• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2001.07a
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• pp.560-564
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• 2001

본 연구에서는 3상 능동 직렬형 전압 보상기의 제어 알고리즘으로 공간 벡터 검출법(3-D SV)을 제안하고 있다. 제안된 3차원 공간 벡터법은 종전의 순시전력이론에 의한 방법에 비해 보상 기준치 연산과정을 간략화 할 수 있고 좌표변환이 필요치 않다. 제안된 알고리즘은 전원전압의 순간적인 sag가 발생되더라도 비선형 부하에 인가되는 전압은 일정한 정현파로 제어 가능하며 동시에 전원전류의 고조파와 기본파 무효전류도 보상 가능하다. 정상상태와 과도상태에서 전력전자전용 시뮬레이터인 PSIM에 의해 제안된 이론의 타당성을 입증하였다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2010.05a
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• pp.56-59
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• 2010

태양광과 풍력과 같은 분산전원이 배전계통에 연계되어 운용되는 경우, 수용가의 규정전압인 220${\pm}$6%(207[V]~233[V])를 벗어나는 현상이 발생할 수 있다. 본 논문에서는 태양광이 연계되는 위치에 따라 변동하는 선로임피던스(R${\pm}$jX)에 의하여 발생하는 순시 전압상승 및 전압강하에 의한 전력품질[과전압/저전압] 저하 현상을 LabVIEW S/W를 이용하여 확인하였으며, 이에 따른 문제점을 분석하고 그 해결책을 제시하였다.

• Journal of IKEEE
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• v.14 no.3
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• pp.236-243
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• 2010

Power quality mitigation devices play an important role in lots of industrial segments. Although there were many devices available in the market, the selection of an appropriate device specially for voltage sags and interruptions mitigation has been a challenge in the utility and customer for several years. It usually depends on technical and economic characteristics of the device. Nevertheless, most mitigation method is selected by rule of thumb or empirical method. In this paper, the life cycle cost analysis for the probabilistic risk assesment of voltage sag mitigation method is performed using either the deterministic or probabilistic approach. The difference between a deterministic and a probabilistic cost analysis approach is illustrated with five different case studies. This paper not only provides a comparison of life cycle costing of various devices but it also indirectly shows the possible savings due to the mitigation of voltage sags in the form of a project balance chart.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07e
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• pp.71-73
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• 2000

최근 고 에너지 저장 및 발생장치의 개발은 군사용에서 산업용으로 응용되면서 각종 첨단 설비가 개발되고 있다. 본 논문에서는 전자빔 발생기로 쓰이는 Gyroklystron용 대전력, 고전압, 전류 펄스 전원장치로 입력부, 특고압 발생부, 고압 정류부 및 IGBT 펄스 스위치 구성하고 그 설계 및 개발 자료에 대하여 기술하였다. 대전력 고전압 전류펄스 전원장치를 위한 각 구성 부분의 제어 및 설계 특징은 다음과 같다. 입력부인 IGBT Inverter는 펄스 전원장치의 제어를 위하여 출력 고전압을 Feedbark System에 의해 펄스 설정 전압을 유지하도록 제어하며, 또한 펄스 출력중에 직류 고전압부의 전압강하, 즉 펄스 진압의 Drop이 커지는 것을 방지하기 위하여 Fast Dynamics를 갖도록 Feedback System을 구성하였다. 단상 특고압 승압용 변압기 3대를 직렬접속한 특고압 발생부는 PWM 제어된 전압을 입력받아 특고압으로 승압시키며 고압 펄스성 전압과 매우 높은 dV/dt 전압이 인가되므로 Stray Capacitance가 최소가 되어야 하며 절연파괴로부터 보호될 수 있어야 한다. 고압 정류부는 Inverter와 특고압 변압기에 의하여 전원이 공급되므로 교류전압의 교번 순간에 매우 높은 전압변동률을 가지는 Fast Recovery High Voltage Rectifier로 설계 제작되어졌다. 펄스 스위치인 IGBT 스위치는 Gate Driver에 의해 구동되어 지며 주어진 펄스 사양을 만족시키게 된다. 특히 소자의 전압특성을 고려하여 120KV의 전압 값을 갖도록 설계, 제작하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.14 no.1
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• pp.183-190
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• 2010

We propose an eFuse one-time programmable (OTP) memory cell based on a logic process, which is programmable by an external program voltage. For the conventional eFuse OTP memory cell, a program datum is provided with the SL (Source Line) connected to the anode of the eFuse going through a voltage drop of the SL driving circuit. In contrast, the gate of the NMOS program transistor is provided with a program datum and the anode of the eFuse with an external program voltage (FSOURCE) of 3.8V without any voltage drop for the newly proposed eFuse cell. The FSOURCE voltage of the proposed cell keeps either 0V or the floating state at read mode. We propose a clamp circuit for being biased to 0V when the voltage of FSOURCE is in the floating state. In addition, we propose a VPP switching circuit switching between the logic VDD (=1.8V) and the FSOURCE voltage. The layout size of the designed eFuse OTP memory IP with Dongbu HiTek's $0.15{\mu}m$ generic process is $359.92{\times}90.98{\mu}m^2$.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.6 no.1
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• pp.34-42
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• 2001

A battery is the device that transforms the chemical energy into the direct-current electrical energy directly without a mechanical process. Unit cells are connected in series to obtain the required voltage, while being connected in parallel to organize capacity for load current and to decrease the internal resistance for corresponding the sudden shift of the load current. Because the voltage droop down in one set of battery is faster than in tow one, it amy result in the low efficiency of power converter with the voltage drop and cause the system shutdown. However, when the system being driven in parallel, a circular-current can be generated. The changing current differs in each set of battery because the system including batteries, rectifiers and loads is connected in parallel and it makes the charge voltage constant. It is shown that, as a result the new batteries are heated by over-charge and over-discharge, and the over charge current increases rust of the positive grid and consequently shortens the lifetime of the new batteries. The difference between the new batteries and old ones is the amount of internal resistance. In this paper, we can detect the unbalance current using the micro-processor and achieve the balance current by adjusting resistance of each set. The internal resistance of each set becomes constant and the current of charge and discharge comes to be balanced by inserting the external resistance into the system and calculating the change of internal resistance.

• Journal of IKEEE
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• v.21 no.1
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• pp.1-6
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• 2017

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) device is a device with excellent current conducting capability, it is widely used as a switching device power supplies, converters, solar inverter, household appliances or the like, designed to handle the large power. This research was proposed 1200 class dual gate IGBT for electrical vehicle. To compare the electrical characteristics, The planar gate IGBT and trench gate IGBT was designd with same design and process parameters. And we carried to compare electrical characteristics about three devices. As a result of analyzing electrical characteristics, The on state voltage drop charateristics of dual gate IGBT was superior to those of planar IGBT and trench IGBT. Therefore, Aspect to Energy Loss, dual gate IGBT was efficiency. The breakdown volgate and threshold voltage of planar, trench and dual gate IGBT were 1460V and 4V.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.10 no.6
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• pp.626-633
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• 2005

This paper proposes a new 2MVA SSFG(Sag Swell Flicker Generator) injecting voltage by using series inverter. The proposed SSFG composes series inverter, DC capacitor as energy storage, rectifier and voltage clamp circuit. This SSFG is designed to generate typical power disturbances, such as voltage sag/swell, over/under voltage and voltage flicker. Also it is designed to generate unexpected voltage phase jumping waveform by controlling the series inverter. In this paper, three kinds of control methods for the proposed 2MVA SSFG we investigated by PSIM simulation. Also typical voltage sag, swell, flicker waveforms are implemented by adopting effective control method.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.04b
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• pp.217-220
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• 2008

전력용 커패시터는 부하의 역률개선과 선로전류의 감소에 의한 변압기 용량의 여유와 선로의 리액턴스나 저항에 의한 전압강하가 감소로 전압이 안정되어 부하설비의 생산 능률과 제품의 품질 향상에 도움이 되기 때문에 송배전 회로망 또는 부하설비에 설치 운영되고 있다. 한편 부하의 변동에 따른 역률조정을 위한 스위칭 동작과 비선형 부하 등의 사용은 고조파 전류의 유입으로 전압 및 전류 스트레스를 증가시킬 수 있다. 커패시터는 낙뢰와 같이 일시적인 과전압에 의해 커패시터를 고장 나는 것도 있지만, 오랫동안의 스트레스로 고장이 나는 경우가 많아 커패시터가 고장 나는 정확한 원인분석을 체계적으로 한 보고서가 많지 않다. 본 연구에서는 국내외 일부 발표된 자료를 가지고서 커패시터가 전기품질 변동에 의해 고장이 일어날 수 있는 원인 등을 찾아 분석하였다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2003.07b
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• pp.895-898
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• 2003

본 논문에서는 휴대폰에 사용하는 리튬-이론 배터리(Li-Ion battery)를 충전하기 위한 충전 IC 의 설계에 대해서 기술한다. 정전류(Constant Current)/ 정전압 (Constant Voltage) 방식을 이용하여 리튬-이론 배터리를 충전을 하였다. 이 충전 과정을 제어하기 위해서 일반적으로 사용되는 ADC, DAC 와 MICOM 을 사용하지 않고, hardwired control logic 을 이용하여 적은 면적을 가지고도 기존의 충전 과정을 수행하도록 하였다. 충전 IC 외부에 사용되는 저항들을 내부에 집적하여 사용하는 부품의 수를 현저히 줄였다. 충전기와 리튬-이온 배터리를 연결하는 선(wire)로 저항에 의한 전압강하(voltage drop)를 외부에서 보상할 수 있도록하여 리튬-이온 배터리가 가장 안정적인 전압인 4.2 V로 충전 될 수 있도록 하였다. 외부 온도 검사 블록에서 저항을 이용한 전압 분배를 사용하지 않고, 정전류원을 이용하여 외부 온도 변화를 측정할 수 있도록 하였다. 리튬-이온 배터가 전정류와 정전압으로 4.2 V로 충전 되었으며, 충전 IC 의 소비 전력은 37 mW(analog part)이다. 충전 IC는 0.6 ㎛ standard CMOS 공정을 이용하여 설계하였다.