• 전기의세계
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• v.25 no.4
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• pp.12-16
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• 1976

Thyristor등의 반도체등의 전자장치를 사용하여 전력의 변환, 제어 및 개폐등을 행하는 기술분야를 1962년 Storm씨가 Solidstate Power Electronics라고 부르기 시작한 이래 급속한 발전을 이룩하여 왔음은 다 아는 사실이다. Storm씨는 1950년대에 전력제어를 위한 장치로써 가포화 리액터를 이용한 자기증폭기의 개발과 이론전개에 공헌한 분으로 전력용 반도체 소자의 개발의 필요성과 그 응용면의 가치를 가장 절실히 느끼고 있었다. 이는 자기증폭기가 무접점의 자기적 switch가 기계적인 switch에 비하여 응답속도가 빠른 것은 사실이나 400Hz 이상에서는 그 한계성을 가져왔기 때문에 새로운 소자 즉 전자적 전력 switch의 개발의 필요성을 당연하였던 것이다. 이상과 같은 소자들은 동작면에서 전압의 증폭을 대상으로 한것이 아니고 전류의 단속에 의한 전력변환을 목적으로 한 것이라고 볼 수 있다. 즉, 단위전하의 에너지로 표시되는 전압의 조정이 아니고 전하의 수를 조정하는 전류조정작용을 가지 소자라는 점에서 이들을 이용한 장치는 전류제어형이어야만 할 것이다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.07a
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• pp.159-160
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• 2014

기존 인터리브드 방식의 2상 이중 강압형 직류-직류 컨버터는 비절연 강압형 직류-직류 컨버터로 출력 전류 리플 감소, 이중 강압으로 인한 스위치 전압 스트레스 감소, 인덕터 전류 불평형 문제 해결, 그리고 스위칭 손실 감소 등의 장점으로 대용량 직류-직류 컨버터에 적합하다. 본 논문에서는 기존의 2상 이중 강압형 직류-직류 컨버터에 결합 인덕터를 적용하여 인덕터의 전류 리플을 감소시키고 이를 수치적으로 해석한다. 또한 결합 인덕터의 문제점인 각 상의 인덕터 전류 불평형으로 인한 인덕터 포화현상에 대하여 실험을 통해 확인 한다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.23 no.2
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• pp.77-81
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• 2009

Air-gap was introduced to suppress the saturation of the iron core comprising the flux-lock type superconducting fault current limiter (SFCL) with parallel connection of two coils. However, the air-gap makes the impedance of this SFCL decreased and can result in unusefulness of the SFCL. To analyze the current limiting characteristics of the SFCL with the air-gap, the experimental circuit for short-circuit test was constructed. Through the comparison with the current limiting characteristics of the SFCL without air-gap, the merit and the demerit of the flux-lock type SFCL with the air-gap were discussed.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.626-626
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• 2013

P-N 접합에 의해 절연된 게이트를 통해 전류 통로를 제어하는 접합형 전계효과 트랜지스터(Junction Field Effect Transistors; JFETs)는, 입력 임피던스가 크고, 온도에 덜 민감하며, 제조가 간편하여 집적회로(IC) 제조가 용이하고, 동작의 해석이 단순하다는 장점을 가지고 있다. 특히 JFET는 선형적인 전류의 증폭 특성을 가지고 있으며, 잡음이작기 때문에, 감도가 우수한 음향 센서의 증폭회로, 선형성이 우수한 증폭회로, 입력 계측 증폭 회로 등에 주로 사용되고 있다. 기존에 사용되는 JFET 소자는 구조와 제조 공정에 따라서, 컷 오프 전압($V_{cut-off}$)과 드레인-소스 포화 전류($I_{DSS}$)의 변화가 심하게 발생하여, 소자의 전기적 특성 제어가 어렵고, 소자의 수율이 낮다는 문제점이 있다. 본 연구에서는 TCAD 시뮬레이션을 통해 게이트 전압에 의해 채널이 형성되는 채널 층의 상하부에 각각 $Si_xGe_{1-x}$로 이루어진 상부 및 하부 확산 저지층을 삽입한 JFET 소자 형성하여, 게이트 접합부의 접합 영역 확산을 저지하고, 상기 게이트 접합부가 계면에서 날카로운 농도 구배를 갖도록 함으로써, 공정 변화에 따른 전기적 특성의 편차가 작아지는 JFET 소자 구조를 만들어 전기적 특성을 개선하였다. JFET은 채널층에 삽입된 $Si_xGe_{1-x}$ 층의 두께, Ge 함유량 및 n채널층의 두께를 변화하였을 때, off 상태의 게이트-소스 전압이 감소한 반면에 드레인-소스 포화 전류($I_{DSS}$)와 컨덕턴스(gm) 값이 증가하였다. 삽입된 $Si_xGe_{1-x}$층이 Boron이 밖으로 확산되는 현상이 감소하여 채널이 좁아지는 현상을 막아 소자의 전기적 특성을 개선함으로써 제조공정의 변화에 관계없이 컷오프 전압을 정확하고 안정되게 제어할 수 있고 이를 통해 소자의 수율을 높일 수 있을 것으로 기대된다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.23 no.8
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• pp.67-73
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• 2009

The magnetic saliency effect in surface-mounted permanent-magnet (SMPM) motors on the torque control at high speeds is first presented and analyzed in this paper. The d- and q- axes impedance are measured by proposed State-Filter. Measurement of the d- and q- axes impedance difference is performed to prove the existence of the magnetic saliency. Then, the saliency effects on the torque control performance in the flux weakening region are discussed. Based on the developed motor modeling with the reluctance torque, the proposed control adjusts the d- and q-axis current toward the operating point to track the commanded torque. The feasibility of the presented idea is verified by experimental results on a commercial 600[W] SMPM motor.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.6 no.2
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• pp.135-141
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• 1995

Phenomenological nonlinear gain saturation effect on the noise characteristics of a multi-electrode DBR laser, when the lasing wavelength changes continuously, is presented theoretically. Using the optical transmission line theory, noise characteristics reliant on output power are analyzed by taking into account both the spontaneous enhancement factor K due to the distribution of the spontaneous emission along the active cavity and the nonlinear gain saturation effect. Spontaneous emission rate was increased due to an increase in injected current into the passive section, which in turn lead to increase in relative intensity noise (RIN) and frequency noise. Phenomenological nonlinear gain saturation was found to have significant effect on RIN and frequency noise characteristics. However. Iinewidth was found to decrease due to a phenomenological nonlinear gain saturation effect. ffect.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 1991.06a
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• pp.13-17
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• 1991

고반복 레이저의 여기전원에 적합한 3단의 자기펄스 압축 시스템을 제작하고, 시스템의 특성을 고찰하였다. 자기 펄스 압축 시스템의 특성 파라메타는 펄스 변압기의 출력과 펄스파형에 대한 포화 인덕터의 단면적, 코일의 권수가 고려되었다. 실험 결과 3단의 자기 펄스압축 시스템의 최적 조건에서 펄스 압축비와 전류 이득은 각각 22,20 이었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.1
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• pp.65-70
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• 1994

본 논문에서는 Al-1%Si 박막금속배선에서 국부적 전류 크라우딩 효과 및 박막금속배선의 길이 에 따른 수명의 변화, 그리고 이층금속배선에서의 전계효과를 연구하였다. 전류 크라우딩 효과에 으한 박막금속 배선의 수명감소를 관찰하기 위해 넓은 도선과 좁은 도선이 반복적으로 연결되어 있는 구조의 금속배선과 톱니 형태의 금속배선을 제작하였다. 길이에 따른 박막금속배선의 수명변화를 연구하기 위 해 100, 400, 800, 1200 그리고 $1600mu$m의 길이를 갖는$ 3\mu$m 선폭의 박막금속배선을 각각 제작하였다. Al-1%Si 박막금속배선에 인가된 전류밀도는 3.5~4.5x106 A/cm2이었다. 이층금속배선에서 전계에 의한 수명의 변화를 살펴보기 위해 두 금속 배선 사이에 0, $\pm$30, $\pm$60V의 전계를 인가하고 상층 금속배선에 1.75x106 A/cm2 전류 밀도를 조사하였으며 발생한 결함 현상에 대한 분석은 광학현미경과 주사전자현미 경으로 관찰하였다. 주요 결론으로는 박막금속배선에서 전류 크라우딩 효과는 수명의 감소를 초래하며 박막금속배선의 길이가 증가함에 따라 수명은 급격하게 감소하다가 포화된다. 중첩된 이층금속배선에서 는 전계효과에 의한 금속배선의 수명감소현상이 가속된다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.23 no.3
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• pp.94-97
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• 2013

Orthogonal fluxgate sensor was fabricated with cylinder-shaped NiZn ferrite core, Cu wire through the core and pickup coil wound on the core, and the bias current effect on the output sensitivity of it was investigated. The output ($$\sim_\sim$$ sensitivity) of the sensor was largely dependent on the operation frequency, and the tendency of sensor output was similar to that of the impedance of pickup coil. The maximum output was obtained by adding the DC bias current of which value was over 50% of the excitation current. The output was saturated when the DC bias current was larger than 50% of the excitation current.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.5 no.1
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• pp.157-165
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• 2001

We analyzed the electrical characteristics of platinum silicide schottky junction to develope the voltage swing in Integrated Schottky Logic gates, and simulated the characteristics with the programs in this junctions. Simulation programs for analytic characteristics are the Medichi tool for device structure, Matlab for modeling and SUPREM V for fabrication process. The silicide junctions consist of PtSi and variable silicon substrate concentrations in ISL gates. Input parameters for simulation characteristics were the same conditions as process steps of the device farications process. The analitic electrical characteristics were the turn-on voltage, saturation current, ideality factor in forward bias, and has shown the results of breakdown voltage between actual characteristics and simulation characteristics in reverse bias. As a result, the forward turn-on voltage, reverse breakdown voltage, barrier height were decreased but saturation current and ideality factor were increased by substrates increased concentration variations.