근 제안된 수치적 방법에 근거하여 설계 목적에 적합한 설계 공간을 설정하고 이에 대한 설계 공간 탐색을 수행하였다. 설계 공간 탐색의 결과를 통해 기본적으로 주어진 설계 공간에 대한 성능 범위를 결정하였으며 성능간의 관계를 분석하였다. 세부적인 결과 분석을 통해 홀추력기의 주요한 설계 변수로는 양극에서의 질량유량과 방전전압임을 도출하였다.
연산기능을 갖는 새로운 진동성 신경회로를 설계하여 $0.5{\mu}m$ CMOS 공정으로 칩 제작을 하였다. 제안하는 진동성 신경회로는 흥분성 시냅스를 가진 3개의 신경진동자와 억제성 시냅스를 가진 1개의 신경진동자로 이루어진다. 사용된 진동자는 가변 부성저항과 트랜스콘덕터를 이용하여 설계하였다. 진동자의 입력단으로 사용되는 가변 부성저항은 가우시안 분포의 전류전압 특성을 지니는 범프 회로를 이용하여 구현하였다. 뉴럴 회로의 SPICE 모의실험결과 간단한 연산기능을 확인하였다. 제작된 칩을 ${\pm}$ 2.5 V 의 전원전압 조건에서 측정하였고 이를 모의실험결과와 비교 분석하였다.
본 연구에서는 압력 왜곡과 유동각 왜곡을 모사하기 위하여 삼각날개를 이용한 와류 발생장치를 설계하였다. 삼각날개는 목표한 와류코어 위치와 압력왜곡율(DC90), 와류각을 만족하기 위해 후퇴각 $65^{\circ}$를 사용하였으며, 와류의 분포 영역을 넓히기 위해 삼각날개 전단면에 $45^{\circ}$ 와동 플랩을 적용하였다. 제작된 와류 발생장치는 시뮬레이션 덕트를 적용한 유동 왜곡 시험에서 전압력 왜곡율의 설계 요구조건을 만족하였으며, 시험 결과로부터 검증된 전산유체해석 결과를 이용하여 와류코어 위치와 와류각의 목표 성능을 확인하였다.
본 연구에서는 중성입자빔과 일반적인 ICP 플라즈마를 이용하여 성장시킨 SiON 박막의 물리적 특성 및 전기적 특성을 비교하여 분석하였다. 중성입자빔 및 ICP 플라즈마를 이용하여 기판 온도 400$^{\circ}C$ 조건에서 공정 시간에 따라 각각의 SiON 박막을 성장시켰으며 SiON 박막에 metal insulator semiconductor(MIS) 구조를 만들어 capacitance-voltage (C-V), current-voltage (I-V) 특성, 박막 두께 및 박막 내의 질소 분포 등을 비교 분석하였다. 기판 온도 400$^{\circ}C$ 조건에서 형성시킨 중성입자빔 및 플라즈마-SiON 박막의 두께는 6.0~10.0 nm, 굴절률 (n)은 1.5~1.8이며, 유전 상수는 4.2~5.0이다. 중성입자빔 SiON 박막의 절연파괴 전압은 약 14 MV/cm 이며, 플라즈마-SiON 박막의 절연파괴전압은 약 9~11 MV/cm 수준으로 중성입자빔-SiON 박막에 비하여 낮은 수준이다. 따라서 중성입자빔을 이용하여 400$^{\circ}C$에서 하전 입자에 의한 손상이 없는 양질의 SiON 박막을 형성시킬 수 있었다.
본 논문에서는 커패시터로 구동되는 공진 유도형 코일건의 속도 및 에너지 전달 특성을 해석했다. 유도형 코일건은 설치가 자유롭고, 기계적 마모가 적고, 반복사용이 가능하며, 전달되는 힘이 피투사체의 표면에 고르게 분포한다는 장점을 가지고 있다. 특성해석을 위해 등가회로를 구성 하여 회로방정식과 운동방정식을 유도하고, 이 방정식들을 Runge-Kutta 방법을 사용하여 수치적으 로 풀었다. 그리고 구동회로의 공진주파수 및 커패시터의 충전전압에 대한 에너지 전달율을 구했으 며, 또한 피투사체의 초기위치와 도전율, 구동회로의 점호각, 충전전압 및 구동코일의 저항 각각에 대한 피투사체의 포구속도의 변화를 구하였다.
산화막 트랩은 스트레스 바이어스 전압에 의해 산화막 계면과 산화막 안에 생성됨을 조사하였다. 이러한 실험은 게이트 면적 1$10^{-3}\textrm{cm}^2$를 갖는 산화막 두께 범위가 113.4$\AA$에서 814$\AA$까지의 산화막 안에서 상대적 트랩 위치를 결정하였다. 트랩은 캐소우드 부근에 음전하, 애노우드 부근에 양전하로 충전되어 있다. 트랩의 전하상태는 스트레스 고전압 인가 후 낮은 전압인가에 의해 쉽게 변화되었다. 고전압 스트레스에 의해 발생된 트랩의 산화막 전하상태는 양 또는 음전하를 포함한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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