• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.4
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• pp.885-890
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• 2014

This paper has presented the change of subthreshold swings for gate oxide thickness of asymmetric double gate(DG) MOSFET, and solved Poisson equation to obtain the analytical solution of potential distribution. The Gaussian function as doping distribution is used to approch experimental results. The symmetric DGMOSFET is three terminal device. Meanwhile the asymmetric DGMOSFET is four terminal device and can separately determine the bias voltage and oxide thickness for top and bottom gates. As a result to observe the subthreshold swings for the change of top and bottom gate oxide thickness, we know the subthreshold swings are greatly changed for gate oxide thickness. Especially we know the subthreshold swings are increasing with the increase of top and bottom gate oxide thickness, and top gate oxide thickness greatly influences subthreshold swings.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2013.10a
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• pp.698-701
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• 2013

This paper has presented the change of subthreshold swings for gate oxide thickness of asymmetric double gate(DG) MOSFET, and solved Poisson equation to obtain the analytical solution of potential distribution. The symmetric DGMOSFET is three terminal device. Meanwhile the asymmetric DGMOSFET is four terminal device and can separately determine the bias voltage and oxide thickness for top and bottom gates. As a result to observe the subthreshold swings for the change of top and bottom gate oxide thickness, we know the subthreshold swings are greatly changed for gate oxide thickness. Especially we know the subthreshold swings are increasing with the increase of top and bottom gate oxide thickness, and top gate oxide thickness greatly influences subthreshold swings.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1256-1256
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• 2015

방열판과 같이 전류나 전압원에 연결된 도체의 구조물은 유기된 전류에 의해 전파를 방사하게 된다. 이때의 전류 분포는 도체 구조물의 형상과 주파수에 따른 전류 분포를 갖게 되는데, 이는 모드의 특성 해석을 통하여 분석할 수 있다. 원치 않는 전파의 방사를 이 특성 모드 해석을 통하여 분석하고, 이를 통해서 효율적인 접지 위치를 선정 후 최적의 저항을 사용하여 원치 않는 전파의 방사가 최소가 되도록 한다.

• Proceedings of the Korea Society for Energy Engineering kosee Conference
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• 1994.11a
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• pp.9-13
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• 1994

인산형 연료전지내 열 및 물질전달 특성에 대하여 FDM과 시행착오법에 의하여 3차원 해석이 이루어졌다. Z병행류와 Z대향류를 대상으로 냉각공기 유입방향을 바꿔가며 전류밀도가 평균온도, 전압, 온도분포차, 전류밀도분포차에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다. 본 연구의 결과로 Stack에서의 최적조건을 도출하여 연료전지의 성능향상에 도움이 되리라 기대된다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.39 no.4
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• pp.1-9
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• 2002

The distribution characteristics of data retention time for DRAM was studied in connection with the probability distribution of the cell parameters. Using the cell parameters and the transient characteristics of cell node voltage, data retention time was investigated. The activation energy for dielectric layer growth on cell capacitance, the recombination trap energy for leakage current in the junction depletion region, and the sensitivity characteristics of sense amplifier were used as the random variables to perform the Monte Carlo simulation, and the probability distributions of cell parameters and distribution characteristics of cumulative failure bit on data retention time in DRAM cells were calculated. we found that the sensitivity characteristics of sense amplifier strongly affected on the tail bit distribution of data retention time.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07c
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• pp.1585-1587
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• 2004

이중 에피층 구조를 가지는 SOI(Silicon-On-Insulator) LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor)의 에피층 두께 변화에 따른 항복전압 특성을 분석하였다. 제안된 소자는 전하보상효과를 얻기 위해 n/p-epi의 이중 에피층 구조를 사용하였으며, 에피층 전체에 걸쳐서 전류가 흐를 수 있도록 하기 위해 trenched anode구조를 채택하였다. 본 논문에서는 n/p-epi층의 농도를 고정시킨 후 각각의 epi층의 두께를 변화시켜가며 simulation을 수행하였을 때 항복전압의 변화 및 표면과 epi층에서의 전계분포변화를 분석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.453-454
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• 2015

낙뢰에 대한 전력계통의 적절한 보호를 위해서 피뢰기/아킹혼의 적절한 보호작동 설계가 필요하다. 피뢰기/아킹혼은 낙뢰에 의해 이상전압 발생시 섬락 동작을 통하여 계통을 보호하므로, 절연파괴 특성에 대한 상세한 연구가 필요하다. 본 논문에서는 피뢰기/아킹혼의 섬락동작에 직접적인 영향을 주는 절연갭의 미세조정에 따른 절연파괴 특성에 대한 연구를 실험적으로 수행하였다. 실험 결과, 갭간격이 증가할수록 절연파괴전압은 증가하고, 그 증가폭은 지수적으로 감소하는 전형적은 방전 특성을 확인하였으며, 그 상세한 변화 값을 측정하였다. 또한 표준 갭간격에서의 섬락특성과 섬락전압 분포도를 구하여 절연협조 상태를 분석하였다.

• Proceedings of the Korea Institute of Fire Science and Engineering Conference
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• 2011.11a
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• pp.40-43
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• 2011

전해 커패시터의 발열 메커니즘 및 소손 패턴 해석에서 최초의 출화는 1차측 전원으로 확인되었다. 전해 커패시터 외부의 방폭캡이 탄화되었고, 인접한 기판에도 탄화된 흔적을 확인되었으나 극성의 역사용, 과전압의 인가 및 금속한 충전 및 방전 등은 없었다. 전해 커패시터 내부를 X-ray 분석한 결과 전극 및 극판에는 이상이 없는 것으로 확인되었다. 부품 사양에 제시된 하한사양한계(LSL)는 144[${\mu}F$], 상한사양한계(USL)는 216[${\mu}F$]이며, 소손된 전해 커패시터의 공정능력분포(Cpk)가 1.21로 분석된 것으로 보아 공정 개선이 필요한 것으로 판단된다. 전해커패시터의 발열 메커니즘은 AC 과전압의 인가, 서지의 유입, 내부 온도의 상승, 기밀불량 등에 의해 지배되는 것을 알 수 있었다. 전해 커패시터를 설계할 때 고려사항은 적절한 전압의 인가, 정확한 등가직렬저항(ESR)의 연결, 급속한 충전 및 방전의 제어, 충분한 유전정접의 여유(margin) 확보 등이 중요한 요소이다.

• 전기의세계
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• v.39 no.2
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• pp.12-24
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• 1990

고분자는 전기장 내에 놓이게 되면 분극현상과 전하주입현상이 일어나며 절연체의 절연수명은 분극현상보다 전하주입에 의해 형성된 공간전하에 의하여 크게 좌우된다. 공간전하에 관한 연구에 있어서 공간전하의 정화한 측정 자체도 어려운 문제인 데, 최근에 개발된 방법인 압력펄스파 방법이 있다. 이 방법은 매우 짧은 폭의 펄스가 절연체를 통과하면서 얻은 공간전하에 관한 정보를 de convolution에 의한 후속신호처리하면 절연체내에 존재하는 전하의 공간분포에 따라서 전체전하량 등을 구할 수 있다. 고전압용 전선에 쓰이는 절연물질에서는 사용되는 전압의 종류에 따라 다른 형태의 문제점이 발견된다. dc절연에 있어서는 전압의 극성이 갑자기 바뀌는 polarity reversal에 의한 절연파괴가, 그리고 ac절연에서는 소위 트리잉 현상이라고 불리우는 전기적인 열화반응에 의한 절연체의 파괴 현상이 중요시되고 있다. 이들 모두 공간전하의 축적이 심할 수록, 그리고 기공 또는 그밖에 전기집중현상을 일으킬 수 있는 요인이 많을 수록 절연체의 절연수명을 급격히 감소한다. 따라서 절연수명을 향상시키기 위하여는 공간전하의 축적을 방지해야 하는데, 여기에는 전기적인 측면에서의 노력과 아울러 고분자 자체의 개량등의 노력도 함께 있어야 한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.11 no.3 s.41
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• pp.57-70
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• 1996

본 고에서는 IEEE의 표준안테나 방법과 표준전장 방법의 두 가지 전계강도 측정방법을 고찰하였다. 표준 안테나 방법은 측정될 전계에 의해 표준 수신안테나에 형성된 수신전력 또는 개방전압을 측정하고 측정된 전압과 표준안테나의 치수 및 형태로부터 전계강도를 계산하는 방법이다. 표준 전장 방법은 측정될 전장 및 표준 전장에 의해 안테나에 나타나는 전압을 비교하는 방법이다. 표준전장의 크기는 전송안테나의 치수, 전류분포, 이격거리, 대지효과에 의해 계산된다. 범용적인 전계강도의 보정과 마이크로웨이브 주파수까지 확장된 전계강도 측정방법을 포함한 전계강도 측정절차에 관한 사항이 요약되었다.